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公开(公告)号：CN114447313B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210105197.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基负极材料的制备方法及生产装置，所述制备方法包括以下步骤：S1：将纳米硅、碳气凝胶、碳纳米管、石墨、掺杂物、分散剂和有机溶剂在预设超声功率超声分散预设时间，再利用砂磨工艺得到第一混合料液，掺杂物包括水合肼、碳酸氢铵、氯化铵、氟化铵以及硝酸铵中的至少一种；S2：将第一混合料液进行干燥、喷雾造粒的同时进行碳包覆，获得掺杂的海绵状骨架结构的硅基负极材料。根据本发明的硅基负极材料的制备方法，可以使得硅基负极材料具有海绵状骨架结构，内部呈海绵疏松结构，通道、孔隙较多，构成连续的三维导电网络，大大提高离子扩散及电子迁移率，有利于提高硅基负极材料的导电性以及缓冲内部硅的体积膨胀。
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公开(公告)号：CN114447313A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210105197.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基负极材料的制备方法及生产装置，所述制备方法包括以下步骤：S1：将纳米硅、碳气凝胶、碳纳米管、石墨、掺杂物、分散剂和有机溶剂在预设超声功率超声分散预设时间，再利用砂磨工艺得到第一混合料液，掺杂物包括水合肼、碳酸氢铵、氯化铵、氟化铵以及硝酸铵中的至少一种；S2：将第一混合料液进行干燥、喷雾造粒的同时进行碳包覆，获得掺杂的海绵状骨架结构的硅基负极材料。根据本发明的硅基负极材料的制备方法，可以使得硅基负极材料具有海绵状骨架结构，内部呈海绵疏松结构，通道、孔隙较多，构成连续的三维导电网络，大大提高离子扩散及电子迁移率，有利于提高硅基负极材料的导电性以及缓冲内部硅的体积膨胀。
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公开(公告)号：CN112635733B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011516545.X
申请日：2020-12-21
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了锂离子电池的负极材料及其制备的方法和锂离子电池。该方法包括：得到复合材料前驱体，进行煅烧处理，以获得复合材料；利用化学气相沉积，在所述复合材料的导电骨架上沉积形成硅颗粒，其中所述化学气相沉积是采用硅烷‑氢气‑惰性气体三组分反应体系，在流化床反应器中实现的；对形成有所述硅颗粒的所述复合材料进行碳包覆处理，以形成所述负极材料。本发明方法制备的硅碳复合材料，即负极材料具有循环稳定性好、容量保持率高、导电性好等特性。
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公开(公告)号：CN112635733A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011516545.X
申请日：2020-12-21
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了锂离子电池的负极材料及其制备的方法和锂离子电池。该方法包括：得到复合材料前驱体，进行煅烧处理，以获得复合材料；利用化学气相沉积，在所述复合材料的导电骨架上沉积形成硅颗粒，其中所述化学气相沉积是采用硅烷‑氢气‑惰性气体三组分反应体系，在流化床反应器中实现的；对形成有所述硅颗粒的所述复合材料进行碳包覆处理，以形成所述负极材料。本发明方法制备的硅碳复合材料，即负极材料具有循环稳定性好、容量保持率高、导电性好等特性。
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公开(公告)号：CN116779856A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210241697.6
申请日：2022-03-11
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC: H01M4/62
Abstract: 本发明公开了一种锂电负极材料Mo2C/NiO@GO碳纳米纤维的制备方法，包括以下步骤：S1:称取氧化镍、四水钼酸铵和溶剂进行超声处理；S2:称取高分子表面活性剂加入烧杯中进行常温搅拌，得到所需纺丝溶液；S3:采用针管吸取纺丝液进行静电纺丝以获得前躯体，在纺丝完成后取下前驱体，在烘箱中进行干燥；S4:对干燥后的前驱体进行预烧结；S5:预烧结后的前驱体进行抽滤；抽滤烘干后对其进行热处理，得到所需的锂离子电池负极材料。本发明的制备方法获得了具有三维网状结构的Mo2C/NiO@GO材料，提高了负极材料的比表面积及电导率，所获得的电池具有较高的比容量以及很好的循环稳定性，具有显著的经济价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116779791A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210241677.9
申请日：2022-03-11
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx@CNFs@rGo及其制备方法，制备方法包括以下步骤：称取钼酸钠、氯化亚锡二水合物和溶剂，依次加入烧杯中，盖上保鲜膜，进行搅拌处理；称取高分子表面活性剂加入烧杯中，在60～80℃下搅拌，得到所需纺丝液；纺丝液进行静电纺丝，得前驱体，将前驱体放入烘箱干燥；干燥后的前驱体进行预烧结，得纺丝膜；将纺丝膜作为滤膜，石墨烯分散液作为滤液进行抽滤，得抽滤膜；待抽滤膜干燥后，经过热处理，即得锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx@CNFs@rGo。本发明方法所得锂电柔性自支撑负极材料为纯相，呈被石墨烯包覆的纳米线状，线直径为100～250nm。
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公开(公告)号：CN114108078B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111448221.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种坩埚组件和具有其的单晶生长装置，所述坩埚组件包括：坩埚；导流装置，导流装置将坩埚的内腔分隔为位于第一腔室和第二腔室，第一腔室适于放置籽晶，第一腔室的腔壁上形成有出气口，第二腔室适于放置原料，第二腔室的腔壁形成有进气口，导流装置的内侧限定导流通道，导流通道与籽晶沿上下方向相对且同轴设置，导流通道包括从下至上依次连接的第一通道、第二通道及第三通道，第一通道远离第二通道的一侧与第二腔室连通，第三通道远离第二通道的一端与第一腔室连通，第二通道的内径不大于籽晶的直径。根据本发明的坩埚组件，有利于籽晶形成平整或微凸的生长界面，从而提高晶体品质。
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公开(公告)号：CN114108078A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111448221.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种坩埚组件和具有其的单晶生长装置，所述坩埚组件包括：坩埚；导流装置，导流装置将坩埚的内腔分隔为位于第一腔室和第二腔室，第一腔室适于放置籽晶，第一腔室的腔壁上形成有出气口，第二腔室适于放置原料，第二腔室的腔壁形成有进气口，导流装置的内侧限定导流通道，导流通道与籽晶沿上下方向相对且同轴设置，导流通道包括从下至上依次连接的第一通道、第二通道及第三通道，第一通道远离第二通道的一侧与第二腔室连通，第三通道远离第二通道的一端与第一腔室连通，第二通道的内径不大于籽晶的直径。根据本发明的坩埚组件，有利于籽晶形成平整或微凸的生长界面，从而提高晶体品质。
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公开(公告)号：CN216473575U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122265657.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种单晶炉连续加料智能控制系统，包括第一称重器、计时器、控制器以及加料装置，控制器内部预先设定有重量值G和时间间隔T；第一称重器用于采集晶棒的重量信息，加料装置用于存储固体原料，并通过称重传输装置将附体原料添加到坩埚内，第一称重器、第二称重器、皮带传输装置的电机以及出料阀分别通过控制电路与控制器电连接。本实用新型通过对比晶棒固定时间段前后重量差，判断是否需要加料，若需要加料，则向坩埚内加料，加料重量等于上述重量差时，则停止加料，从而完成加料动作。本实用新型能够智能控制加料量，加料精确度高，能够满足晶棒生长对原料的要求，同时能够避免加料过程中在坩埚中产生飞溅。
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公开(公告)号：CN216473571U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122666770.8
申请日：2021-11-03
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型涉及单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉用炉内清洁装置，包括炉体和清理装置，清理装置设置在炉体内，清理装置包括炉底，炉底与炉体转动连接，炉底的一侧固定连接有固定块，固定块的表面开设有环形孔，环形孔的内壁滑动连接有限位杆，固定块呈“L”形板状设置，固定块靠近限位杆的一侧固定连接有限位弹簧，限位弹簧远离固定块的一侧与限位杆固定连接。本实用新型，通过设置清理装置，有效对炉体内壁进行清理，提高了设备的稳定性，减少了设备的清理负担，避免杂质附着在炉体内壁中，降低物料受污染的概率，提高设备的易用性，降低使用者的经济损失。
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