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公开(公告)号：CN110808296B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911007238.6
申请日：2019-10-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/103 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜，绝缘衬底上表面覆盖有窄带隙氮化硼薄膜，窄带隙氮化硼薄膜上表面覆盖有宽带隙氮化硼薄膜；窄带隙氮化硼薄膜中埋设有两个栅状Ti金属电极；通过调节窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜的带隙以及两者之间的带隙差，在深紫外波段调节探测器的响应波长。本发明通过带隙不同的氮化硼层状结构，实现了单色光响应，探测效果好，单色性好，可以简单实现探测器响应波长和响应带宽，提高了电极对光生载流子的收集能力。
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公开(公告)号：CN110364581B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910492693.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/112 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了基于场效应的上下非对称光电导型光电检测器结构。绝缘层衬底上表面依次涂覆有绝缘层和氮化硼半导体层，绝缘层内部包裹有位于绝缘层衬底上表面的金属电极，氮化硼半导体层上表面两侧分别设有正栅电极和负栅电极。光信号通过两个栅电极产生电流，金属电极通过产生的附加电场推动电子以更快的速度从负电极移向正电极，并且不产生更多的电流；通过金属电极上的扫描电压，使氮化硼半导体层电子迁移速度达到最大，从而可以通过测量氮化硼半导体层上方两个电极之间的电流大小，感知光强变化。本发明在不增加电流大小的情况下，通过绝缘层下的栅电极，产生需要的附加电场，提高载流子迁移速度，从而实现响应速度的提高，而响应幅度保持不变。
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公开(公告)号：CN110670017A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911010999.7
申请日：2019-10-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法。在制备六方氮化硼薄膜过程中，通过控制六方氮化硼薄膜局域模态控制六方氮化硼薄膜带隙，局域模态包括局域c轴朝向、局域c面面积和局域c向层数，通过增大局域c轴与衬底平面夹角减小薄膜带隙，或者通过减小局域c面面积减小薄膜带隙，或者通过增加局域c向层数减小薄膜带隙。本发明方法实现了对六方氮化硼薄膜制备时进行带隙调控，以无毒无害的靶材和气体为原料，成本较低，设备简单。制备的六方氮化硼薄膜可用于紫外光传感、紫外发光、水体净化等领域。
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公开(公告)号：CN105842637A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610270638.6
申请日：2016-04-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/032
CPC classification number: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉光学微腔的超灵敏度磁场传感器。由固定封装在一起的微纳光纤、微管和磁流体构成光学微腔，微纳光纤以螺旋方式缠绕在微管外壁，微管中空，内部封装有磁流体，微纳光纤输入、输出端分别连接宽谱光源和光谱分析仪，微纳光纤缠绕在微管外壁的部分作为光纤环绕区，电磁波在其中可发生多模干涉；电磁波由宽谱光源发出，经微纳光纤传输至光纤环绕区，光纤环绕区中电磁波的倏逝波部分能够穿过微管管壁进入磁流体，经过此光学微腔的电磁波再经微纳光纤输出至光谱分析仪。本发明中设置了将微纳光纤环绕在微管上的结构，大大增加了电磁波与磁流体的接触，从而使其具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN105785287A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610270459.2
申请日：2016-04-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/032
CPC classification number: G01R33/032 , G01R33/0052
Abstract: 本发明提供了一种基于光学微腔的超灵敏度磁场传感器。由固定封装在一起的微纳光纤、微管和磁流体而成光学微腔，微纳光纤环绕微管外壁一周，微管内部中空封装有磁流体，微纳光纤输入、出端分别连接宽谱光源和光谱分析仪，微纳光纤缠绕在微管外壁一圈并交叉重叠形成重叠区；电磁波由宽谱光源发出，经微纳光纤传输至光学微腔，再经微纳光纤输出至光谱分析仪。本发明中设置了将微纳光纤围绕微管一圈的结构，大大增加了电磁波与磁流体的接触，从而使其具有更高的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108875740B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810620803.5
申请日：2018-06-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于激光切割机的机器视觉切割方法。包括图像畸变矫正模块、图像轮廓识别模块、基于监督式机器学习的参数优化模块和切割路径生成模块；图像畸变矫正模块对采集的图像进行处理获得原始图像，图像轮廓识别模块对原始图像进行轮廓识别，切割路径生成模块根据轮廓识别结果生成激光切割机的切割路径，通过基于监督式机器学习的参数优化模块对图像轮廓识别模块进行优化，使得图像轮廓识别模块识别轮廓提取更精确。本发明方法具有操作简单、识别精度高、识别速度快等优点，能够适应复杂的生产环境，提高了激光切割机的泛用性。
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公开(公告)号：CN110670017B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201911010999.7
申请日：2019-10-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法。在制备六方氮化硼薄膜过程中，通过控制六方氮化硼薄膜局域模态控制六方氮化硼薄膜带隙，局域模态包括局域c轴朝向、局域c面面积和局域c向层数，通过增大局域c轴与衬底平面夹角减小薄膜带隙，或者通过减小局域c面面积减小薄膜带隙，或者通过增加局域c向层数减小薄膜带隙。本发明方法实现了对六方氮化硼薄膜制备时进行带隙调控，以无毒无害的靶材和气体为原料，成本较低，设备简单。制备的六方氮化硼薄膜可用于紫外光传感、紫外发光、水体净化等领域。
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公开(公告)号：CN110364581A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910492693.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/112 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了基于场效应的上下非对称光电导型光电检测器结构。绝缘层衬底上表面依次涂覆有绝缘层和氮化硼半导体层，绝缘层内部包裹有位于绝缘层衬底上表面的金属电极，氮化硼半导体层上表面两侧分别设有正栅电极和负栅电极。光信号通过两个栅电极产生电流，金属电极通过产生的附加电场推动电子以更快的速度从负电极移向正电极，并且不产生更多的电流；通过金属电极上的扫描电压，使氮化硼半导体层电子迁移速度达到最大，从而可以通过测量氮化硼半导体层上方两个电极之间的电流大小，感知光强变化。本发明在不增加电流大小的情况下，通过绝缘层下的栅电极，产生需要的附加电场，提高载流子迁移速度，从而实现响应速度的提高，而响应幅度保持不变。
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公开(公告)号：CN105842637B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610270638.6
申请日：2016-04-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉光学微腔的超灵敏度磁场传感器。由固定封装在一起的微纳光纤、微管和磁流体构成光学微腔，微纳光纤以螺旋方式缠绕在微管外壁，微管中空，内部封装有磁流体，微纳光纤输入、输出端分别连接宽谱光源和光谱分析仪，微纳光纤缠绕在微管外壁的部分作为光纤环绕区，电磁波在其中可发生多模干涉；电磁波由宽谱光源发出，经微纳光纤传输至光纤环绕区，光纤环绕区中电磁波的倏逝波部分能够穿过微管管壁进入磁流体，经过此光学微腔的电磁波再经微纳光纤输出至光谱分析仪。本发明中设置了将微纳光纤环绕在微管上的结构，大大增加了电磁波与磁流体的接触，从而使其具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN105785287B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610270459.2
申请日：2016-04-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供了一种基于光学微腔的超灵敏度磁场传感器。由固定封装在一起的微纳光纤、微管和磁流体而成光学微腔，微纳光纤环绕微管外壁一周，微管内部中空封装有磁流体，微纳光纤输入、出端分别连接宽谱光源和光谱分析仪，微纳光纤缠绕在微管外壁一圈并交叉重叠形成重叠区；电磁波由宽谱光源发出，经微纳光纤传输至光学微腔，再经微纳光纤输出至光谱分析仪。本发明中设置了将微纳光纤围绕微管一圈的结构，大大增加了电磁波与磁流体的接触，从而使其具有更高的灵敏度。
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