基于铁电晶体管的物理不可克隆函数结构及注册方法

    公开(公告)号:CN114186291B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202111413132.3

    申请日:2021-11-25

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请公开了一种基于铁电晶体管的物理不可克隆函数结构及注册方法、装置,其中,结构包括:阵列电路为通过多个铁电晶体管电路结构单元电气连接构成多行多列的阵列结构,每一行电路结构单元的字线相连,且连接至译码电路,每一列电路结构单元的位线和感测线相连,且位线连接至驱动电路,感测线连接至感测电路;驱动电路用于驱动阵列电路的字线和位线;译码电路用于输入挑战信号,并将输入挑战信号译码为相应的地址;感测电路用于通过利用阵列电路中的铁晶体管极化状态随机翻转特性由输入挑战信号生成输出响应信号数据。本申请的实施例利用铁电晶体管的极化状态的随机性和多样性,实现可重构的物理不可克隆函数,具有低功耗优势。

    存储器写入方法及装置、存储器、电子设备

    公开(公告)号:CN117519586A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311464932.7

    申请日:2023-11-06

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本公开涉及一种存储器写入方法及装置、存储器、电子设备,所述方法包括:获取至少一个待存储数据;将待存储数据转换为至少一个中间状态,任意一个所述中间状态能够通过具有第一特征的操作转换到下一个中间状态,最后一个中间状态能够通过具有所述第一特征的操作转换到所述待存储数据;依次写入所述待存储数据的各个中间状态,在完成所述待存储数据的各个中间状态的写入后,完成所述待存储数据的写入。本公开实施例可以实现以恒定的功耗写入任意数据,显著提高面向功率分析侧信道攻击的安全性,同时可以保证所述存储器的写入性能、能效和密度,且不需要修改硬件,可以应用在通用的存储器方案中,进一步拓展了安全存储器的应用场景。

    基于铁电晶体管的物理不可克隆函数结构及注册方法

    公开(公告)号:CN114186291A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111413132.3

    申请日:2021-11-25

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请公开了一种基于铁电晶体管的物理不可克隆函数结构及注册方法、装置,其中,结构包括:阵列电路为通过多个铁电晶体管电路结构单元电气连接构成多行多列的阵列结构,每一行电路结构单元的字线相连,且连接至译码电路,每一列电路结构单元的位线和感测线相连,且位线连接至驱动电路,感测线连接至感测电路;驱动电路用于驱动阵列电路的字线和位线;译码电路用于输入挑战信号,并将输入挑战信号译码为相应的地址;感测电路用于通过利用阵列电路中的铁晶体管极化状态随机翻转特性由输入挑战信号生成输出响应信号数据。本申请的实施例利用铁电晶体管的极化状态的随机性和多样性,实现可重构的物理不可克隆函数,具有低功耗优势。

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