一种基于音速喷嘴的气体流量自动控制装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN114879759A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210378970.X

    申请日:2022-04-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于音速喷嘴的气体流量自动控制装置及其控制方法,基于音速喷嘴的气体流量自动控制装置主要包括音速喷嘴、球阀、减压阀、温度传感器、压力传感器和控制器。该装置利用音速喷嘴原理将质量流量控制过程转化为压力控制过程,并且采用机械自动控制实现压力波动下流量的精确控制,利用新型结构实现量程段的拓展,实现低成本变压力耐受的质量流量控制。本发明还提出了一种基于音速喷嘴的气体流量自动控制装置及其控制方法。

    三维无模浆料直写成型制造忆阻器的方法及忆阻器

    公开(公告)号:CN102610752A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210079843.6

    申请日:2012-03-23

    Abstract: 一种忆阻器的制造方法,包括以下步骤:分别将纳米金属粉和纳米掺杂半导体陶瓷粉分散于有机介质中制备浆料;挤出成型,采用三维无模浆料直写系统按照设计的多层网格三维模型,将各浆料通过以设定轨迹运动的相应的供料针头逐层挤出,形成以金属浆料为骨架的多层网格结构坯体,在该坯体中,其网格交汇处的上下层金属浆料之间夹有掺杂半导体陶瓷浆料层;及,干燥烧结,去除该坯体中的有机成分得忆阻器。其通过三维无模浆料直写成型工艺实现了忆阻器的制造,该工艺简单、程控,可以根据需要制备不同的浆料、设计结构模型,一次性制造具有复杂网格结构的忆阻器。

    一种片式忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102931349A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210449341.8

    申请日:2012-11-10

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于半导体、电子元器件技术领域,特别涉及一种片式忆阻器及其制备方法。本发明包括两平行板导电电极,两平行板导电电极通过位于二者之间的有效忆阻功能介质材料相连,形成三明治结构。通过将有效忆阻功能介质材料与电极制备成三明治结构,再包覆绝缘保护层并在结构空隙中填充绝缘材料得到完整片式忆阻器。本发明的制造方法简单,成本低,可获得一种能够用于集成电路电子领域的新型无源电子元件,能提高数字电路的集成性,推动电子电路产品的轻型化、薄小化和智能化。

    一种引线忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102931348A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210448883.3

    申请日:2012-11-10

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于半导体、电子元器件技术领域,特别涉及一种引线忆阻器及其制备方法。本发明两条引线分别与1个电极相连,两电极平行正对分布,并通过位于两电极之间的作为有效忆阻功能介质材料相连;所组成的引线忆阻器在电压或电流的加载下对外显示高低电阻状态转变,并且此种阻态转变具有对时间的记忆效应。通过将有效忆阻功能介质材料与电极制备成三明治结构,在三明治结构两端电极上设置引线,再包覆绝缘保护层并在结构空隙中填充绝缘材料得到完整引线忆阻器。本发明的制造方法简单,成本低,可获得一种能够用于电子电路、数字电子领域的新型无源电子元件,可提高现有数字电路的集成性和功能性,促进电子产品向更轻、更薄、功能更丰富的方向发展。

    陶瓷基三维结构的无模直写制备方法及陶瓷基光敏浆料

    公开(公告)号:CN102617153A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210079723.6

    申请日:2012-03-23

    Abstract: 本发明提供了一种陶瓷基三维结构的无模直写制备方法,包括用浆料及浆料直写成型设备成型所述三维结构,其中:所述浆料为陶瓷基光敏浆料,所述制备方法还包括在成型中用紫外光照射已成型部分以及成型后将制品于100℃~600℃热处理1~2小时。本发明还提供了一种陶瓷基光敏浆料,用于无模直写制备陶瓷基三维结构,按体积计,该陶瓷基光敏浆料包括35%~75%粒径为20nm~2μm的陶瓷粉体和65%~25%的光敏胶。本制备方法能够加速已成型部分固化,避免直写成型得到的结构发生断裂或坍塌,而且其浆料配制简单。

    二氧化碳地质埋存的三维地应力测量方法和装置、设备

    公开(公告)号:CN115204004A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210684677.6

    申请日:2022-06-17

    Abstract: 本申请实施例提供了一种二氧化碳地质埋存的三维地应力测量方法和装置、设备,属于人工智能技术领域。该方法包括:获取测井数据并对目标地层的岩心和岩屑进行扫描得到数据结构体;根据数据结构体进行模型重构得到岩样模型;根据预设的参数提取模型对岩样模型进行参数提取得到静态岩石力参数和岩石强度参数;根据预设的参数转换模型对静态岩石力参数进行参数转换得到动态岩石力参数;根据预设的孔隙压力计算模型对测井数据进行孔隙压力计算得到目标孔隙压力数据;根据预设的地应力计算模型对动态岩石力参数、岩石强度参数、目标孔隙压力数据进行地应力计算得到目标地应力。本申请实施例能够使地应力计算更加简易且准确。

    岩石力学参数获取方法及其装置、计算机设备、存储介质

    公开(公告)号:CN114925567A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210552026.1

    申请日:2022-05-20

    Abstract: 本申请实施例提供一种岩石力学参数获取方法及其装置、计算机设备、存储介质,所述岩石力学参数获取方法包括:获取微岩心的三维图像和矿物相成分;根据所述三维图像和所述矿物相成分构建三维孔隙矿物结构模型;对所述三维孔隙矿物结构模型进行切片,得到二维孔隙矿物结构模型;根据所述二维孔隙矿物结构模型构建数字岩心几何模型;根据有限单元法和离散单元法对所述数字岩心几何模型的受压破裂过程进行数值模拟,得到所述数字岩心几何模型的岩石力学参数。本申请实施例采用微岩心样本,通过有限单元法和离散单元法相结合对微岩心样本建立的数字岩心几何模型进行数值模拟,能够准确快速得到岩石力学参数。

    一种基于音速喷嘴的气体流量自动控制装置

    公开(公告)号:CN217587924U

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202220838414.1

    申请日:2022-04-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于音速喷嘴的气体流量自动控制装置,该装置主要包括音速喷嘴、多通球阀、球阀、减压阀、温度传感器、压力传感器和控制器。该装置利用音速喷嘴原理将质量流量控制过程转化为压力控制过程,并且采用机械自动控制实现压力波动下流量的精确控制,利用新型结构实现量程段的拓展,实现低成本变压力耐受的质量流量控制。

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