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公开(公告)号：CN111370282A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811598157.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明公开一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法，所采用的清洗气体包括CF4和N2O。本发明能够有效解决小型研究机构所使用的Si系等离子增强化学气相沉积腔室清洗问题，可以杜绝气路被污染甚至被堵的风险，提高设备的可靠性，延长设备维护周期，提高生产效率，降低颗粒污染，提高产品品质。
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公开(公告)号：CN111146334A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811298680.4
申请日：2018-11-02
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明公开一种磁隧道结制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室，在不中断真空的情况下，利用反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室和镀膜腔室相结合对磁性隧道结进行刻蚀、清洗和镀膜保护。本发明能够有效降低器件损伤和沾污，避免过刻造成的影响，提高器件性能，同时能够精确控制刻蚀图形的陡直度，获得满足性能需求的图形结果。
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公开(公告)号：CN113555283A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010333514.4
申请日：2020-04-24
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，属于半导体加工技术领域。所述GaN基高电子迁移率晶体管异质结包括从上到下依次排列的掩膜材料层、pGaN层、AlGaN层、GaN层和底层材料层，所述方法包括以下步骤：将已经打开掩膜材料层的待刻蚀样品经传送装置传送至反应离子刻蚀机的刻蚀腔，通入第一组刻蚀气体先快速刻蚀大部分pGaN层材料。待第一组刻蚀气体刻蚀结束后，向反应离子刻蚀机的刻蚀腔中通入第二组刻蚀气体慢速刻蚀余下部分pGaN层材料，刻蚀结束后取出样品。本发明所述方法能够选择性刻蚀pGaN并停止在AlGaN层，该刻蚀工艺对AlGaN层的刻蚀量小于2 nm。
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公开(公告)号：CN111146335A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811298686.1
申请日：2018-11-02
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明公开一种磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室、以及真空传输腔室。本方法包括多次反应离子等离子体刻蚀、离子束刻蚀以及镀膜步骤，在上述过程需多次进出各腔室，各腔室间的传递均在真空状态下进行。本发明能够克服高密度的小器件生产的瓶颈，拓宽刻蚀反应气体的可选择范围，减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，同时能够大幅提高器件的良率、可靠性，制造方法简单、快捷。
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公开(公告)号：CN110571122B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910875909.4
申请日：2019-09-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法，属于半导体刻蚀技术领域。采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度。本发明提供的采用双离子源的IBE刻蚀机在不增加复杂的样品台翻转机构，提高了刻蚀效率。并且采用了两个离子源进行蚀刻，取消掉原样品台的倾斜及使用两个离子源，因此节省了样品台倾斜及能量切换的工艺时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113658855A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010395390.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01L21/263
Abstract: 一种侧壁金属的刻蚀方法及其应用，属于半导体工艺技术领域。所述方法包括以下步骤：在待刻蚀台阶样品表面镀好Pd薄膜，镀膜厚度为45~55 nm；用离子束刻蚀机对样品进行刻蚀，刻蚀过程中，离子束刻蚀机样品台的倾角为45~85°，轰击能量为180~210 eV，刻蚀时间为17~25 min，刻蚀气体为惰性气体，刻蚀气体流量为15~40 sccm，直到侧壁的待刻蚀材料全部刻光刻蚀结束；将刻蚀后样品取出，即可进行后续工艺的操作。本发明所述方法采用纯物理刻蚀，不会引入其他反应元素，可以有效的提高台阶侧壁上材料与底部材料之间的刻蚀选择比，制造方法简单，能够有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN110137130B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910404457.1
申请日：2019-05-15
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种干法刻蚀系统用尺寸转换托盘，包括与电极可拆卸连接的小尺寸转换托盘；电极包括电极上盖和电极底座；电极上盖设有冷却气孔，电极上盖上表面同轴设有大晶圆放置槽和大压片，其内设有冷却气大尺寸均布槽；小尺寸转换托盘的底面设置有冷却气密封槽，冷却气密封槽密封包覆在大晶圆压紧装置的外周；小尺寸转换托盘的中心设置有冷却气贯通孔；小尺寸转换托盘的上表面同轴设置有小晶圆放置槽和小压片，小晶圆放置槽内设有若干个均与冷却气贯通孔相连通的冷却气小尺寸均布槽。本发明在不需更换基座的同时，使小晶圆能够进行均匀地干法刻蚀。另外，还给小晶圆提供均匀的冷却，且小尺寸转换托盘结构简单，更换方便。
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公开(公告)号：CN111366996A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811598182.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明公开一种微透镜阵列制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成纳米压印光刻胶；利用纳米压印技术将所述纳米压印光刻胶图形化；进行刻蚀实现纳米压印光刻胶图案的转移；对衬底进行减薄处理获得微透镜阵列。本发明能够极大的提高生产效率和产品性能。
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公开(公告)号：CN110571122A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910875909.4
申请日：2019-09-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法，属于半导体刻蚀技术领域。采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度。本发明提供的采用双离子源的IBE刻蚀机在不增加复杂的样品台翻转机构，提高了刻蚀效率。并且采用了两个离子源进行蚀刻，取消掉原样品台的倾斜及使用两个离子源，因此节省了样品台倾斜及能量切换的工艺时间。
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公开(公告)号：CN115524774A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110716288.2
申请日：2021-06-25
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明的一种加工SIO2闪耀光栅的方法，包括如下步骤：步骤1，构建闪耀角、离子束入射角、SIO2对光刻胶的选择比模型；步骤2，将待加工样品传输至反应离子束刻蚀机，使wafer表面法线与离子束呈0‑90度角度；步骤3，放电腔室中通入混合气体，所述混合气体包括CHF3和O2，其中O2等离子体可以快速的将侧壁的保护层消耗掉；步骤4，等离子体经栅网引出中和，与待刻蚀样品发生物理轰击和化学反应。本发明实施例的加工SIO2闪耀光栅的方法降低了光刻胶掩模的膜层厚度，从而降低了闪耀光栅的加工难度。
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