公开(公告)号：CN102623433B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201210077870.X

申请日：2012-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 王喆垚 ,  黄翠 ,  陈倩文 ,  谭智敏

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明公开了属于三维集成技术领域的一种空气间隙的三维互连结构。该三维互连结构由贯穿整个芯片的通孔和通孔内的柱状导电体组成，通孔与柱状导电体之间为环形间隙；柱状导电体在突出于芯片的上下表面至少有一面有支撑头；芯片上下表面至少有一面在通孔的边缘刻蚀有释放槽结构，连通通孔及芯片表面。本发明空气间隙的三维互连结构，通过悬空导电体结构避免使用绝缘层、扩散阻挡层和电镀仔晶层，从而降低三维互连的制造难度，并通过将绝缘层替换为空气层，减小三维互连的高频电容。

公开(公告)号：CN1185492C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN99120320.8

申请日：1999-09-16

Applicant: 清华大学 ,  北京博奥生物芯片有限责任公司

Inventor： 周玉祥 ,  刘理天 ,  陈恳 ,  陈德朴 ,  王佳 ,  刘泽文 ,  谭智敏 ,  许俊泉 ,  朱小山 ,  贺学忠 ,  谢文章 ,  李志明 ,  刘秀梅

IPC: G01N33/543 ,  C12Q1/68 ,  H01L27/22

CPC classification number: B01L3/502761 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00468 ,  B01J2219/005 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/0061 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00614 ,  B01J2219/00626 ,  B01J2219/0063 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00639 ,  B01J2219/00648 ,  B01J2219/00653 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00722 ,  B01L3/5025 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0877 ,  B01L2300/089 ,  B01L2400/043 ,  C40B40/06 ,  C40B60/14 ,  G01N35/0098 ,  Y10S436/806

Abstract: 本发明示出了可单点选通式微电磁单元阵列芯片和电磁生物芯片以及利用这些芯片定向操纵生物分子和化学试剂等微粒和微构体的方法。电磁生物芯片包括具有可单点选通式微电磁单元的芯片，表面固定有配基分子。通过控制阵列中每个单元的电磁场并使用经磁性修饰的生物分子，可以定向操纵、合成和释放生物分子，提高生化分析或化学分析的灵敏度并减少分析时间。这类芯片的另一优点是可减少对生物分子的损害并提高分析结果的可重复性。

公开(公告)号：CN1352515A

公开(公告)日：2002-06-05

申请号：CN01140441.8

申请日：2001-12-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘理天 ,  陈兢 ,  李志坚 ,  谭智敏

IPC: H04R9/08 ,  H04R31/00

Abstract: 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺属于硅基微传声器技术领域,其特征在于:上电极振膜在声学孔处有纹槽以大大降低膜的应力,并采用复合膜结构使其膜的张应力和压应力相互抵消,下电极板为用单晶硅衬底制作,在上、下电极间有绝缘层,中间有气隙。复合膜采用多晶硅/氮化硅结构。纹槽共有六种结构。在纹槽间有一系列小的凹形支撑结构,背极背上有一层氮化硅保护层。在形成背极板的单晶硅衬底的上端面集成一个前置CMOS放大电路。背极板厚度可大于膜厚的十倍。它可用各向同性或各向异性腐蚀工艺制成,它具有:机械灵敏度好、频带宽、刚性好、抗电击穿、抗粘连、抗干扰等优点。

公开(公告)号：CN1267089A

公开(公告)日：2000-09-20

申请号：CN99120320.8

申请日：1999-09-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 周玉祥 ,  刘理天 ,  陈恳 ,  陈德朴 ,  王佳 ,  刘泽文 ,  谭智敏 ,  许俊泉 ,  朱小山 ,  贺学忠 ,  谢文章 ,  李志明 ,  刘秀梅

IPC: H01L27/00 ,  G01N33/53 ,  C12Q1/00

CPC classification number: B01L3/502761 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00468 ,  B01J2219/005 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/0061 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00614 ,  B01J2219/00626 ,  B01J2219/0063 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00639 ,  B01J2219/00648 ,  B01J2219/00653 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00722 ,  B01L3/5025 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0877 ,  B01L2300/089 ,  B01L2400/043 ,  C40B40/06 ,  C40B60/14 ,  G01N35/0098 ,  Y10S436/806

Abstract: 本发明示出了可单点选通式微电磁单元阵列芯片和电磁生物芯片以及利用这些芯片定向操纵生物分子和化学试剂等微粒和微构体的方法。电磁生物芯片包括具有可单点选通式微电磁单元的芯片,表面固定有配基分子。通过控制阵列中每个单元的电磁场并使用经磁性修饰的生物分子,可以定向操纵、合成和释放生物分子,提高生化分析或化学分析的灵敏度并减少分析时间。这类芯片的另一优点是可减少对生物分子的损害并提高分析结果的可重复性。

公开(公告)号：CN1159950C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN01140441.8

申请日：2001-12-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘理天 ,  陈兢 ,  李志坚 ,  谭智敏

IPC: H04R9/08 ,  H04R31/00

Abstract: 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺属于硅基微传声器技术领域，其特征在于：下电极为在上端面开有大量声学孔的背极板，上电极为作振膜用的复合式纹膜，纹膜的底部形状与声学孔的形状相对应，构成凹陷的纹槽，纹槽之间有平坦的梁桥；绝缘层夹在纹膜和背极板的上端面之间。复合膜采用多晶硅/氮化硅结构。纹槽共有六种结构。在纹槽间有一系列小的凹形支撑结构，背极板是用单晶硅制成的，在单晶硅的上面集成着一个前置CMOS放大器，在前置CMOS放大器和单晶硅之间有一层氮化硅保护层。背极板厚度可大于膜厚的十倍。它可用各向同性或各向异性腐蚀工艺制成，它具有：机械灵敏度好、频带宽、刚性好、抗电击穿、抗粘连、抗干扰等优点。

公开(公告)号：CN102623433A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210077870.X

申请日：2012-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 王喆垚 ,  黄翠 ,  陈倩文 ,  谭智敏

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明公开了属于三维集成技术领域的一种空气间隙的三维互连结构。该三维互连结构由贯穿整个芯片的通孔和通孔内的柱状导电体组成，通孔与柱状导电体之间为环形间隙；柱状导电体在突出于芯片的上下表面至少有一面有支撑头；芯片上下表面至少有一面在通孔的边缘刻蚀有释放槽结构，连通通孔及芯片表面。本发明空气间隙的三维互连结构，通过悬空导电体结构避免使用绝缘层、扩散阻挡层和电镀仔晶层，从而降低三维互连的制造难度，并通过将绝缘层替换为空气层，减小三维互连的高频电容。