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公开(公告)号：CN119325751A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380044485.1
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H10F30/20
Abstract: 一种半导体受光元件(1)，包括：基板(10)；半导体层叠部(20)，其在上述基板(10)上形成，具有上述基板(10)侧的背面(10b)、与上述基板(10)相反侧的表面(10a)和从上述背面(10b)向上述表面(10a)延伸的侧面(20s)，上述半导体层叠部(20)包含含有InxGa1‑xAs的第1导电类型的光吸收层(23)；设置在上述基板(10)与上述光吸收层(23)之间的上述第1导电类型的光波导层(21、22)和相对于上述光吸收层(23)位于与上述基板(10)相反侧并且与上述光吸收层(23)接合的与上述第1导电类型不同的第2导电类型的第1半导体层(24)，上述光吸收层(23)中的In组成x为0.55以上，上述光吸收层(23)的厚度为1.8μm以下，半导体受光元件(1)是从上述侧面(20s)接受上述光的入射的侧面入射型，从上述侧面(20s)入射的上述光经由上述光波导层(21、22)到达上述光吸收层(23)。
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公开(公告)号：CN119183613A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202380040000.1
申请日：2023-01-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 半导体受光元件(1)包括：接受光的入射的表面(1a)；第1导电类型的第1半导体层(21)；在上述第1半导体层(21)的上述表面(1a)侧层叠于上述第1半导体层(21)，具有比上述第1半导体层(21)的带隙能量大的带隙能量的上述第1导电类型的第2半导体层(22)；和以从上述表面(1a)向上述第2半导体层(22)侧延伸且至少到达上述第2半导体层(22)的内部的方式形成，具有与上述第1导电类型不同的第2导电类型的掺杂区域(30)，与上述表面(1a)交叉的第1方向(Z)上的上述第2半导体层(22)的厚度(T22)比上述第1方向(Z)上的第1半导体层(21)的厚度薄，上述掺杂区域(30)从上述第1方向(Z)看包含隔着间隙(30g)相对的多个部分(31)，上述间隙(30g)的宽度(G30)大于上述第1方向(Z)上的上述第2半导体层(22)的厚度(T22)。
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公开(公告)号：CN119318223A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044410.3
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H10F30/22
Abstract: 本发明的一种半导体受光元件(1)，其具备基板、和形成于上述基板上且包含上述基板侧的背面、上述基板的相反侧的表面、以及从上述背面朝向上述表面延伸的侧面(20s)的半导体层叠部(20)，上述半导体层叠部(20)包括包含InxGa1‑xAs的第一导电型的光吸收层(23)、设置于上述基板和上述光吸收层(23)之间的上述第一导电型的缓冲层、以及相对于上述光吸收层(23)位于上述基板的相反侧并且与上述光吸收层(23)接合的与上述第一导电型不同的第二导电型的第一半导体层(24、25)，上述光吸收层(23)中的In组成x为0.55以上，上述光吸收层(23)的厚度为1.8μm以下，上述半导体受光元件为从上述侧面(20s)接收上述光的入射的侧面入射型，沿着上述光相对于上述侧面(20s)的入射方向的上述光吸收层(23)的宽度为10μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112868108B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201980068249.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种光检测元件，具备：半导体基板、形成于半导体基板上的第一导电型的光吸收层、形成于光吸收层上的第一导电型的盖层，以及形成于盖层内，与盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域。形成于半导体区域的周围的耗尽层，在不向pn结施加反方向偏置的情况下，未达到光吸收层，在向pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从盖层侧超过光吸收层的厚度的50％的位置。
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公开(公告)号：CN119318222A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044387.8
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的一种半导体受光元件(1)，其具备基板(10)、形成于上述基板(10)的第一区域(RB)上的半导体层叠部(20)、以及与上述半导体层叠部(20)电连接的第一电极(40)及第二电极(50)，上述半导体层叠部(20)包括包含InxGa1‑xAs的第一导电型的光吸收层(24)、设置于上述基板(10)和上述光吸收层(24)之间的上述第一导电型的缓冲层(30)、以及相对于上述光吸收层(24)位于上述基板(10)的相反侧并且与上述光吸收层(24)接合的与上述第一导电型不同的第二导电型的第二区域(27)，上述光吸收层(24)中的In组成x为0.55以上，上述光吸收层(24)的厚度为0.6μm以上且1.8μm以下，半导体受光元件(1)为从上述基板(10)侧朝向上述半导体层叠部(20)接受上述光的入射的背面入射型、或从上述基板的相反侧朝向上述半导体层叠部接受上述光的入射的表面入射型。
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公开(公告)号：CN119318221A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044320.4
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H10F30/20
Abstract: 本发明的半导体受光元件(1)具备：基板(10)、形成于所述基板(10)上的半导体层叠部(20)、以及与所述半导体层叠部(20)电连接的第一电极(40)及第二电极(50)，所述半导体层叠部(20)具有：包含InGaAs且包含第一导电型的第一区域(24a)的光吸收层(24)、位于所述基板(10)和所述光吸收层(24)之间的第一半导体层(S1)、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧的第二半导体层(S2)、以及由InP、InGaAsP、InAsP、及AlInGaAs中的任意构成并且位于所述第一半导体层(S1)及所述第二半导体层(S2)中的一个半导体层和所述光吸收层(24)之间的所述第一导电型的电容降低层(23)，所述电容降低层(23)的载流子浓度为5×1015cm‑3以下，且比所述光吸收层(24)的所述第一区域(24a)的载流子浓度高，所述电容降低层(23)的带隙大于所述光吸收层(24)的带隙。
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公开(公告)号：CN116569344A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180081005.X
申请日：2021-11-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明的半导体受光元件(1)包括：基板(10)；半导体层叠部(20)，其形成在所述基板(10)的第1区域(RB)上；和第1电极(40)和第2电极(50)，它们与所述半导体层叠部(20)电连接，所述半导体层叠部(20)包含：第1导电型的光吸收层(24)，其包含InxGa1‑xAs；和与所述第1导电型不同的第2导电型的第2区域(27)，其相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧，并且与所述光吸收层(24)接合，所述第1电极(40)与所述半导体层叠部(20)中的、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)侧的所述第1导电型的第1部分(31)连接，所述第2电极(50)与所述半导体层叠部(20)中的、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧的所述第2导电型的第2部分(27)连接，所述光吸收层(24)的In组成x为0.55以上，所述光吸收层(24)的厚度为1.8μm以下。
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公开(公告)号：CN112868108A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980068249.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种光检测元件，具备：半导体基板、形成于半导体基板上的第一导电型的光吸收层、形成于光吸收层上的第一导电型的盖层，以及形成于盖层内，与盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域。形成于半导体区域的周围的耗尽层，在不向pn结施加反方向偏置的情况下，未达到光吸收层，在向pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从盖层侧超过光吸收层的厚度的50％的位置。
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