-
公开(公告)号：CN119582323A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411752474.1
申请日：2024-12-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种计及光伏不确定性的分布式光伏储能打捆规划方法，基于分布鲁棒优化算法构建光伏出力不确定概率分布集，并依此生成典型场景和极端场景。面向不同场景构建一个分布式光伏与储能协同规划二阶锥模型，以光伏与储能的经济成本和配电网电压偏差为优化目标，并内嵌考虑光伏出力不确定性的并网点短路电流约束。通过短路电流校核结果构建割平面，提出一种C&CG算法求解模型。本发明构建不确定概率分布集，结合场景发生概率实现分布式光伏与储能打捆规划，提高光伏的可接入容量并稳定配电网电压，模型以总经济成本和电压偏差量最小为优化目标并满足短路电流约束，规划方案具有经济性最优和电压稳定的优势以及较强的可信力。
-
公开(公告)号：CN109736329B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910122013.9
申请日：2019-02-18
Applicant: 浙江大学城市学院
Abstract: 本发明涉及自动化防隆起的能源基坑围护结构，包括挡墙、导热管、拼装式盖板、热交换管路、弧形连接管、泵机、地源热泵机组、泥水分离器与水箱、供水管和回水管；基坑通过挡墙围护，挡墙内部设置工字钢，工字钢内侧设置导热管，导热管底端到达基坑底部，导热管顶端接入供水管和回水管并与基坑外部的泵机、地源热泵机组和泥水分离器与水箱串联成回路；基坑底部覆盖拼装式盖板，拼装式盖板两侧通过固定端插头与两侧挡墙的槽口连接固定。本发明的有益效果是：拼装式盖板施工便捷，可快速反压；浆液循环系统自动排出隆起土粒，释放土压力；基坑结构循环采取地热能，用于周边供热或制冷；装配式设计高效灵活，便于底层盖板的功能转换。
-
公开(公告)号：CN115799071A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211613280.4
申请日：2022-12-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种基于氧清除技术提高氧化铪基铁电晶体管铁电性能的方法。该方法包括：在氧化铪基铁电晶体管的栅极制作过程中，在衬底上依次沉积栅极介质、顶电极、氧清除金属层、隔离层，栅极介质为氧化铪基铁电材料，在全部沉积后进行退火处理，在退火处理后，通过光刻、刻蚀去除顶电极、氧清除金属层和隔离层，重新生长顶电极，得到顶电极‑栅极介质‑衬底的栅极结构。本发明在氧化铪基铁电晶体管工艺中引入氧清除技术，使氧化铪基铁电材料形成更多的铁电相，诱导氧化铪基栅极介质产生更大的剩余极化值，从而提高氧化铪基铁电晶体管的铁电性能。
-
公开(公告)号：CN111210860B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201911418138.2
申请日：2019-12-31
Applicant: 浙江大学
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明公开了一种基于3D MOS器件的三态内容可寻址存储器，该3D MOS器件由依次接触的金属层、记忆层、整流层和半导体层构成，各层沿不同方向搭建，形成一个三维立体结构；该三态内容可寻址存储器由若干存储单元呈阵列排列构成，同一行的所有存储单元连接同一匹配线，同一列的所有存储单元连接同一对互补的信号搜索线。通过对不同时钟周期内所有信号搜索线和匹配线上电压大小进行设定，可以改变一行或一列3D MOS器件的开关状态，完成数据写入。本发明采用非易失性存储器技术，具有能耗低和体积小等优点；本发明存储器单元结构简单，可以有效降低电路和版图设计成本，简化制备工艺；与传统CMOS工艺兼容，对于存储技术和存储器的发展有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN109853532B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910158911.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 浙江大学城市学院
Abstract: 本发明涉及一种超声波扰动清洁护壁泥浆沉底装置及施工方法，包括超声发生器、震动面钢板、卡扣、作业平台、监测导管和超声换能器；震动面钢板中心预留有孔洞，震动面钢板底部呈圆周均匀分布有超声换能器；卡扣中心预留有贯通的孔洞，卡扣上端设有细长杆，卡扣下端与震动面钢板中心孔洞相匹配；施工孔周围浇筑有作业平台，作业平台上表面设有与卡扣的细长杆相匹配的凹槽，震动面钢板通过卡扣安装于作业平台上；监测导管穿过卡扣和震动面钢板的中心孔洞。本发明的有益效果是：本发明通过电源(超声波控制箱)经过换能器产生高频振动，人为制造低压强、高流速的状态使泥浆不易沉底凝结，达到使用目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109994145B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910214258.4
申请日：2019-03-20
Applicant: 浙江大学
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明公开了一种金属绝缘层金属结构的产热时间提取方法。本发明通过使用超快电压脉冲，使得器件可以发生本征电击穿。改变脉冲时间宽度，可以调节器件在击穿过程中的温度，并使得器件发生热击穿。将超快脉冲的结果和低速脉冲的结果对比，击穿电压和脉冲宽度的关系中的拐点记为器件的产热时间常数。本发明基于击穿的发生机理，因而对于各种寄生效应较不敏感，具有较高的鲁棒性。本发明方法能够得到较为准确的产热时间常数，将有助于电路设计中的热仿真，从而改进电路的可靠性。
-
公开(公告)号：CN109065613B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810758788.0
申请日：2018-07-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种竖直结构锗沟道场效应晶体管器件的制造方法。首先在衬底上沉积锗薄膜和镍薄膜，并通过退火形成镍锗合金薄膜作为器件的源极；其次在源极上沉积第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜；刻蚀第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜形成沟道孔洞，并氧化沟道孔洞内壁的氮化铪生成氧氮化铪或氧化铪，作为器件的栅绝缘层；在沟道孔洞中沉积非晶锗，并通过退火使锗结晶形成器件的沟道；最后在沟道上方沉积镍薄膜并退火形成镍锗合金作为器件的漏极。本发明采用先制备栅极堆垛再制备沟道的方法，充分降低了制备竖直结构器件过程中的工艺难度，降低了工艺成本，制得的器件具有驱动电流大、集成密度高等优势。
-
公开(公告)号：CN110346703B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910585505.1
申请日：2019-07-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于消除超快速半导体元器件测试中寄生电容影响的方法。该方法通过调整半导体元器件校准电压测试条件，提取寄生电容在超快速测试中对于器件特性表征的影响，再经过数学运算抵消半导体元器件本身寄生电容及系统部件的寄生电容的影响，得到准确的测量结果。本发明创新在于通过调整校准测试电压条件定量提取寄生电容对超快速测试的影响并抵消，实现信号校准。本发明方法可适用于高性能平面晶体管，鳍式立体栅极、环栅结构场效应晶体管等其他半导体元器件的电学特性研究，操作简单，精度高，效果显著，为SHE(自热效应)、NBTI(负偏压温度不稳定性)、HCI(热载流子注入效应)等器件可靠性测试提供强有力的支持。
-
公开(公告)号：CN109884495B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910280855.7
申请日：2019-04-09
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种晶体管弹道输运效率的准确提取与预测方法，包括：在不同的环境温度下，获得晶体管的转移特性IDS‑VGS曲线，提取不同温度下的阈值电压Vth和饱和源漏电流IDsat，通过研究阈值电压、饱和源漏电流的变化分别与温度的依存关系，计算背散射效率rsat和弹道输运效率Bsat；通过测量和计算获取不同沟道长度的晶体管的弹道输运效率，构建获得更短沟道长度弹道输运效率的预测模型。本发明能够获得准确的弹道输运效率参数，并对更短沟道的晶体管的弹道输运效率进行预测，为短沟道器件关键参数的提取与建模提供了一种解决方。本发明适用于以硅、锗、III‑V族化合物为载流子沟道的高性能平面晶体管、鳍式立体栅极和环栅‑纳米线结构的晶体管。
-
公开(公告)号：CN108400232B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810201506.7
申请日：2018-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件及其制造方法。该压力传感器件包括n型掺杂的锗衬底，锗衬底上表面设置绝缘层，绝缘层上开有贯穿的接触电极凹槽和测试电极凹槽，接触电极凹槽和测试电极凹槽下方的锗衬底中分别设置n型重掺杂区域和镍锗合金区域，镍锗合金区域和锗衬底构成镍锗合金/锗肖特基结结构，镍锗合金区域上设置测试电极，n型重掺杂区域上设置接触电极；本发明利用应变状态下锗材料的能带变化形成势垒高度不同的镍锗硅合金/锗肖特基结，从而改变镍锗硅合金/锗肖特基结在反偏压状态下的电阻，实现压力值的传感。本发明传感器具有灵敏度高、器件尺寸小、易于在集成电路芯片中集成等优势，应用前景广阔。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
94
records
(took 0.027 seconds)
