公开(公告)号：CN102626626A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210079704.3

申请日：2012-03-23

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 李勃 ,  彭琴梅 ,  宋英翠 ,  孙竞博 ,  周济 ,  李龙土 ,  李亚运 ,  苏水源

IPC: B01J23/745 ,  B01J35/02

Abstract: 一种三维结构赤铁矿光催化材料的制备方法，包括以下步骤：1）、备料：用铁源、溶剂和催化剂制备溶胶，放置形成凝胶，将凝胶干燥后于300～600℃煅烧1～4h，然后研磨制得纳米赤铁矿陶瓷粉体；将所述纳米赤铁矿陶瓷粉体配制成浆料；2）、成型：将制得的浆料加入浆料直写成型设备的针筒，控制针头沿成型轨迹相对工作台运动，同时针筒中的浆料不断从针头中挤出沿所述成型轨迹逐层成型，制得三维结构；3）、将制得三维结构热处理，得到三维结构赤铁矿光催化材料。本发明制备方法简单、易操作，能够制备各种复杂结构的三维结构赤铁矿光催化材料。

公开(公告)号：CN102617153A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210079723.6

申请日：2012-03-23

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 李勃 ,  孙竞博 ,  蔡坤鹏 ,  周济 ,  李龙土 ,  彭琴梅 ,  张晓龙 ,  苏水源

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/46

Abstract: 本发明提供了一种陶瓷基三维结构的无模直写制备方法，包括用浆料及浆料直写成型设备成型所述三维结构，其中：所述浆料为陶瓷基光敏浆料，所述制备方法还包括在成型中用紫外光照射已成型部分以及成型后将制品于100℃～600℃热处理1～2小时。本发明还提供了一种陶瓷基光敏浆料，用于无模直写制备陶瓷基三维结构，按体积计，该陶瓷基光敏浆料包括35%～75%粒径为20nm～2μm的陶瓷粉体和65%～25%的光敏胶。本制备方法能够加速已成型部分固化，避免直写成型得到的结构发生断裂或坍塌，而且其浆料配制简单。

公开(公告)号：CN102610752A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210079843.6

申请日：2012-03-23

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 李勃 ,  蔡坤鹏 ,  李亚运 ,  孙竞博 ,  李吉皎 ,  周济 ,  李龙土 ,  苏水源

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种忆阻器的制造方法，包括以下步骤：分别将纳米金属粉和纳米掺杂半导体陶瓷粉分散于有机介质中制备浆料；挤出成型，采用三维无模浆料直写系统按照设计的多层网格三维模型，将各浆料通过以设定轨迹运动的相应的供料针头逐层挤出，形成以金属浆料为骨架的多层网格结构坯体，在该坯体中，其网格交汇处的上下层金属浆料之间夹有掺杂半导体陶瓷浆料层；及，干燥烧结，去除该坯体中的有机成分得忆阻器。其通过三维无模浆料直写成型工艺实现了忆阻器的制造，该工艺简单、程控，可以根据需要制备不同的浆料、设计结构模型，一次性制造具有复杂网格结构的忆阻器。