公开(公告)号：CN116791004A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310732269.8

申请日：2023-06-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 许哲峰 ,  丛炳鑫 ,  张林峰 ,  于金库 ,  郑春雷 ,  王天生 ,  松木一弘

IPC: C22C38/08 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C21D8/02 ,  C21D1/26

Abstract: 本发明提供了一种高强塑积中锰钢及其制备方法，属于金属热处理领域。其化学成分按重量百分比计包括：C：0.09‑0.11％、Mn：3.6‑4.2％、Al：2‑2.5％、Ni：3.5‑4.3％、S≤0.006％、P≤0.015％、余量为Fe和不可避免的杂质。热处理中全程对中锰钢板材施加20‑70MPa的应力，在进行临界退火的过程中加入等温处理，通过成分和工艺的设计获得针状铁素体+马氏体+奥氏体组元的多相复合组织，通过良好的TRIP效应，以在不增加工业生产时间的情况下，实现高强度、强韧性的匹配。

公开(公告)号：CN118180379A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410135934.X

申请日：2024-01-31

Applicant: 燕山大学

Inventor： 许哲峰 ,  贾子钖 ,  司金辉 ,  祝萌莹 ,  吴俊华 ,  杨瑞东 ,  于金库

IPC: B22F1/12 ,  B22F1/142 ,  B22F3/105 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明属于粉末冶金领域，提供了一种碳纳米管在铝粉末中的分散方法。该碳纳米管在铝粉末中均匀的分散方法，包括以下步骤：S1：将碳纳米管、铝粉分散于表面活性剂水溶液中，制备碳纳米管/铝粉分散液；S2：将所述碳纳米管/铝粉分散液冷冻后真空冷冻干燥获得碳纳米管/铝粉末。本发明提供的一种碳纳米管在铝粉末中均匀的分散方法，避免了碳纳米管的团聚，制备了力学性能更好的CNT/Al复合材料。

公开(公告)号：CN117265324A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311292886.7

申请日：2023-10-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 许哲峰 ,  张辉辉 ,  于金库 ,  王妍 ,  范长增

IPC: C22C13/00 ,  C22C1/02 ,  B23K35/26

Abstract: 本发明涉及的是一种电子材料技术领域和焊接材料技术领域的焊料合金，具体是一种Sn‑Ag‑Cu‑Bi无铅焊料合金。其化学成分按照质量百分比为：Bi 0.5‑0.75，余量为Sn‑3.0Ag‑0.5Cu和不可避免的杂质。所述焊料合金的制备步骤，包括熔炼浇铸、凝固成型。获得保持Sn‑3.0Ag‑0.5Cu原有的良好的力学性能、润湿性，同时电迁移性能得到改善的Sn‑Ag‑Cu‑Bi无铅焊料合金。

公开(公告)号：CN116815078A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310696787.9

申请日：2023-06-13

Applicant: 燕山大学

Inventor： 许哲峰 ,  王坤 ,  于金库 ,  祝萌莹 ,  马明臻 ,  柯雨蛟

IPC: C22F1/04 ,  C22C21/00 ,  C22C1/04 ,  B22F3/105 ,  B22F3/24

Abstract: 本发明公开了一种高熵合金增强金属基复合材料及其制备方法，可用于解决在不大幅度降低铝基复合材料延伸率的前提下提高复合材料抗拉强度的问题。本发明的技术方案包括将HEA/Al片状复合材料放置于高压扭转(HPT)设备的模具中；通过调整扭转圈数，使HEA/Al复合材料产生不同的应变量，得到增强相分布更均匀、具有良好抗拉强度的复合材料。本发明的晶粒能够细化到纳米级别，同时改善复合材料拉伸时的断裂方式，有效改善复合材料的力学性能。高压扭转后，复合材料各处的硬度值无明显变化，但在硬度增加的同时，硬度误差值逐渐减小，可间接表明增强相的分布逐渐更加均匀，复合材料各处具有着性质的均一性。

公开(公告)号：CN116631542A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310570174.0

申请日：2023-05-19

Applicant: 燕山大学

Inventor： 许哲峰 ,  王慧慧 ,  于金库 ,  温斌 ,  祝萌莹 ,  王妍 ,  张辉辉

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提供了基于第一性原理预测Bi系无铅焊料性能的方法，构建Bi(16‑a‑b)MaNb晶体结构，其中，a＝0、1、2，b＝0、1、2，M代表Ag、Cu中的一种；N代表Cu、Ge、In中的一种，且M和N不同。利用Materials Project晶体数据库获取Bi的原胞结构，利用Materials Studio软件进行超胞，超胞结构为2×2×2，导出并借助VESTA软件将结构数据文件类型转为Vasp格式；通过Vasp计算晶体结构的电子结构、成键性质和力学性能，从而能对Bi(16‑a‑b)MaNb的润湿性、导电性、力学性能等有一个较好的预测。

公开(公告)号：CN116219504A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310284863.5

申请日：2023-03-22

Applicant: 燕山大学

Inventor： 许哲峰 ,  彭鲁亚 ,  于金库 ,  范长增 ,  祝萌莹 ,  王妍 ,  王慧慧 ,  张辉辉

IPC: C25D3/54 ,  C25D21/14 ,  C25D21/12

Abstract: 本发明提供一种电镀工艺制备铋薄膜的方法、铋薄膜及其应用。该方法包括将电镀液注入电镀槽中，以铜片作为阴极，不锈钢作为阳极，在电流密度为0.5A/dm2～2.5A/dm2，电镀液温度为20℃～40℃，电镀时间为2min～10min，在酸性或中性的环境条件下接通直流电源进行电镀，沉积在阴极铜片表面的膜即制得的铋薄膜。本发明采用电镀工艺，通过调控电流密度、施镀时间以及施镀温度对镀铋薄膜进行控制，制备出表面平滑光亮、孔隙率低、结合力好，厚度易控等特点的铋薄膜。