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公开(公告)号：CN119674703B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510188800.9
申请日：2025-02-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法，涉及激光技术领域。其中，阵列激光芯片的制备方法包括：生成衬底；其中，衬底对稀土增益材料的增益谱线波段内的光透明；基于衬底，利用电子束光刻技术，刻蚀得到多个光子晶体微腔；其中，多个光子晶体微腔中，至少一个光子晶体微腔的谐振模式与其他光子晶体微腔不同；利用微纳材料转移技术，将稀土增益材料转移到每一个光子晶体微腔的表面，在每一个光子晶体微腔的表面形成稀土增益材料层。本发明可以有效利用稀土增益材料的光学性质，提供一种高性能、高稳定性的1.5μm波段的阵列激光芯片。
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公开(公告)号：CN112530936A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011341459.X
申请日：2020-11-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种集成电路细致修调电阻阵列版图结构，包括N条电阻、N条金属引线、第一电阻端口和第二电阻端口；N条电阻相互平行设置，N条电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN‑2、电阻RN‑1与电阻RN，其中，电阻R1的电阻值等于R/N，随着电阻下标编号增大，对应的电阻的电阻值依次增加R/N，直到电阻RN的电阻值为R；N条金属引线，N条金属引线相互平行，N条金属引线的一端与N条电阻的一端一一对应地互联；第一电阻端口与N条金属引线的另一端可选择性地连接；第二电阻端口与N条电阻的另一端一一对应地互联。本发明可以在较大范围内对电阻值进行细致修调。
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公开(公告)号：CN112511140A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011406174.X
申请日：2020-12-02
Applicant: 清华大学
IPC: H03K7/08
Abstract: 本发明公开了一种可片上选通微调的高压电平移位双窄脉冲产生电路，包括：输入端口用于输入长周期输入信号，控制端口用于进行电平调控；上升沿窄脉冲触发模块用于通过控制端口调节可选通NMOS晶体管栅极的电平，控制第一输出端口输出的窄脉冲宽度，并通过第一输出端口输出输入信号上升沿对应的窄脉冲波形；下降沿窄脉冲触发模块用于通过控制端口调节可选通NMOS晶体管栅极的电平，控制第二输出端口输出的窄脉冲宽度，并通过第二输出端口输出输入信号下降沿对应的窄脉冲波形。该电路实现了一种可片上选通微调的特殊结构，能够在选通前后实现对窄脉冲宽度的精细微调。
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公开(公告)号：CN110865882A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810988672.6
申请日：2018-08-28
Applicant: 清华大学
IPC: G06F9/50
Abstract: 本发明涉及一种数据处理方法、装置、计算机设备和存储介质。应用于异构系统，异构系统包括第一处理器和第二处理器，第一处理器将每个待计算区域划分成外围区域和中心区域；采用预设的异构任务划分方法，第一处理器确定第一处理器的第一任务和第二处理器的第二任务；第一任务为处理所述外围区域的数据，第二任务为处理所述中心区域的数据；采用预设的浅水波方法，第一处理器和所述第二处理器分别执行相应的任务。采用不同的处理器处理不同的任务，使得各处理器处理数据的速度变高，进而使得不需要较高的计算机性能就能处理浅水波方法的数据，降低了对计算机性能的要求。
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公开(公告)号：CN110618832A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810628408.1
申请日：2018-06-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供的数据处理方法、装置、计算机设备及可读存储介质，该方法包括：将每一个任务分块中的网格点数据区域进行划分，得到中心区域以及围绕中心区域的外围区域，通过FPGA对中心区域中的每一个网格点数据进行欧拉模板计算，得到第一计算结果，通过CPU获取与外围区域中每一个网格点所在任务分块相邻的任务分块中的网格点数据，对外围区域中的每一个网格点数据，以及获取的相邻的任务分块中的网格点数据进行欧拉模板计算，得到第二计算结果，通过CPU将第一计算结果和第二计算结果存储至存储空间。由于计算机设备将算法偏移，快速查找表和混合精度方法综合考虑到欧拉模板计算过程中，以降低欧拉模板计算对FPGA资源的需求，从而提高能耗功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103326730B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310223858.X
申请日：2013-06-06
Applicant: 清华大学
IPC: H03M7/30
Abstract: 一种数据并行压缩方法，该方法包括读取步骤，通过并行I/O从存储装置中读取待压缩数据；切分步骤，将待压缩数据均匀切分成N个数据块，并将所述N个数据块保存至每个数据块所对应的输入缓冲区；压缩编码步骤，每个进程控制对应的输入缓冲区中的数据块，并利用多线程的方法对该数据块进行并行压缩编码，将压缩编码后的数据存入输出缓冲区；写入步骤，合并输出缓冲区中各个进程并行压缩编码后的数据，并将所述合并后的数据写入输出文件中。该方法在取得理想的压缩比的同时，大大降低压缩过程对时间的开销，能够很好的应用于云存储或数据库系统中，解决压缩实时性不高的问题，提高了压缩的整体性能。
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公开(公告)号：CN118484279A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410620022.1
申请日：2024-05-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种任务调度方法、装置和电子设备及存储介质，该方法包括：根据目标超算任务对应的任务需求，确定所述目标超算任务对应的任务参数，其中，所述任务参数用于调度目标超算资源包括的多个并行程序执行所述目标超算任务；根据所述任务参数，确定所述目标超算任务对应的待处理数据；根据所述任务参数和所述待处理数据，调度所述多个并行程序执行所述目标超算任务，确定所述目标超算任务对应的任务结果。通过本公开实施例，可以简化用户使用超算资源的流程，不需要用户手动进行任务调度，能够支持不同的任务需求，并兼容不同的超算资源，可以提高使用超算资源的工作效率和灵活性。
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公开(公告)号：CN112530935A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011339356.X
申请日：2020-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种具有双向SCR结构的ESD保护器件及双向SCR结构，具有双向SCR结构的ESD保护器件包括：P型衬底；第一N阱，第一N阱内设有第一N+注入区和第一P+注入区；P阱，P阱内设有第二P+注入区，第二P+注入区的宽度为D用于调整双向SCR结构的维持电压；以及第二N阱，第二N阱内设有第二N+注入区和第三P+注入区；其中，第一N阱、P阱和第二N阱均设在P型衬底内部，第一N阱与第二N阱紧邻P阱，且第一N阱与第二N阱以P阱的中轴线呈轴对称分布。根据本发明的具有双向SCR结构的ESD保护器件,可以使电路的IO端口承受负电压，ESD保护器件的保护能力提升且版图面积小，结构紧凑；同时双向SCR结构去除了一般单向SCR结构需要反向并联二极管的需求。
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公开(公告)号：CN116089076A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211727084.X
申请日：2022-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种数据处理方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：对地震有限区域的地震属性数据进行数字网格化处理，得到网格化后的多个计算单元；根据预设的计算单元分类算法和多个计算单元，确定计算单元组，并根据预设的计算量处理策略确定各计算单元组的组计算量；根据各计算单元组对应的组计算量的大小以及预设的计算单元分配策略，将计算单元组分配至不同的数据处理进程；通过数据处理进程对计算单元组进行计算，得到地震波属性数据。采用本方法能够保证各数据处理进程的负载均衡，减少了数据处理等待时间，缩短得到地震波属性数据的时间，提高了地震波属性数据的计算效率。
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公开(公告)号：CN115498075A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210992640.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体双异质结高效发光器件，包括：绝缘衬底；两个栅极，位于绝缘衬底；氮化硼介电层，位于栅极上；半导体发光层，位于氮化硼介电层上；半导体载流子输运层，位于半导体发光层上；源漏电极，位于半导体载流子输运层上；氮化硼保护层，位于源漏电极上；发光器件工作时在两个栅极上分别施加正负电压，分别产生P型半导体和N型半导体形成半导体双异质结，并在源漏电极施加偏压。本发明能降低器件串联电阻，提升器件的饱和电流，因此可以提升器件的发光强度、提升器件的功率效率。
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