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公开(公告)号：CN108493112A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810200345.X
申请日：2018-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/04 , H01L29/10 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种叠层式多晶硅场效应晶体管器件的制造方法。首先在绝缘衬底上依次交替沉积隔离层薄膜和非晶硅薄膜，形成隔离层薄膜和非晶硅薄膜的叠层结构；其次刻蚀隔离层薄膜和非晶硅薄膜形成器件的沟道区域，并在沟道区域两侧沉积重掺杂非晶硅形成器件的源漏区域；然后通过退火使沟道区域和源漏区域中的非晶硅结晶转变为多晶硅，并刻蚀除去隔离层薄膜；最后在沟道区域和源漏区域表面依次沉积栅绝缘层和金属栅层，并通过刻蚀栅绝缘层和金属栅层形成栅极区域，最终形成叠层式多晶硅场效应晶体管器件。本发明具有驱动电流大、器件尺寸小、与现有多晶硅场效应晶体管制造工艺兼容等优势，在柔性电子、透明显示和屏上系统等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108400232A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810201506.7
申请日：2018-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件及其制造方法。该压力传感器件包括n型掺杂的锗衬底，锗衬底上表面设置绝缘层，绝缘层上开有贯穿的接触电极凹槽和测试电极凹槽，接触电极凹槽和测试电极凹槽下方的锗衬底中分别设置n型重掺杂区域和镍锗合金区域，镍锗合金区域和锗衬底构成镍锗合金/锗肖特基结结构，镍锗合金区域上设置测试电极，n型重掺杂区域上设置接触电极；本发明利用应变状态下锗材料的能带变化形成势垒高度不同的镍锗硅合金/锗肖特基结，从而改变镍锗硅合金/锗肖特基结在反偏压状态下的电阻，实现压力值的传感。本发明传感器具有灵敏度高、器件尺寸小、易于在集成电路芯片中集成等优势，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN108400232B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810201506.7
申请日：2018-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件及其制造方法。该压力传感器件包括n型掺杂的锗衬底，锗衬底上表面设置绝缘层，绝缘层上开有贯穿的接触电极凹槽和测试电极凹槽，接触电极凹槽和测试电极凹槽下方的锗衬底中分别设置n型重掺杂区域和镍锗合金区域，镍锗合金区域和锗衬底构成镍锗合金/锗肖特基结结构，镍锗合金区域上设置测试电极，n型重掺杂区域上设置接触电极；本发明利用应变状态下锗材料的能带变化形成势垒高度不同的镍锗硅合金/锗肖特基结，从而改变镍锗硅合金/锗肖特基结在反偏压状态下的电阻，实现压力值的传感。本发明传感器具有灵敏度高、器件尺寸小、易于在集成电路芯片中集成等优势，应用前景广阔。
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