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公开(公告)号：CN116569344A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180081005.X
申请日：2021-11-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明的半导体受光元件(1)包括：基板(10)；半导体层叠部(20)，其形成在所述基板(10)的第1区域(RB)上；和第1电极(40)和第2电极(50)，它们与所述半导体层叠部(20)电连接，所述半导体层叠部(20)包含：第1导电型的光吸收层(24)，其包含InxGa1‑xAs；和与所述第1导电型不同的第2导电型的第2区域(27)，其相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧，并且与所述光吸收层(24)接合，所述第1电极(40)与所述半导体层叠部(20)中的、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)侧的所述第1导电型的第1部分(31)连接，所述第2电极(50)与所述半导体层叠部(20)中的、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧的所述第2导电型的第2部分(27)连接，所述光吸收层(24)的In组成x为0.55以上，所述光吸收层(24)的厚度为1.8μm以下。
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公开(公告)号：CN111630354B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201980009397.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J11/00 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N25/79
Abstract: 光检测装置(1)具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。电路基板(50)具有多个时间测量电路(40)及时钟驱动器(35)。各时间测量电路(40)具有延迟线部，根据延迟线(47)的动作结果，取得表示自对应的雪崩光电二极管(20)输入脉冲信号的时机的时间信息。延迟线部对应于脉冲信号输入到该时间测量电路(40)而开始延迟线(47)的动作，对应于来自时钟驱动器(35)的时钟信号输入到该时间测量电路(40)而停止延迟线(47)的动作，通过延迟线(47)的动作检测较时钟信号的周期短的时间间隔。
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公开(公告)号：CN111630355A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009407.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J11/00 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N5/378
Abstract: 光检测装置具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。在雪崩光电二极管阵列基板(10)，二维排列有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(20)。电路基板(50)具有互相并联连接并形成至少1个信道(40)的多个输出单元(30)。各输出单元(30)具有被动淬灭元件(31)及电容元件(32)。被动淬灭元件(31)与多个雪崩光电二极管(20)的至少一个串联连接。电容元件(32)与至少1个雪崩光电二极管(20)串联连接且与被动淬灭元件(31)并联连接。
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公开(公告)号：CN119318222A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044387.8
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的一种半导体受光元件(1)，其具备基板(10)、形成于上述基板(10)的第一区域(RB)上的半导体层叠部(20)、以及与上述半导体层叠部(20)电连接的第一电极(40)及第二电极(50)，上述半导体层叠部(20)包括包含InxGa1‑xAs的第一导电型的光吸收层(24)、设置于上述基板(10)和上述光吸收层(24)之间的上述第一导电型的缓冲层(30)、以及相对于上述光吸收层(24)位于上述基板(10)的相反侧并且与上述光吸收层(24)接合的与上述第一导电型不同的第二导电型的第二区域(27)，上述光吸收层(24)中的In组成x为0.55以上，上述光吸收层(24)的厚度为0.6μm以上且1.8μm以下，半导体受光元件(1)为从上述基板(10)侧朝向上述半导体层叠部(20)接受上述光的入射的背面入射型、或从上述基板的相反侧朝向上述半导体层叠部接受上述光的入射的表面入射型。
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公开(公告)号：CN119318221A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044320.4
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H10F30/20
Abstract: 本发明的半导体受光元件(1)具备：基板(10)、形成于所述基板(10)上的半导体层叠部(20)、以及与所述半导体层叠部(20)电连接的第一电极(40)及第二电极(50)，所述半导体层叠部(20)具有：包含InGaAs且包含第一导电型的第一区域(24a)的光吸收层(24)、位于所述基板(10)和所述光吸收层(24)之间的第一半导体层(S1)、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧的第二半导体层(S2)、以及由InP、InGaAsP、InAsP、及AlInGaAs中的任意构成并且位于所述第一半导体层(S1)及所述第二半导体层(S2)中的一个半导体层和所述光吸收层(24)之间的所述第一导电型的电容降低层(23)，所述电容降低层(23)的载流子浓度为5×1015cm‑3以下，且比所述光吸收层(24)的所述第一区域(24a)的载流子浓度高，所述电容降低层(23)的带隙大于所述光吸收层(24)的带隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112313543B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201980042656.0
申请日：2019-02-21
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 放射线检测器具备：基板，其具有第1电极部；放射线吸收层，其相对于基板配置于一侧，且由多个钙钛矿晶体构成；及第2电极部，其相对于放射线吸收层配置于一侧，且经由放射线吸收层与第1电极部相对。在放射线吸收层中第1电极部与第2电极部之间的区域上，多个钙钛矿晶体分别以将第1电极部与第2电极部相对的第1方向作为长边方向而延伸的方式形成。
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公开(公告)号：CN111630354A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009397.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J11/00 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N5/378
Abstract: 光检测装置(1)具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。电路基板(50)具有多个时间测量电路(40)及时钟驱动器(35)。各时间测量电路(40)具有延迟线部，根据延迟线(47)的动作结果，取得表示自对应的雪崩光电二极管(20)输入脉冲信号的时机的时间信息。延迟线部对应于脉冲信号输入到该时间测量电路(40)而开始延迟线(47)的动作，对应于来自时钟驱动器(35)的时钟信号输入到该时间测量电路(40)而停止延迟线(47)的动作，通过延迟线(47)的动作检测较时钟信号的周期短的时间间隔。
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公开(公告)号：CN119318223A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044410.3
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H10F30/22
Abstract: 本发明的一种半导体受光元件(1)，其具备基板、和形成于上述基板上且包含上述基板侧的背面、上述基板的相反侧的表面、以及从上述背面朝向上述表面延伸的侧面(20s)的半导体层叠部(20)，上述半导体层叠部(20)包括包含InxGa1‑xAs的第一导电型的光吸收层(23)、设置于上述基板和上述光吸收层(23)之间的上述第一导电型的缓冲层、以及相对于上述光吸收层(23)位于上述基板的相反侧并且与上述光吸收层(23)接合的与上述第一导电型不同的第二导电型的第一半导体层(24、25)，上述光吸收层(23)中的In组成x为0.55以上，上述光吸收层(23)的厚度为1.8μm以下，上述半导体受光元件为从上述侧面(20s)接收上述光的入射的侧面入射型，沿着上述光相对于上述侧面(20s)的入射方向的上述光吸收层(23)的宽度为10μm以下。
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公开(公告)号：CN116845125A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310802726.6
申请日：2019-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146 , G01J1/42 , G01J11/00
Abstract: 光检测装置具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。在雪崩光电二极管阵列基板(10)，二维排列有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(20)。电路基板(50)具有互相并联连接并形成至少1个信道(40)的多个输出单元(30)。各输出单元(30)具有被动淬灭元件(31)及电容元件(32)。被动淬灭元件(31)与多个雪崩光电二极管(20)的至少一个串联连接。电容元件(32)与至少1个雪崩光电二极管(20)串联连接且与被动淬灭元件(31)并联连接。
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公开(公告)号：CN112313543A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980042656.0
申请日：2019-02-21
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 放射线检测器具备：基板，其具有第1电极部；放射线吸收层，其相对于基板配置于一侧，且由多个钙钛矿晶体构成；及第2电极部，其相对于放射线吸收层配置于一侧，且经由放射线吸收层与第1电极部相对。在放射线吸收层中第1电极部与第2电极部之间的区域上，多个钙钛矿晶体分别以将第1电极部与第2电极部相对的第1方向作为长边方向而延伸的方式形成。
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