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公开(公告)号：CN113932940B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111169897.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 测温方法、装置、测温传感器和计算机可读存储介质。本申请公开了一种测温方法、装置和测温传感器。本申请的测温传感器包括：泵浦光源，测温材料，光谱采集器，处理器，以及被安排成存储计算机可执行指令的存储器。本申请的测温方法包括：利用测温材料的PL光谱获得满足玻尔兹曼分布规律的多个发射峰，多个发射峰来源于斯塔克劈裂子能级跃迁辐射；定标两两发射峰之间的荧光强度比对不同温度的响应，获得多个温度响应函数；确定各个温度响应函数的使用温度范围和测温参数；根据在测温材料的整个温区内测温参数最优的整合原则，对各个温度响应函数的使用温度范围进行整合，得到整合后的与测温参数关联的测温判据；在进行温度检测时，确定关键测温参数，利用关键测温参数关联的测温判据进行温度检测。
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公开(公告)号：CN114096028B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202111322090.2
申请日：2021-11-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体电致发光装置及其制备方法，所述二维半导体电致发光装置包括：衬底，衬底包括第一主表面；电极层，电极层设在第一主表面上，电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个第一电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第二电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第一电极体和多个第二电极体沿衬底的横向交错布置，相邻的第一电极体和第二电极体在衬底的横向上间隔开，第一电极体和第二电极体的极性相反；二维半导体层，二维半导体层设在电极层在衬底的厚度方向上远离衬底的一侧；介电层，介电层的至少部分在衬底的厚度方向上位于二维半导体层和电极层之间。本发明的二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。
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公开(公告)号：CN115498075A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210992640.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体双异质结高效发光器件，包括：绝缘衬底；两个栅极，位于绝缘衬底；氮化硼介电层，位于栅极上；半导体发光层，位于氮化硼介电层上；半导体载流子输运层，位于半导体发光层上；源漏电极，位于半导体载流子输运层上；氮化硼保护层，位于源漏电极上；发光器件工作时在两个栅极上分别施加正负电压，分别产生P型半导体和N型半导体形成半导体双异质结，并在源漏电极施加偏压。本发明能降低器件串联电阻，提升器件的饱和电流，因此可以提升器件的发光强度、提升器件的功率效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242830A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111294690.2
申请日：2021-11-03
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0693 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法，包括以下步骤：将p型InP单晶片清洗、吹干；在p型InP单晶片表面制作纳米柱阵列，并用酸清洗；在纳米柱阵列侧面包裹上氧化层，并镀上透明导电层。本发明涉及的方法在制备过程中，同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及H2含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。本发明还提供了一种太阳能电池，本发明提供的太阳能电池有较高的太阳光吸收率及转换效率。
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公开(公告)号：CN114096028A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111322090.2
申请日：2021-11-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体电致发光装置及其制备方法，所述二维半导体电致发光装置包括：衬底，衬底包括第一主表面；电极层，电极层设在第一主表面上，电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个第一电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第二电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第一电极体和多个第二电极体沿衬底的横向交错布置，相邻的第一电极体和第二电极体在衬底的横向上间隔开，第一电极体和第二电极体的极性相反；二维半导体层，二维半导体层设在电极层在衬底的厚度方向上远离衬底的一侧；介电层，介电层的至少部分在衬底的厚度方向上位于二维半导体层和电极层之间。本发明的二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。
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公开(公告)号：CN113972305A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111235384.1
申请日：2021-10-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法，依次包括以下步骤：清洗衬底片；用机械剥离法将hBN材料转移到衬底片上；紫外臭氧机处理；飞秒激光脉冲加工hBN材料；紫外臭氧机处理；退火处理。本发明涉及的利用六方氮化硼制备单光子源的方法基于飞秒激光脉冲工艺实现高效率的空间位置可控的单光子源的制作，加工制备的单光子源的具有亮度高、纯度高及室温工作的特性，且不需要较高的生产成本。
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公开(公告)号：CN113932940A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111169897.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 测温方法、装置、测温传感器和计算机可读存储介质。本申请公开了一种测温方法、装置和测温传感器。本申请的测温传感器包括：泵浦光源，测温材料，光谱采集器，处理器，以及被安排成存储计算机可执行指令的存储器。本申请的测温方法包括：利用测温材料的PL光谱获得满足玻尔兹曼分布规律的多个发射峰，多个发射峰来源于斯塔克劈裂子能级跃迁辐射；定标两两发射峰之间的荧光强度比对不同温度的响应，获得多个温度响应函数；确定各个温度响应函数的使用温度范围和测温参数；根据在测温材料的整个温区内测温参数最优的整合原则，对各个温度响应函数的使用温度范围进行整合，得到整合后的与测温参数关联的测温判据；在进行温度检测时，确定关键测温参数，利用关键测温参数关联的测温判据进行温度检测。
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公开(公告)号：CN216488121U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122734534.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本实用新型提出了一种二维半导体电致发光装置，所述二维半导体电致发光装置包括：衬底，衬底包括第一主表面；电极层，电极层设在第一主表面上，电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个第一电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第二电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第一电极体和多个第二电极体沿衬底的横向交错布置，相邻的第一电极体和第二电极体在衬底的横向上间隔开，第一电极体和第二电极体的极性相反；二维半导体层，二维半导体层设在电极层在衬底的厚度方向上远离衬底的一侧；介电层，介电层的至少部分在衬底的厚度方向上位于二维半导体层和电极层之间；和保护层。本实用新型的二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。
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