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公开(公告)号：CN109343025A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201810920400.2
申请日：2018-08-14
Applicant: 清华大学 , 清华大学天津电子信息研究院
IPC: G01S7/481
Abstract: 本发明公开了一种激光雷达的发射系统、探测系统及探测方法，本发明实施例采用了离散光束发射技术与相控阵式扫描技术相结合的激光雷达发射系统及方法，且本发明实施例采用APD阵列探测技术及在发射中采用的光学相控阵扫描技术相结合实现激光光束回波信号的探测，从而既提高探测精度又提高探测距离。
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公开(公告)号：CN109343025B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201810920400.2
申请日：2018-08-14
Applicant: 清华大学 , 清华大学天津电子信息研究院
IPC: G01S7/481
Abstract: 本发明公开了一种激光雷达的发射系统、探测系统及探测方法，本发明实施例采用了离散光束发射技术与相控阵式扫描技术相结合的激光雷达发射系统及方法，且本发明实施例采用APD阵列探测技术及在发射中采用的光学相控阵扫描技术相结合实现激光光束回波信号的探测，从而既提高探测精度又提高探测距离。
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公开(公告)号：CN119277854A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411332632.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种基于啁啾布拉格反射镜的谐振增强型台面型光电探测器，包括：由上至下依次形成的在P型欧姆接触层上的高反射结构、P型外延层、梯度掺杂吸收层、在N型欧姆接触上的环形金属电极、N型外延层、啁啾布拉格反射镜和半绝缘磷化铟衬底。由此，打破了常规谐振增强型台面型光电探测器的响应效率和带宽制约关系。
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公开(公告)号：CN114914783B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210368739.2
申请日：2022-04-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了基于模间布里渊散射的布里渊激光器及其制备方法，所述布里渊激光器包括衬底；腐蚀牺牲层；波导层，波导层设置在腐蚀牺牲层的远离衬底的表面；直条形光波导，直条形光波导设置在波导层的远离衬底的表面；环形波导层，环形波导层设置在波导层的远离衬底的表面，环形波导层的正下方设置有空气包层，空气包层与环形波导层正下方的波导层直接接触；环形波导层以及环形波导层正下方的波导层共同形成环形谐振腔，环形波导层设置在直条形光波导中的泵浦光能耦合进环形谐振腔的范围内，环形波导层的几何中心与环形波导层最边缘的距离小于1000μm。本发明解决了小半径环形谐振腔中实现高功率布里渊激光的问题。
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公开(公告)号：CN117309331A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311304885.X
申请日：2023-10-10
Applicant: 清华大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请涉及激光器性能测试技术领域，特别涉及一种激光器相对强度噪声的测试系统及方法，其中，系统包括：光电探测器用于接收待测激光器的光信号，并将光信号转换为电信号；信号处理电路用于对电信号进行信号处理，获得处理后的电信号；频谱分析仪用于对处理后的电信号进行谱密度分析，获得待测激光器的谱密度，并根据谱密度得到待测激光器的相对强度噪声。由此，解决了相关技术中针对低相对强度噪声、小输入光功率的情况，造成相对强度噪声项远小于散粒噪声项，增加了二次拟合系数的不确定性，导致测试的精度较低，降低测试系统的精确性，且测试步骤较为繁琐，降低了测试的简洁性的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952398A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910411454.0
申请日：2019-05-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种平衡探测器及其制备方法，涉及相干光通信器件技术。其中，该平衡探测器，包括衬底、第一探测器本体、第二探测器本体、第一PN结结构和第二PN结结构；第一探测器本体和第二探测器本体之间通过导线连接，用于光电信号的探测；第一PN结结构位于第一探测器本体和衬底之间；第二PN结结构位于第二探测器本体和衬底之间；第一PN结结构和第二PN结结构，用于对第一探测器本体和第二探测器本体之间通过衬底产生的暗电流进行隔离。本申请利用位于探测器本体与衬底之间的PN结结构，在对探测器本体之间产生的暗电流进行有效的隔离，提升平衡探测器在探测微弱信号的情况下的共模抑制比和噪声抑制能力，提升平衡探测器探测微弱信号的能力。
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公开(公告)号：CN107611772B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710876247.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/06 , H01S5/0625 , H01S5/12
Abstract: 本发明提出一种电吸收调制激光器及其制备方法，该电吸收调制激光器由集成在同一衬底上的分布反馈(DFB)激光器和电吸收(EA)组成，关键结构包含光栅、波导和输出光端面，其特征在于：DFB激光器的光栅为表面光栅，特别是侧向耦合表面光栅，位于电吸收调制激光器条形波导的欧姆接触层和波导上限制层两侧，从外延片表面向下延伸到波导芯层上表面；输出光端面为刻蚀形成的垂直于外延片表面的端面，无需解理就可以进行端面镀膜。本发明的优点在于：只需一次外延，且无需解理衬底就可以进行电吸收调制激光器的端面镀膜，大大简化了制作工艺，并有利于在电吸收调制激光器和其他光电子器件在同一衬底上进行集成。
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公开(公告)号：CN108169979A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711401900.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种用于栅瓣压缩的光学相控阵，由N个相控阵单元组成，N个相控阵单元在平面上排布为圆环形，N为自然数；每个相控阵单元包括1个用于调节该相控阵单元附加相位的相位调制器和1个用于调节场强幅度的注入锁定激光器；所述相位调制器的第一端朝向圆环形圆心的外侧具有波导发射单元；所述相位调制器的第二端朝向圆环形圆心的内侧波导连接有所述注入锁定激光器。采用本发明实现了对栅瓣强度的压缩。
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公开(公告)号：CN105648523A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610119138.2
申请日：2016-03-02
Applicant: 清华大学
IPC: C30B25/08 , C23C16/513
CPC classification number: C30B25/08 , C23C16/513
Abstract: 本发明提出一种等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置，包括：真空反应腔；样品台，可旋转，位于真空反应腔的底部；等离子体激发单元，位于真空反应腔的顶部；隔板，将真空室沿垂直方向分成两个腔室；第一气路和第二气路，用于向两个腔室分别通入第一类气态反应源和第二类气态反应源；其中，等离子体激发单元用于激发第一气态类反应源和第二类气态反应源电离分解，隔板防止两类气态反应源在衬底以外的表面发生预反应，旋转样品台形成外延生长所需要的层流，并让样品表面交替吸附第一类、第二类气态反应源分解形成的原子。本发明的外延生长装置具有生长温度不受限于气态反应源分解温度、适合于大面积廉价衬底的优点。
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公开(公告)号：CN102419460B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110276131.9
申请日：2011-09-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层，所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为：S1：一次外延依次生长下波导包层、第一波导芯层、隔离层以及第二波导芯层；S2：对所述第二波导芯层进行处理，形成宽度渐变段；S3：进行二次外延形成上波导包层。所述半导体光电子器件包括电吸收调制器或光探测器，所述耦合波导第二波导芯层与所述电吸收调制器或光探测器对应部分的横向宽度沿导光方向逐渐变窄。本发明可以根据需要对耦合波导各处横向光场的分布进行调整，进而优化器件光限制因子的分布。
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