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公开(公告)号：CN119651641A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411674830.2
申请日：2024-11-21
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
Abstract: 本申请涉及低碳电力技术领域，特别涉及一种电动汽车的时空多维度低碳需求响应方法、装置及设备，其中，方法包括：获取电力系统的潮流分布预测结果；根据潮流分布预测结果预测电力系统中各节点在各未来时段的动态碳排放因子，识别各节点在各未来时段的动态碳排放因子中小于低碳阈值的动态碳排放因子对应的目标时段；获取电动汽车的出行链模型，根据出行链模型仿真电动汽车在各未来时段的充换电需求，引导存在充换电需求的电动汽车在目标时段执行充换电动作。由此，解决了传统的低碳需求响应主要根据时变的碳排放因子引导用户调整不同时段的用电功率，难以满足电动汽车充电兼具时间和空间灵活性的问题。
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公开(公告)号：CN117293804A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311245430.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国长江三峡集团有限公司 , 清华大学
IPC: H02J3/00 , G06Q10/0631 , G06Q50/06 , H02J3/38
Abstract: 本申请涉及微电网优化调度领域，公开了一种微电网日前调度方式的确定方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，该方法包括：获取风电、光伏以及负荷的历史预测数据以及真实数据；基于历史预测数据、真实数据以及换电站的预设范围容量，确定期望不足电量；基于期望不足电量以及预设调度条件，确定发电功率以及换电站的目标预留容量；基于发电功率与目标预留容量，确定微电网的调度方式。本申请能够保证换电站充分发挥电量转移的能力的同时，减少发电机的发电功率的消耗。
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公开(公告)号：CN116364661A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310645836.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 本申请提供一种压接型半导体器件，可用于电力半导体器件技术领域。所述压接型半导体器件包括：芯片、设置在所述芯片的阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片的阴极侧的阴极金属管壳；所述芯片的阳极侧和所述阳极金属管壳之间还设置有阳极金属垫片，所述阳极金属垫片和所述阳极金属管壳之间通过第一低热阻结合层连接；和/或所述芯片的阴极侧和所述阴极金属管壳之间还设置有阴极金属垫片，所述阴极金属垫片和所述阴极金属管壳之间通过第二低热阻结合层连接。本申请实施例提供的压接型半导体器件，能够将金属垫片与金属管壳之间的压力接触面替换为低热阻结合层，大幅降低了封装结构的接触热阻，从而降低器件整体的结壳热阻。
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公开(公告)号：CN108268143A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810148667.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种用于输入中文字符的键盘及其设置方法和输入方法。该键盘采用如下方法设置：设置键盘的几何布局，根据几何布局构建该键盘的几何坐标系；基于该几何坐标系，确定该键盘的每个键位的位置坐标；采用搜索算法，根据该位置坐标在键盘上分别设置声母键位和韵母键位，该声母键位和韵母键位对应于拼写所有汉语音节所需的最小代价函数设置。本发明还公开了采用上述键盘在计算设备上输入中文的方法。本发明弥补了现有技术中输入键盘的不足之处，针对基于脑-机接口系统的字符输入系统和基于眼动追踪系统的字符输入系统，提供了一种具有最短移动距离的中文字符拼写输入键盘及其设置和输入方法。
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公开(公告)号：CN104699630A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510113193.6
申请日：2015-03-16
Applicant: 清华大学
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明公开了一种共享片上缓存划分装置，包括：片上缓存模块；多个可重构阵列；多个第一监测模块，用于跟踪多个可重构阵列上执行应用程序的缓存利用率信息；多个第二监测模块，用于监控多个可重构阵列之间交叠的数据量；划分模块，用于根据缓存利用率信息和多个可重构阵列之间交叠的数据量，确定分配给每个可重构阵列的共享缓存路数。本发明实施例的划分装置，消除了多个可重构阵列之间的交叠数据对缓存利用率的降低问题，可以得到不同划分情况下更加准确的缓存利用率，有利于减少总的缓存缺失，提高缓存利用率，并且该装置结构简单，操作方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104173046A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410440166.5
申请日：2014-09-01
Applicant: 清华大学
IPC: A61B5/0476
Abstract: 本发明公开了一种色彩标记振幅整合脑电图的提取方法，包括：从脑电图提取出待标记信息，并对所述待标记信息用色彩进行标记，得到色彩变化图；将所述色彩变化图与振幅整合脑电图进行整合，得到色彩标记振幅整合脑电图，其中所述振幅整合脑电图为根据所述脑电图进行振幅提取得到的图。上述方法通过对脑电图中除了振幅以外的并且是随时间变化的其他信息进行提取，并利用色彩进行标记，使得最终得到的振幅整合脑电图中不仅包含振幅信息，同时还能够展示同一时刻随时间变化的其它信息。由于是利用色彩进行标记，因此易于观察和读取，使得原始采集到的脑电图中的信息得到更多的体现和应用，提高脑电图的利用率。
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公开(公告)号：CN1921625A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610113115.7
申请日：2006-09-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于视频编解码的集成电路设计领域，提出了一种将对外部存储器的读写操作与滤波计算并行执行的滤波方法，并给出了该方法的电路结构，来完成符合H.264视频编码标准的去块效应滤波计算。其特征在于：1)将滤波过程的中间数据全部缓存，只将滤波后的最终结果输出，可以达到对片外存储器的读写次数的下限，从而将外部存储器的带宽对处理能力的影响降到最小。2)基于一种改进的滤波顺序，相对于基本的滤波顺序，可以减小片内缓存的中间数据量，从而减小电路规模。3)将对外部存储器的读写操作与滤波计算并行执行，减少了整个滤波过程需要的时钟周期数，从而提高了处理能力。因而，本发明减小了电路规模，降低了对外部存储器的带宽要求，提高了数据的吞吐率。
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公开(公告)号：CN114899098A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210358289.9
申请日：2022-04-07
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体器件表面金属电极选择性去除的方法和装置，所述半导体器件表面金属电极选择性去除的方法包括：把电源（A），阳极探针（E）、阴极探针（D）、电解液（H）和半导体芯片（J）上的金属电极（I）搭建成电解回路。本发明原理简单，通过简单的电路结构即可实现，且成本低，无需采用刻蚀等需要贵重设备的去除手段；无需制作掩模版，广泛适用于对目标区域不同的半导体芯片批量进行表面金属去除；避免了多次光刻中光刻胶质量问题对半导体芯片上目标区域之外的部分产生影响。本发明提出的半导体器件表面金属电极选择性去除的装置可结合自动探针台等辅助机械装置，实现自动定位和去除，可操作性强，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN113702797B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111259329.6
申请日：2021-10-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种半导体器件驱动器的测试电路及其控制方法，能够模拟驱动器开通关断功能，电路包括：正向导通支路、反向导通支路、门极接线端和阴极接线端；正向导通支路能够正向导通百安培级脉冲电流，导通期间正向维持低阻态；反向导通支路能够在μs级时间内反向导通和关断kA级电流，导通期间反向维持低阻态；正向导通支路和反向导通支路并联，形成第一端点和第二端点；第一端点与门极接线端相连接；第二端点与阴极接线端相连接；门极接线端和阴极接线端分别用于接入驱动器的门极和阴极；其中，正向导通是指电流从所述门极接线端经过所述测试电路流向所述阴极接线端，反向导通是指电流从所述阴极接线端经过所述测试电路流向所述门极接线端。
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公开(公告)号：CN105930281B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610317626.4
申请日：2016-05-12
Applicant: 清华大学
IPC: G06F12/0862
Abstract: 本发明公开了一种以配置信息驱动数据访存模式匹配的片上缓存预取机制，包括：模式检测模块，用于基于可重构阵列的访存地址，检测当前执行的配置信息的预取模式；模式存储模块，用于存储预设时间段内使用的配置信息的预取模式；地址生成模块，用于根据存储的预取模式为再次在可重构阵列上执行的配置信息产生数据预取地址；模式评估模块，用于计算存储的预取模式的预取准确度，以检测出失效的预取模式并更新。本发明实施例的片上缓存预取机制，在预取准确度超过一定的阈值时，按照预取模版获取预取数据，提高了预取的准确度和性能，进一步提高了系统性能，简单易实现。
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