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公开(公告)号：CN117790274A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211142834.7
申请日：2022-09-20
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种等离子镀膜设备及其工艺‑清洗进气结构。工艺‑清洗进气结构包括进气结构本体；进气结构本体包括转接筒、双层进气套管、工艺气喷嘴以及清洗喷嘴，双层进气套管包括内管以及套接在内管外侧的外管；内管为用于输送清洗气体的清洗气管，外管与内管之间能够形成工艺气输送空腔；转接筒的一端能够输入清洗气体，另一端则能够与清洗气管的进气端对接连通，而清洗气管的出气端安装有所述的清洗喷嘴；工艺气输送空腔通过外管的侧壁上所设置的工艺气外接接口与工艺气外接输送管连通；工艺气输送空腔的出气端安装有所述的工艺气喷嘴。由此可知，本发明采用不同的路径来分别输送工艺气体和清洗气体，以能够有效改善清洗效率。
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公开(公告)号：CN116344303A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111597307.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明属于等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种防止刻蚀工艺导致密封圈失效的电极装置及调控方法，装置包括电极本体，电极本体包括从上到下依次设置的加热台和水冷板，加热台与水冷板之间间距为h，h内安装有导热环，导热环呈环形且具有内环和外环，加热台上与导热环内环同轴位置开设导向通道；在导热环内环处安装内密封圈，内密封圈将导向通道与间距之间进行密封；在导热环外环处安装外密封圈，外密封圈将导热环与真空反应腔室之间进行密封；内密封圈与外密封圈之间的环形空间内为大气状态，外密封圈圈外空间内为真空状态。方法包括高温和低温两种工况下的调控；电极装置用于承载晶圆，同时结合调控方法为晶圆提供刻蚀工艺所需合适的温度。
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公开(公告)号：CN116344301A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111598611.7
申请日：2021-12-24
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明属于等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的电极及调控方法，所述电极包括电极本体，电极本体包括从上到下依次设置的加热台、导热板和水冷板，水冷板的上表面，在中部位置处设置有导热板嵌槽，导热板嵌槽的槽底与加热台的下表面之间，存在间隙h；导热板嵌装在导热板嵌槽中，且导热板的厚度为h1，h1
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公开(公告)号：CN113972125B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202010725037.6
申请日：2020-07-24
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理系统及其多段式法拉第屏蔽装置，包括导电环，以及多个辐射对称布置在导电环外周的导电瓣状组件；每个导电瓣状组件包括多段导电板和多个连接电容；每个导电瓣状组件的多段导电板沿径向间隔排列；每两段相邻导电板之间设置有一个连接电容；每个连接电容包括上电极板和下电极板；上电极板的下端面和\或下电极板的上端面设置有绝缘涂层；且上电极板的下端面与下电极板的上端面相接；上电极板导电连接在两段相邻导电板中的一段导电板上；下电极板导电连接在两段相邻导电板中的另一段导电板上；多个导电板位于同一平面。本发明加工成本低，安装定位方式简便，相比于现有的多段式法拉第屏蔽装置，不占用竖直方向的空间。
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公开(公告)号：CN114724913A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110002167.1
申请日：2021-01-04
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置，包括均安装在刻蚀反应腔内的第一挡板和第二挡板；第一挡板为整圆板，能在第一挡板驱动装置的作用下，对离子源产生的离子束进行全遮挡；晶圆采用两次刻蚀，一次刻蚀为无挡板遮挡下的刻蚀，二次刻蚀为采用第二挡板遮挡的刻蚀；第二挡板的结构根据刻蚀工况进行选择，能在第二挡板驱动装置的作用下，对一次刻蚀时晶圆表面刻蚀速率快的区域进行遮挡，使得晶圆表面刻蚀速率保持一致。刻蚀工况包括低能工况、中能工况和高能工况。本发明通过两块挡板的配合刻蚀，从而提高晶圆成品的整体刻蚀均匀性，增加晶圆的利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114724911A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110002081.9
申请日：2021-01-04
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子密度可调的离子源装置，包括离子源腔、放电腔、螺旋线圈、平面线圈和射频电源；离子源腔和放电腔从外至内依次同轴设置；放电腔的头部设置有进气面板；螺旋线圈同轴套设在放电腔的筒身外周，两者间具有径向间隙R；平面线圈同轴安装在进气面板的外侧上游，两者间具有轴向间隙L；螺旋线圈和平面线圈的一端均依次与功率分配器、射频匹配器和射频电源电连接，另一端均接地；功率分配器能对进入螺旋线圈和平面线圈的射频功率进行分配，通过对分配率r进行调节，从而实现放电腔内等离子密度分布的调节。本发明同时采用螺旋形和平面线圈，并对两个线圈进行功率分配，针对不同工况进行调节，能有效改善刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN113113280B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010021590.1
申请日：2020-01-09
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有开合法拉第组件的等离子体处理系统及其开合法拉第组件。开合法拉第组件包括法拉第层，法拉第层包括旋钮、射频接入块、升降机构、若干环扇片；各环扇片均在旋钮的带动下能够同步围绕各自扇面上所设置的第一定位件旋转，并通过第二定位件与旋钮上的导向滑槽的导向连接而限制旋转幅度在第一极限位置、第二极限位置之间；当各环扇片处于第一极限位置时法拉第层处于闭合状态；当各环扇片处于第二极限位置时法拉第层处于打开状态，此时旋钮内侧中心区域完全暴露；因此本发明通过控制法拉第层的开、合来配合刻蚀和清洗工艺，实现了耦合窗的彻底清洗，同时刻蚀工艺时开合法拉第层处于打开状态，不会对刻蚀工艺有任何影响。
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公开(公告)号：CN110571122B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910875909.4
申请日：2019-09-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法，属于半导体刻蚀技术领域。采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度。本发明提供的采用双离子源的IBE刻蚀机在不增加复杂的样品台翻转机构，提高了刻蚀效率。并且采用了两个离子源进行蚀刻，取消掉原样品台的倾斜及使用两个离子源，因此节省了样品台倾斜及能量切换的工艺时间。
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公开(公告)号：CN113808899A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010553300.8
申请日：2020-06-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种应用于等离子体处理装置中的高均匀性气路系统，包括内空底座，内空底座侧壁上设有台阶，内空底座的开口覆盖设有第二匀流底板，第二匀流底板上分布有第二匀流喷嘴，第二匀流底板上部覆盖设有第一匀流底板，第一匀流底板上分布有第一匀流喷嘴，第一匀流底板上设有顶盖，顶盖上设有第一进气口和第二进气口；内空底座的内部设有陶瓷内衬，陶瓷内衬与内空底座侧壁上的台阶之间形成腔室，内空底座的底部还设有连通腔室的抽气通道。本发明中结构简单，通过各个匀流腔可均匀混合各种工艺气体，方便使用，满足高精度控制及大面积刻蚀均匀性的要求。
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公开(公告)号：CN113745086A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010474227.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，包括腔室、分子泵、顶针机构、内衬、上射频匹配器、下射频匹配器；腔室上开口处设有腔盖，腔盖的上表面分布有线圈，腔室的底部向内方向延伸设有筒状结构，筒口覆盖有电极，电极上放置有晶圆，顶针机构安装在电极下表面，下射频匹配器安装在腔室下部；腔室的侧壁上部设有可开闭的进出槽口，侧壁下部设有出气口，出气口处为分子泵；腔室内设有内衬，内衬上分布有气孔，所述进出槽口位于内衬上方，所述出气口位于内衬下方。
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