公开(公告)号：CN114186291B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202111413132.3

申请日：2021-11-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 李学清 ,  郭欣瑞 ,  马啸阳 ,  吴珏键 ,  孙博然 ,  李泰昕 ,  王健丰 ,  刘勇攀 ,  杨华中

IPC: G06F21/75 ,  G11C11/22

Abstract: 本申请公开了一种基于铁电晶体管的物理不可克隆函数结构及注册方法、装置，其中，结构包括：阵列电路为通过多个铁电晶体管电路结构单元电气连接构成多行多列的阵列结构，每一行电路结构单元的字线相连，且连接至译码电路，每一列电路结构单元的位线和感测线相连，且位线连接至驱动电路，感测线连接至感测电路；驱动电路用于驱动阵列电路的字线和位线；译码电路用于输入挑战信号，并将输入挑战信号译码为相应的地址；感测电路用于通过利用阵列电路中的铁晶体管极化状态随机翻转特性由输入挑战信号生成输出响应信号数据。本申请的实施例利用铁电晶体管的极化状态的随机性和多样性，实现可重构的物理不可克隆函数，具有低功耗优势。

公开(公告)号：CN117519586A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311464932.7

申请日：2023-11-06

Applicant: 清华大学

Inventor： 李泰昕 ,  李学清 ,  钟宏涛 ,  孙博然 ,  杨华中

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/14

Abstract: 本公开涉及一种存储器写入方法及装置、存储器、电子设备，所述方法包括：获取至少一个待存储数据；将待存储数据转换为至少一个中间状态，任意一个所述中间状态能够通过具有第一特征的操作转换到下一个中间状态，最后一个中间状态能够通过具有所述第一特征的操作转换到所述待存储数据；依次写入所述待存储数据的各个中间状态，在完成所述待存储数据的各个中间状态的写入后，完成所述待存储数据的写入。本公开实施例可以实现以恒定的功耗写入任意数据，显著提高面向功率分析侧信道攻击的安全性，同时可以保证所述存储器的写入性能、能效和密度，且不需要修改硬件，可以应用在通用的存储器方案中，进一步拓展了安全存储器的应用场景。

公开(公告)号：CN118366516A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202310095351.4

申请日：2023-01-17

Applicant: 清华大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 钟宏涛 ,  李学清 ,  吴珏键 ,  李泰昕 ,  王翠翠 ,  王临春 ,  刘勇攀 ,  杨华中

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/411

Abstract: 本公开涉及一种静态存储装置、静态存储器、电子设备，所述装置包括：至少一个存储单元，所述存储单元包括第一开关及具有滞回特性的滞回逻辑器件，所述存储单元通过所述滞回逻辑器件的滞回特性存储信息，控制单元，用于：控制所述写位线、所述选择线、所述读字线、所述读位线的至少一种的电压，以使得所述存储单元执行目标操作。本公开实施例的静态存储装置基于具有滞回特性的滞回逻辑器件实现，能够在低电压下维持所存储的数据，且读取速度快，具有高集成度、高耐久度的优点，可以有效地改善SRAM在闲置状态下的漏电问题和SRAM自身的低集成度问题，是一类可以在低电压下实现数据维持从而极大降低功耗、提高存储密度的存储器。

公开(公告)号：CN118692537A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310282434.4

申请日：2023-03-21

Applicant: 清华大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 吴珏键 ,  李学清 ,  钟宏涛 ,  马啸阳 ,  李泰昕 ,  王翠翠 ,  莫道春 ,  刘勇攀 ,  杨华中

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/24

Abstract: 本公开涉及一种基于铁电电容的非易失内容寻址存储器、电子设备，所述存储器包括：多个存储单元，每个存储单元为：第一开关的第二端、第二开关的第二端分别连接于第一电容的第一端、第二电容的第一端，第一电容的第二端、第三电容的第一端、第一晶体管的栅极均连接于第一节点，第二电容的第二端、第四电容的第一端、第二晶体管的栅极均连接于第二节点，其中，第一电容和第三电容至少有一个是铁电电容，第二电容和第四电容至少有一个是铁电电容；控制单元，用于：输入控制信号以控制存储单元执行目标操作。本公开实施例实现了数据的非破坏性读取，提高了存储器的使用寿命，并且降低了操作的延时和能耗。

公开(公告)号：CN114186291A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111413132.3

申请日：2021-11-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 李学清 ,  郭欣瑞 ,  马啸阳 ,  吴珏键 ,  孙博然 ,  李泰昕 ,  王健丰 ,  刘勇攀 ,  杨华中

IPC: G06F21/75 ,  G11C11/22

Abstract: 本申请公开了一种基于铁电晶体管的物理不可克隆函数结构及注册方法、装置，其中，结构包括：阵列电路为通过多个铁电晶体管电路结构单元电气连接构成多行多列的阵列结构，每一行电路结构单元的字线相连，且连接至译码电路，每一列电路结构单元的位线和感测线相连，且位线连接至驱动电路，感测线连接至感测电路；驱动电路用于驱动阵列电路的字线和位线；译码电路用于输入挑战信号，并将输入挑战信号译码为相应的地址；感测电路用于通过利用阵列电路中的铁晶体管极化状态随机翻转特性由输入挑战信号生成输出响应信号数据。本申请的实施例利用铁电晶体管的极化状态的随机性和多样性，实现可重构的物理不可克隆函数，具有低功耗优势。