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公开(公告)号：CN117519586A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311464932.7
申请日：2023-11-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种存储器写入方法及装置、存储器、电子设备，所述方法包括：获取至少一个待存储数据；将待存储数据转换为至少一个中间状态，任意一个所述中间状态能够通过具有第一特征的操作转换到下一个中间状态，最后一个中间状态能够通过具有所述第一特征的操作转换到所述待存储数据；依次写入所述待存储数据的各个中间状态，在完成所述待存储数据的各个中间状态的写入后，完成所述待存储数据的写入。本公开实施例可以实现以恒定的功耗写入任意数据，显著提高面向功率分析侧信道攻击的安全性，同时可以保证所述存储器的写入性能、能效和密度，且不需要修改硬件，可以应用在通用的存储器方案中，进一步拓展了安全存储器的应用场景。
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公开(公告)号：CN110600065B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910756772.0
申请日：2019-08-16
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4097
Abstract: 本发明提出一种具有对称特性的存储器单元及其构成的阵列结构，涉及存储器技术领域。所述存储器单元的电路结构包括两个晶体管、一个存储器器件、行位线、列位线、行字线和列字线，第一晶体管的栅极、漏极和源极分别与行字线、行位线和存储器器件一端相连，第二晶体管的栅极和漏极分别与列字线和行位线相连，第二晶体管的源极与存储器器件一端、第一晶体管的源极均相连，存储器器件另一端与列位线相连。所述阵列结构为多个所述存储器单元通过对应的字线与位线相连的方式组成的若干行和若干列。本发明通过电路结构的行、列对称性，能够实现逐行操作与逐列操作，并保证了操作的简便与对称性。
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公开(公告)号：CN111462791A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010162766.5
申请日：2020-03-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种电路单元及具有其的电路阵列，所述电路单元包括：第一开关，第二开关和数据存储器。所述第一开关包括第一输入端和第一输出端；所述第二开关包括第二输入端和第二输出端；所述数据存储器包括第一端口、第二端口和第三端口，所述第三端口可改变所述数据存储器中的存储数据，所述第三端口和所述存储数据可控制所述第一端口和所述第二端口，所述第一输出端和所述第二输出端均与所述第三端口相连。根据本发明的电路单元一方面可以实现零静态功耗，进而可以更好的存储数据，防止数据丢失；另一方面具有更高的存储密度，从而有利于提升存储带宽。
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公开(公告)号：CN111627476B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010392133.3
申请日：2020-05-11
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/409
Abstract: 本发明公开了一种具有低泄漏特性器件的动态存储器及阵列电路，其中，动态存储器包括：写操作模块包括控制端、输入端和输出端，写操作模块由具有低泄漏特性的纳米机电继电器组成，以利用其低泄漏特点延长动态存储器的保持时间。写操作模块与信息存储模块的写操作端连接，用于对信息存储模块所存储的信息进行写操作；读操作模块包括控制端、输入端和输出端，读操作模块与信息存储模块的读操作端连接，用于对信息存储模块内的状态信息进行读操作；信息存储模块包括写操作端和读操作端。由此，提高了动态存储器的数据无损保持时间，从而降低了动态存储器的刷新功耗，是一类漏电小、功耗低的动态存储器。
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公开(公告)号：CN118366516A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310095351.4
申请日：2023-01-17
IPC: G11C11/413 , G11C11/411
Abstract: 本公开涉及一种静态存储装置、静态存储器、电子设备，所述装置包括：至少一个存储单元，所述存储单元包括第一开关及具有滞回特性的滞回逻辑器件，所述存储单元通过所述滞回逻辑器件的滞回特性存储信息，控制单元，用于：控制所述写位线、所述选择线、所述读字线、所述读位线的至少一种的电压，以使得所述存储单元执行目标操作。本公开实施例的静态存储装置基于具有滞回特性的滞回逻辑器件实现，能够在低电压下维持所存储的数据，且读取速度快，具有高集成度、高耐久度的优点，可以有效地改善SRAM在闲置状态下的漏电问题和SRAM自身的低集成度问题，是一类可以在低电压下实现数据维持从而极大降低功耗、提高存储密度的存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113096710B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110467990.X
申请日：2021-04-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种单元电路及其动态三态内容寻址存储器。单元电路包括：写操作开关，纳米机电继电器和搜索操作开关。纳米机电继电器包括栅极、漏极和源极，其中漏极和源极之间的通断状态或阻抗状态用来表示所存储的数据。写操作开关与所述纳米机电继电器的栅极连接，以对纳米机电继电器内存储的信息进行写操作；搜索操作开关与纳米机电继电器的漏极或源极连接，用于检测输入数据是否与所述纳米机电继电器内存储的数据匹配。本发明利用纳米机电继电器有效降低了三态内容寻址存储器的写操作功耗，同时提高了三态内容寻址存储器的能量效率，是一类低功耗低延时的动态三态内容寻址存储器。
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公开(公告)号：CN110428858B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910626167.1
申请日：2019-07-11
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/413 , G11C11/419
Abstract: 本发明公开了一种基于具有滞回特性器件的静态存储器的单元电路及阵列电路。单元电路包括：信息存储模块、写操作模块和读操作模块，其中，信息存储模块由具有滞回特性的器件组成，以利用滞回特性的状态存储信息，并包括写操作端和读操作端，且所存储的信息在没有外部能量输入的情况下，允许发生改变；写操作模块与写操作端连接，以对信息存储模块内存储的信息进行写操作，且在不改变存储的信息时，通过对写操作端的持续控制避免存储的信息发生改变；读操作模块与读操作端连接，以对信息存储模块内的状态存储信息进行读操作。该发明具有高集成度、高耐久度的优点，是一类可以实现在低电压下维持数据从而极大降低功耗、提高存储密度的存储器。
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公开(公告)号：CN118692537A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310282434.4
申请日：2023-03-21
Abstract: 本公开涉及一种基于铁电电容的非易失内容寻址存储器、电子设备，所述存储器包括：多个存储单元，每个存储单元为：第一开关的第二端、第二开关的第二端分别连接于第一电容的第一端、第二电容的第一端，第一电容的第二端、第三电容的第一端、第一晶体管的栅极均连接于第一节点，第二电容的第二端、第四电容的第一端、第二晶体管的栅极均连接于第二节点，其中，第一电容和第三电容至少有一个是铁电电容，第二电容和第四电容至少有一个是铁电电容；控制单元，用于：输入控制信号以控制存储单元执行目标操作。本公开实施例实现了数据的非破坏性读取，提高了存储器的使用寿命，并且降低了操作的延时和能耗。
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公开(公告)号：CN113096710A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110467990.X
申请日：2021-04-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种单元电路及其动态三态内容寻址存储器。单元电路包括：写操作开关，纳米机电继电器和搜索操作开关。纳米机电继电器包括栅极、漏极和源极，其中漏极和源极之间的通断状态或阻抗状态用来表示所存储的数据。写操作开关与所述纳米机电继电器的栅极连接，以对纳米机电继电器内存储的信息进行写操作；搜索操作开关与纳米机电继电器的漏极或源极连接，用于检测输入数据是否与所述纳米机电继电器内存储的数据匹配。本发明利用纳米机电继电器有效降低了三态内容寻址存储器的写操作功耗，同时提高了三态内容寻址存储器的能量效率，是一类低功耗低延时的动态三态内容寻址存储器。
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公开(公告)号：CN111627476A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010392133.3
申请日：2020-05-11
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/409
Abstract: 本发明公开了一种具有低泄漏特性器件的动态存储器及阵列电路，其中，动态存储器包括：写操作模块包括控制端、输入端和输出端，写操作模块由具有低泄漏特性的纳米机电继电器组成，以利用其低泄漏特点延长动态存储器的保持时间。写操作模块与信息存储模块的写操作端连接，用于对信息存储模块所存储的信息进行写操作；读操作模块包括控制端、输入端和输出端，读操作模块与信息存储模块的读操作端连接，用于对信息存储模块内的状态信息进行读操作；信息存储模块包括写操作端和读操作端。由此，提高了动态存储器的数据无损保持时间，从而降低了动态存储器的刷新功耗，是一类漏电小、功耗低的动态存储器。
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