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公开(公告)号：CN109994145B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910214258.4
申请日：2019-03-20
Applicant: 浙江大学
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明公开了一种金属绝缘层金属结构的产热时间提取方法。本发明通过使用超快电压脉冲，使得器件可以发生本征电击穿。改变脉冲时间宽度，可以调节器件在击穿过程中的温度，并使得器件发生热击穿。将超快脉冲的结果和低速脉冲的结果对比，击穿电压和脉冲宽度的关系中的拐点记为器件的产热时间常数。本发明基于击穿的发生机理，因而对于各种寄生效应较不敏感，具有较高的鲁棒性。本发明方法能够得到较为准确的产热时间常数，将有助于电路设计中的热仿真，从而改进电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN109859788A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910134609.0
申请日：2019-02-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种阻式存储器的误码率测试方法。存储器的商业化应用需要保证极低的误码率，这一测试需要重复大量的擦写过程并进行分析，从而需要大量的时间，因此对此过程进行加速是有意义的。本发明利用任意波形发生器调节读取波形的长度为特定值，从而在和选取信号在示波器内点积后能够生成一个只包含读取信息的特定波形。这一特定波形允许在调节示波器采样率后滤去读取信息以外的波形，将信息的冗余度降到理论最低值，从而增大了误码率测试的通量。
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公开(公告)号：CN110390074B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910586215.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种阻式存储器的计算系统。在神经网络及科学计算中，需要进行大量的矩阵运算，由此将会带来大量数据的搬运，以及对数据所进行的大量运算。这二者会消耗计算系统中有限的数据带宽(总线资源)以及计算资源。通过将存储器重构为计算模块，计算能力和数据带宽均会极大增加。本发明利用晶体管的栅控能力，以及存储器阻值本身调制电流大小的能力，实现了与和异或操作，以及模拟的乘法操作。这一重构能够极大地降低计算的成本，从而增强神经网络等天然具有并行性的任务的计算能力。由于与和异或能够构成完备的布尔逻辑，本发明还可以实现完备布尔逻辑。
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公开(公告)号：CN109859788B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910134609.0
申请日：2019-02-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种阻式存储器的误码率测试方法。存储器的商业化应用需要保证极低的误码率，这一测试需要重复大量的擦写过程并进行分析，从而需要大量的时间，因此对此过程进行加速是有意义的。本发明利用任意波形发生器调节读取波形的长度为特定值，从而在和选取信号在示波器内点积后能够生成一个只包含读取信息的特定波形。这一特定波形允许在调节示波器采样率后滤去读取信息以外的波形，将信息的冗余度降到理论最低值，从而增大了误码率测试的通量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109959850B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201910214269.2
申请日：2019-03-20
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种测量结型器件温度及自热效应的方法。传统的测试方法只能测得器件的平均温度。随着电路的频率不断增大，平均温度和瞬时温度的差异不断扩大，相应的，器件的参数在两种情况下的偏差进一步增大。本发明利用瞬时的电学响应和温度间的关系，得到器件在任意时刻的温度。通过高速的脉冲，探测过程对于原有状态的影响可以进一步减小。通过使用磁隧穿结在平行态下电阻不随温度和电压改变的性质，可以获得施加在器件上的真实电压，这一过程能够消除电压幅值不稳定所引入的测试误差，从而获得准确的器件温度变化。本发明方法能够使得对于结型器件的参数表征更加准确，从而使得器件与电路设计得到改善。
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公开(公告)号：CN111191776A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911323784.0
申请日：2019-12-19
Applicant: 浙江大学 , 杭州闪亿半导体有限公司
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提供一种存储计算阵列及模组、数据计算方法，采用存储单元形成用于计算的阵列，存储单元由依次串接的存储节点组成，存储节点包括开关器件和阻式存储器，开关器件与阻式存储器串联或并联，存储单元的写入阻值通过控制开关器件的开关状态来改变阻式存储器的阻态而确定。由于阻式存储器具有不同的阻态，可以通过开关器件的开关状态使得阻式存储器处于不同的阻态，使得存储单元处于所需的写入阻值，从而，可以快速的实现存储节点的写入操作。
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公开(公告)号：CN109994145A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910214258.4
申请日：2019-03-20
Applicant: 浙江大学
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明公开了一种金属绝缘层金属结构的产热时间提取方法。本发明通过使用超快电压脉冲，使得器件可以发生本征电击穿。改变脉冲时间宽度，可以调节器件在击穿过程中的温度，并使得器件发生热击穿。将超快脉冲的结果和低速脉冲的结果对比，击穿电压和脉冲宽度的关系中的拐点记为器件的产热时间常数。本发明基于击穿的发生机理，因而对于各种寄生效应较不敏感，具有较高的鲁棒性。本发明方法能够得到较为准确的产热时间常数，将有助于电路设计中的热仿真，从而改进电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN109994137A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910214259.9
申请日：2019-03-20
Applicant: 浙江大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种单管单阻随机存储器阵列的快速写入方法。由于在诸如高性能计算等应用场合中，数据无法被压缩，因此存在写入具有大量冗余度的数据的需求。原有的针对单个器件进行随机访问读写的方式因而效率较低。针对这一特征，本发明使用短接阵列中的端子的方式，按照先写入一个方向的数据，再对另一方向进行写入的方式，可以实现对于写入时间的压缩。特别地，使用阵列的衬底进行这一操作，可以兼容原有阵列架构，无需引入新的互连结构。
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公开(公告)号：CN109959850A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910214269.2
申请日：2019-03-20
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种测量结型器件温度及自热效应的方法。传统的测试方法只能测得器件的平均温度。随着电路的频率不断增大，平均温度和瞬时温度的差异不断扩大，相应的，器件的参数在两种情况下的偏差进一步增大。本发明利用瞬时的电学响应和温度间的关系，得到器件在任意时刻的温度。通过高速的脉冲，探测过程对于原有状态的影响可以进一步减小。通过使用磁隧穿结在平行态下电阻不随温度和电压改变的性质，可以获得施加在器件上的真实电压，这一过程能够消除电压幅值不稳定所引入的测试误差，从而获得准确的器件温度变化。本发明方法能够使得对于结型器件的参数表征更加准确，从而使得器件与电路设计得到改善。
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