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发明公开
一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法审中-实审

公开(公告)号：CN113972305A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111235384.1

申请日：2021-10-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 甘霖 , 张聃旸 , 宁存政

IPC: H01L33/00 , H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法，依次包括以下步骤：清洗衬底片；用机械剥离法将hBN材料转移到衬底片上；紫外臭氧机处理；飞秒激光脉冲加工hBN材料；紫外臭氧机处理；退火处理。本发明涉及的利用六方氮化硼制备单光子源的方法基于飞秒激光脉冲工艺实现高效率的空间位置可控的单光子源的制作，加工制备的单光子源的具有亮度高、纯度高及室温工作的特性，且不需要较高的生产成本。

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