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公开(公告)号：CN101238514A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028911.9
申请日：2006-08-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/00452 , G11B7/0052 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供了一种超分辨率信息记录介质，一种记录/再现设备和一种使用提供了由液体泡引起的超分辨率效应的信息记录介质的记录/再现方法。液体泡通过为从所述信息记录介质再现数据而照射的光束形成在所述介质的至少一部分中。因此，所述超分辨率信息记录介质具有改善了的光学特性，使得记录/再现可以更加优良。
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公开(公告)号：CN100395834C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200480008410.5
申请日：2004-05-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00452 , G11B7/261 , G11B7/263 , Y10S428/913
Abstract: 本发明提供了一种多层结构，当其温度超过预定的阈值时其体积变化；一种微观结构绘制方法，包括将激光束发射到多层结构上以在束斑以内引起温度分布，并在具有温度高于阈值的束斑的一部分上执行微观记录；一种光盘母盘；一种使用多层结构的母盘制作方法，其中，多层结构包括基板和在该基板上形成的变形层，其中，当被激光束辐射的变形层的一部分的温度超过预定温度时，这部分的体积变化。微观结构绘制方法包括将激光束发射到变形层的预定区域上，并将被激光束辐射的变形层的区域加热到超过预定的温度，从而被加热的区域会发生体积变化。
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公开(公告)号：CN100350480C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03811444.5
申请日：2003-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G11B7/00454 , B82Y10/00 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B11/10504 , G11B11/10515 , G11B11/10528 , G11B11/10584 , G11B11/10593 , G11B11/10597
Abstract: 提供一种利用记录介质的记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散的相变和/或磁光记录法、一种使用该方法在其上记录的记录介质、以及一种用于该记录介质的记录和再现装置。相变记录法包括通过激光引发的反应和扩散改变记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数。磁光记录法包括在利用激光照射记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变记录层中的磁化方向。还提供了一种基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质的记录方法。
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公开(公告)号：CN1656607B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN03811443.7
申请日：2003-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/324
Abstract: 提供使用通过加热引发的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法，使用该方法形成的化合物半导体和化合物绝缘体，以及包括该化合物半导体或化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和存储器。制造化合物半导体或化合物绝缘体的该方法包括：形成叠层结构，其包括置于含氧和/或硫的电介质层之间的对氧和/或硫是高度活性的稀土金属或过渡金属的硫化物或氧化物中间层；以及加热该叠层结构，从而在电介质层与中间层之间引发化学反应和扩散，其中为了化合物半导体和化合物绝缘体，在不同温度下进行该加热。
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公开(公告)号：CN101238513A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028818.8
申请日：2006-07-28
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所 , 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/00455 , G11B7/24
Abstract: 在现有的超分辨率再生方法中通过对光盘照射的激光的功率，其光斑的大小变化，所以需要对每个记录图形的大小决定用于超分辨率再生的最佳的激光功率。本发明的光盘主要由记录层和粘性变化的材料层构成。当照射用于再生记录层上记录的信息的激光时，粘性变化的材料层的结晶性薄膜的一部分软化，由此该软化部分的光学常数变化，在软化部的边界面中产生光学常数的不连续面，在光斑内形成环状的特殊区域。由于该环状的特殊区域，可以对分辨率极限以下大小的记录图形通过与其以上大小的记录图形相同的信号强度进行再生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1685401A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822852.1
申请日：2003-09-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B5/62
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/24 , G11B7/258 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 提供一种包括包含高熔点金属氧化物或氧化硅的掩蔽层的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质。更具体地讲，提供一种具有超分辨率近场结构的高密度记录介质，其包括依次堆叠的第二电介质层、记录层、保护层、掩蔽层、第一电介质层和聚碳酸酯层，其中掩蔽层包括高熔点金属氧化物或氧化硅以通过光或热诱导高熔点金属氧化物或氧化硅的结晶结构和光学特性中的物理变化来产生近场。
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公开(公告)号：CN100365719C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN03811109.8
申请日：2003-05-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种简单-结构的无掩模层记录媒体和信息记录和复制方法，它们解决在复制过程中产生的相关热稳定性问题。记录媒体包括在第一和第二介电层之间的高熔点记录层。在记录媒体上记录信息的方法，包括激光束照射到记录媒体上以在高熔点的记录层和第一和第二介电层中引发反应和扩散。通过上述方法，复制记录在这种超分辨率近场记录媒体上信息的方法，包括利用高熔点记录层和第一和第二介电层的结晶颗粒产生等离子体振子作为散射源，以复制记录在记录层中的信息，不管所使用激光衍射极限。
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公开(公告)号：CN1316455C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN03822852.1
申请日：2003-09-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B5/62
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/24 , G11B7/258 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 提供一种包括包含高熔点金属氧化物或氧化硅的掩蔽层的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质。更具体地讲，提供一种具有超分辨率近场结构的高密度记录介质，其包括依次堆叠的第二电介质层、记录层、保护层、掩蔽层、第一电介质层和聚碳酸酯层，其中掩蔽层包括高熔点金属氧化物或氧化硅以通过光或热诱导高熔点金属氧化物或氧化硅的结晶结构和光学特性中的物理变化来产生近场。
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公开(公告)号：CN1768379A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008389.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/252 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/266
Abstract: 一种使用在其上已经预记录了信息的超高解析近场结构(Super－RENS)来实现载噪比(CNR)的只读记录介质，其包括：基底，将所述信息记录在其表面上；反射层，其在所述基底上面由相变材料构成；第一电介质层，其形成在所述反射层上面；和掩膜层，其在所述第一电介质层上面由金属氧化物或纳米颗粒构成。
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公开(公告)号：CN1705912B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200380101900.5
申请日：2003-10-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
Abstract: 本发明提供了一种图案形成材料体，该图案形成材料体包括：在目标衬底上形成的热敏材料层；在热敏材料层和目标衬底之间形成的第一光/热转换层；和在热敏材料层与第一光/热转换层相对的表面上形成的第二光/热转换层，该热敏材料层置于第一和第二光/热转换层之间。使用在热敏材料层的两个表面上形成的第一和第二光/热转换层中产生的热，能够在由光致抗蚀剂制成的热敏材料层中形成宽高比更高的精细图案。
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