一种使用缩颈外延获得低位错密度外延薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101150054A

    公开(公告)日:2008-03-26

    申请号:CN200710176856.4

    申请日:2007-11-06

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于半导体材料制备技术领域的一种使用缩颈外延获得低位错密度外延薄膜的方法。该方法使用沉积、选择性外延和热氧化的制备方法制造出低位错密度的锗硅衬底和高迁移率沟道。可以在硅圆片上得到极低位错密度的薄膜,满足MOS器件或发光器件的要求。此方法推广到其他异质材料的制造中,同样可以在硅圆片上得到极低位错密度的薄膜。

    一种半脂环偶极玻璃聚酰亚胺薄膜及其应用、电容器

    公开(公告)号:CN119978366A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510101732.8

    申请日:2025-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及储能技术领域,尤其涉及一种半脂环偶极玻璃聚酰亚胺薄膜及其应用、电容器。所述半脂环偶极玻璃聚酰亚胺薄膜具有式Ⅰ所示结构,其中,基团Al包括非共轭脂肪族基团;基团ArDG包括具有极化基团修饰的芳香族基团;n为50–250的整数。该半脂环偶极玻璃聚酰亚胺薄膜兼具高的玻璃化转变温度、宽的带隙、强的自愈性、高的介电常数,使用该半脂环偶极玻璃聚酰亚胺薄膜作为原料制得的电容器具有优异的高温储能性能和性能稳定性。#imgabs0#

    氮化硅陶瓷及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118047617A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202410051503.5

    申请日:2024-01-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了氮化硅陶瓷及其制备方法。该方法包括:提供原料,原料包括第一氮化硅粉体、第二氮化硅粉体、烧结助剂和分散剂,第一氮化硅粉体和第二氮化硅粉体的体积平均粒径Dv50的比例为(5‑100):1;将原料混合后进行球磨,然后进行干燥,得到待烧料;将待烧料进行烧结,烧结压力为25MPa‑300MPa,升压方式为振动式升压,烧结温度为1400℃‑1500℃,保温时间为20min‑60min,冷却后得到氮化硅陶瓷。由此,通过调整原料中氮化硅粉体的粒径并配合使用振动式升压的方式,促使第二氮化硅粉体填充到第一氮化硅粉体颗粒之间的间隙,单纯通过颗粒重排实现了氮化硅陶瓷的致密化,从而降低了烧结所需的温度和压力,缩短了烧结所需的时间,大大降低了氮化硅陶瓷的制备成本。

    白色氮化硅陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117902904A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410089423.9

    申请日:2024-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了白色氮化硅陶瓷及其制备方法和应用。该方法包括:提供原料,原料包括氮化硅粉体、烧结助剂、稀土氧化物和分散剂,稀土氧化物包括氧化镧、氧化钆、氧化镥中的至少之一;将原料混合后进行球磨,然后进行干燥,得到待烧料;将待烧料进行压制成型,得到待烧素坯;将待烧素坯进行烧结,冷却后得到白色氮化硅陶瓷。由此,采用上述组分的原料进行烧结,原料中烧结助剂和稀土氧化物的混合体系一方面可以降低陶瓷中游离硅夹杂物浓度,减少了色心的形成,另一方面可以在陶瓷中引入适当的气孔,从而可以提高陶瓷对光的反射能力,进一步提高氮化硅陶瓷的白度。因此,采用上述方法可以制备得到强度较高、综合性能较好的白色氮化硅陶瓷。

    一种具备脱硫效果的煤混合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104208998A

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201410432456.5

    申请日:2014-08-28

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 由长福 赵硕

    Abstract: 一种具备脱硫效果的煤混合物及其制备方法和应用,涉及清洁煤技术领域。本发明的特点是采用块状石灰原料、煤颗粒与水按照一定比例进行混合,将块状石灰破碎成超细的氢氧化钙颗粒,并附着于煤颗粒表面及内部孔隙,通过降低水分后制备得到具备脱硫效果的煤混合物,可直接作为煤的加工与利用原料。采用该方法,不仅可以显著提高煤的自脱硫效率及脱硫剂的利用率,且简化了脱硫剂加入到煤利用装置的过程,减少了脱硫设备的投资与使用费用。

    一种具备脱硫效果的煤混合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104208998B

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201410432456.5

    申请日:2014-08-28

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 由长福 赵硕

    Abstract: 一种具备脱硫效果的煤混合物及其制备方法和应用,涉及清洁煤技术领域。本发明的特点是采用块状石灰原料、煤颗粒与水按照一定比例进行混合,将块状石灰破碎成超细的氢氧化钙颗粒,并附着于煤颗粒表面及内部孔隙,通过降低水分后制备得到具备脱硫效果的煤混合物,可直接作为煤的加工与利用原料。采用该方法,不仅可以显著提高煤的自脱硫效率及脱硫剂的利用率,且简化了脱硫剂加入到煤利用装置的过程,减少了脱硫设备的投资与使用费用。

    一种使用缩颈外延获得低位错密度外延薄膜的方法

    公开(公告)号:CN100570823C

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200710176856.4

    申请日:2007-11-06

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于半导体材料制备技术领域的一种使用缩颈外延获得低位错密度外延薄膜的方法。该方法使用沉积、选择性外延和热氧化的制备方法制造出低位错密度的锗硅衬底和高迁移率沟道。可以在硅圆片上得到极低位错密度的薄膜,满足MOS器件或发光器件的要求。此方法推广到其他异质材料的制造中,同样可以在硅圆片上得到极低位错密度的薄膜。

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