一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器

    公开(公告)号:CN110808296B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201911007238.6

    申请日:2019-10-22

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜,绝缘衬底上表面覆盖有窄带隙氮化硼薄膜,窄带隙氮化硼薄膜上表面覆盖有宽带隙氮化硼薄膜;窄带隙氮化硼薄膜中埋设有两个栅状Ti金属电极;通过调节窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜的带隙以及两者之间的带隙差,在深紫外波段调节探测器的响应波长。本发明通过带隙不同的氮化硼层状结构,实现了单色光响应,探测效果好,单色性好,可以简单实现探测器响应波长和响应带宽,提高了电极对光生载流子的收集能力。

    一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器

    公开(公告)号:CN110808296A

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201911007238.6

    申请日:2019-10-22

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜,绝缘衬底上表面覆盖有窄带隙氮化硼薄膜,窄带隙氮化硼薄膜上表面覆盖有宽带隙氮化硼薄膜;窄带隙氮化硼薄膜中埋设有两个栅状Ti金属电极;通过调节窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜的带隙以及两者之间的带隙差,在深紫外波段调节探测器的响应波长。本发明通过带隙不同的氮化硼层状结构,实现了单色光响应,探测效果好,单色性好,可以简单实现探测器响应波长和响应带宽,提高了电极对光生载流子的收集能力。

    一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法

    公开(公告)号:CN110670017B

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN201911010999.7

    申请日:2019-10-22

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法。在制备六方氮化硼薄膜过程中,通过控制六方氮化硼薄膜局域模态控制六方氮化硼薄膜带隙,局域模态包括局域c轴朝向、局域c面面积和局域c向层数,通过增大局域c轴与衬底平面夹角减小薄膜带隙,或者通过减小局域c面面积减小薄膜带隙,或者通过增加局域c向层数减小薄膜带隙。本发明方法实现了对六方氮化硼薄膜制备时进行带隙调控,以无毒无害的靶材和气体为原料,成本较低,设备简单。制备的六方氮化硼薄膜可用于紫外光传感、紫外发光、水体净化等领域。

    一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法

    公开(公告)号:CN110670017A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201911010999.7

    申请日:2019-10-22

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法。在制备六方氮化硼薄膜过程中,通过控制六方氮化硼薄膜局域模态控制六方氮化硼薄膜带隙,局域模态包括局域c轴朝向、局域c面面积和局域c向层数,通过增大局域c轴与衬底平面夹角减小薄膜带隙,或者通过减小局域c面面积减小薄膜带隙,或者通过增加局域c向层数减小薄膜带隙。本发明方法实现了对六方氮化硼薄膜制备时进行带隙调控,以无毒无害的靶材和气体为原料,成本较低,设备简单。制备的六方氮化硼薄膜可用于紫外光传感、紫外发光、水体净化等领域。

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