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公开(公告)号：CN110571122B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910875909.4
申请日：2019-09-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法，属于半导体刻蚀技术领域。采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度。本发明提供的采用双离子源的IBE刻蚀机在不增加复杂的样品台翻转机构，提高了刻蚀效率。并且采用了两个离子源进行蚀刻，取消掉原样品台的倾斜及使用两个离子源，因此节省了样品台倾斜及能量切换的工艺时间。
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公开(公告)号：CN113808899A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010553300.8
申请日：2020-06-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种应用于等离子体处理装置中的高均匀性气路系统，包括内空底座，内空底座侧壁上设有台阶，内空底座的开口覆盖设有第二匀流底板，第二匀流底板上分布有第二匀流喷嘴，第二匀流底板上部覆盖设有第一匀流底板，第一匀流底板上分布有第一匀流喷嘴，第一匀流底板上设有顶盖，顶盖上设有第一进气口和第二进气口；内空底座的内部设有陶瓷内衬，陶瓷内衬与内空底座侧壁上的台阶之间形成腔室，内空底座的底部还设有连通腔室的抽气通道。本发明中结构简单，通过各个匀流腔可均匀混合各种工艺气体，方便使用，满足高精度控制及大面积刻蚀均匀性的要求。
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公开(公告)号：CN110047724B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910322647.9
申请日：2019-04-22
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/305 , H01J37/30
Abstract: 本发明公开了一种离子束刻蚀用双层挡板，设置在位于离子源与晶圆之间的刻蚀反应腔体内，用于阻挡离子源射向晶圆的离子束；双层挡板包括平行并列设置且能同步转动的前挡板和后挡板，其中，前挡板邻近离子源的栅格网，后挡板邻近晶圆；前挡板和后挡板的面积均大于格栅网的面积；前挡板上设置有若干个贯通的溅射网孔。前挡板上溅射网孔的Z向纵截面为长条形、圆形、正方形、三角形、椭圆形、多边形或同心环形中的一种或组合。本发明采用两层挡板的设计，能减少所有可能会溅射进离子源内部的导电材料，保护了离子源不受伤害。
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公开(公告)号：CN112981367A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911299497.0
申请日：2019-12-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明涉及一种快捷方便的断裂顶针回收装置，包括进行化学气相沉积的腔室，腔室中部设有加热台，机械手从腔室侧壁上的宽槽孔进入将晶圆送达加热台正上方，通过顶针机构中的顶针将晶圆放置在加热台上，腔室底部设有抽气腔，抽气腔通过抽气管道连接有真空泵，还包括阻挡片、疏通装置以及储存装置，其中：阻挡片呈环形，套设在加热台上，疏通装置设于加热台上，储存装置设置于腔室底部，阻挡片环形结构上落有碎顶针，疏通装置将碎顶针疏通至储存装置中；本发明通过真空泵工作后，碎顶针掉落在阻挡片上，疏通装置底部连接通入纯净的气体，将碎顶针吹落入储蓄装置中，只需将储存装置底部拆卸即可取出碎顶针，该方法无需拆卸抽气泵和加热台，操作极其便利。
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公开(公告)号：CN111376284A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811635921.X
申请日：2018-12-29
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明公开一种机械手及其机械手指，用于输送晶片，所述机械手指包括手指本体和定位柱，其中所述手指本体具有多个限位孔，至少3个所述限位孔位于所述晶片的边界位置；所述定位柱可拆卸地设置于所述限位孔内，以使所述晶片卡设于所述定位柱上。通过在手指本体上设置多个限位孔，利用定位柱与不同的限位孔配合可以适应不同规格的晶片，从而可以提高机械手指的通用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326385A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811523752.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种真空腔室，包括：腔室主体(1)、内衬(2)和异型门阀(3)，腔室主体(1)的一个面(12)设有第一开口(11)，内衬(2)设置于腔室主体(1)内，在与第一开口(11)相应的位置设置有第二开口(21)，异型门阀(3)包括挡板(4)、水平推杆(5)、竖直推杆(6)和阀座(7)，挡板(4)的水平和竖直运动分别由水平推杆(5)和竖直推杆(6)控制，挡板(4)和水平推杆(5)之间、水平推杆(5)和竖直推杆(6)之间均采用真空波纹管连接，异型门阀(3)通过阀座(7)安装在面(12)的第一开口(11)下方，通过开启或关闭挡板(4)使第一开口(11)和第二开口(21)暴露或封闭。
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公开(公告)号：CN110610895A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910932527.0
申请日：2019-09-29
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01L21/687 , H01J37/20
Abstract: 本发明公开了一种用于平台的弹簧顶针机构及真空等离子处理腔体，所述弹簧顶针机构包括沿针孔从平台上端面伸出缩回的顶针；还包括导向管、弹簧和底座；所述导向管包括若干沿圆周方向间隔布置在平台下端面的圆弧导向板，所述若干圆弧导向板均与一个针孔同轴；所述底座上设置有若干圆弧通槽；每个圆弧通槽滑动套装在一个圆弧导向板外；所述顶针的下端固定在底座中心上；所述弹簧位于所述底座的上端面与平台下端面之间；当顶针从平台上端面伸出，弹簧处于压缩状态。本发明的顶针始终保持与平台的垂直，不会产生转动偏斜卡涩的问题，无需考虑针孔与顶针的配合间隙，保证顶针在针孔内伸缩顺畅；同时保证顶针能够从平台上端面缩回，防止顶针下落不到位。
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公开(公告)号：CN110571122A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910875909.4
申请日：2019-09-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法，属于半导体刻蚀技术领域。采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度。本发明提供的采用双离子源的IBE刻蚀机在不增加复杂的样品台翻转机构，提高了刻蚀效率。并且采用了两个离子源进行蚀刻，取消掉原样品台的倾斜及使用两个离子源，因此节省了样品台倾斜及能量切换的工艺时间。
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公开(公告)号：CN110223903A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910322666.1
申请日：2019-04-22
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种均匀对称布置且同步开合的离子源挡板，包括n块n等分挡板，n≥2；n块n等分挡板大小形状相同，均位于同一个竖向平面内，且以离子源挡板中心点为对称中心，呈均匀对称分布；n块n等分挡板均能在对应驱动机构的作用下，以离子源挡板中心点为圆心，沿径向进行同步往返滑移；当n块n等分挡板向着离子源挡板中心点滑移并拼合后，能将离子源栅网进行完全遮挡；当n块n等分挡板向着背离离子源挡板中心点滑移时，能使离子源栅网无遮挡。本发明能使晶圆的中部和边缘均能同时均匀地接受离子束的轰击，保证挡板在完全脱离离子源栅网之前晶圆的表面接受相同的刻蚀程度，提高了晶圆成品的刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN110132484A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910470430.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: G01L21/30
Abstract: 本发明提出一种离子束刻蚀系统的真空测量工具的保护装置，所述离子束刻蚀系统包括反应腔体和用于测量反应腔体的内部真空度真空测量工具，所述反应腔体壁上设置有通气接口，所述真空测量工具连接在通气接口上。所述保护装置包括设置在反应腔体内的遮挡通气接口的阻隔板；所述阻隔板贴近通气接口处的反应腔体内壁，所述通气接口沿其中轴线投影至阻隔板上的投影面位于阻隔板的遮挡面范围内。所述保护装置还包括驱动阻隔板远离或靠近通气接口的推拉机构。本发明通过贴近遮挡通气接口的阻隔板，有效阻隔金属颗粒和离子束；通过推拉机构驱动阻隔板远离或靠近通气接口，防止杂质堵塞阻隔板与反应腔体内壁的间隙，在满足通气要求下保持合适间隙。
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