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公开(公告)号：CN113976559B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202111182404.3
申请日：2021-10-11
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种单晶炉副室智能清洁装置及其控制方法，包括可伸缩支撑部件和储液装置，可伸缩支撑部件上部安装有清洗装置，储液装置通过第一管路与清洗装置连接，第一管路上连接有抽水泵，还包括车体、控制器和电源，车体内底部固定有电机，电机输出轴与转盘底部圆心相连，转盘底部与电机之间安装有加强筋，加强筋固定在电机轴与转盘底部之间；可伸缩支撑部件安装在转盘上，其顶部安装有第一距离传感器，其下部安装有接水装置，该接水装置直径大于副室内径，第一距离传感器、电机、抽水泵、电源均与控制器电连接。本发明智能化程度高，操作方便、简单，能够有效地避免清洗液滴落到地面，清洁更加彻底，且适用于多种直径的副室。
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公开(公告)号：CN114574976A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221498.9
申请日：2022-03-07
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种便于取料的碳化硅晶体生长炉，包括生长炉，生长炉外侧设有支撑座，支撑座的上表面安装有C型架，C型架内壁固定连接有电机二和U型板，U型板内壁的相对侧限位转动连接有限位轴，电机二的输出端贯穿U型板并与限位轴一端固定连接，生长炉的顶部贯通连接限位管，限位管的上表面贴合连接有保护管，保护管内设有限位盘，限位盘的上表面固定连接有钢缆，钢缆的远离限位盘的一端与限位轴固定连接，限位盘的下表面固定连接有固定块，固定块的下表面固定连接有晶棒，保护管的顶端贯通连接在C型架的底部，通过限位盘带动晶棒进入保护管，并在齿盘一和齿盘二的带动下脱离生长炉，达到方便将生长炉内结晶后的晶棒安全取出的效果。
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公开(公告)号：CN113976559A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111182404.3
申请日：2021-10-11
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种单晶炉副室智能清洁装置及其控制方法，包括可伸缩支撑部件和储液装置，可伸缩支撑部件上部安装有清洗装置，储液装置通过第一管路与清洗装置连接，第一管路上连接有抽水泵，还包括车体、控制器和电源，车体内底部固定有电机，电机输出轴与转盘底部圆心相连，转盘底部与电机之间安装有加强筋，加强筋固定在电机轴与转盘底部之间；可伸缩支撑部件安装在转盘上，其顶部安装有第一距离传感器，其下部安装有接水装置，该接水装置直径大于副室内径，第一距离传感器、电机、抽水泵、电源均与控制器电连接。本发明智能化程度高，操作方便、简单，能够有效地避免清洗液滴落到地面，清洁更加彻底，且适用于多种直径的副室。
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公开(公告)号：CN217149404U
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202220491534.9
申请日：2022-03-07
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种便于取料的碳化硅晶体生长炉，包括生长炉，生长炉外侧设有支撑座，支撑座的上表面安装有C型架，C型架内壁固定连接有电机二和U型板，U型板内壁的相对侧限位转动连接有限位轴，电机二的输出端贯穿U型板并与限位轴一端固定连接，生长炉的顶部贯通连接限位管，限位管的上表面贴合连接有保护管，保护管内设有限位盘，限位盘的上表面固定连接有钢缆，钢缆的远离限位盘的一端与限位轴固定连接，限位盘的下表面固定连接有固定块，固定块的下表面固定连接有晶棒，保护管的顶端贯通连接在C型架的底部，通过限位盘带动晶棒进入保护管，并在齿盘一和齿盘二的带动下脱离生长炉，达到方便将生长炉内结晶后的晶棒安全取出的效果。
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公开(公告)号：CN216473575U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122265657.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种单晶炉连续加料智能控制系统，包括第一称重器、计时器、控制器以及加料装置，控制器内部预先设定有重量值G和时间间隔T；第一称重器用于采集晶棒的重量信息，加料装置用于存储固体原料，并通过称重传输装置将附体原料添加到坩埚内，第一称重器、第二称重器、皮带传输装置的电机以及出料阀分别通过控制电路与控制器电连接。本实用新型通过对比晶棒固定时间段前后重量差，判断是否需要加料，若需要加料，则向坩埚内加料，加料重量等于上述重量差时，则停止加料，从而完成加料动作。本实用新型能够智能控制加料量，加料精确度高，能够满足晶棒生长对原料的要求，同时能够避免加料过程中在坩埚中产生飞溅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216473571U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122666770.8
申请日：2021-11-03
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型涉及单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉用炉内清洁装置，包括炉体和清理装置，清理装置设置在炉体内，清理装置包括炉底，炉底与炉体转动连接，炉底的一侧固定连接有固定块，固定块的表面开设有环形孔，环形孔的内壁滑动连接有限位杆，固定块呈“L”形板状设置，固定块靠近限位杆的一侧固定连接有限位弹簧，限位弹簧远离固定块的一侧与限位杆固定连接。本实用新型，通过设置清理装置，有效对炉体内壁进行清理，提高了设备的稳定性，减少了设备的清理负担，避免杂质附着在炉体内壁中，降低物料受污染的概率，提高设备的易用性，降低使用者的经济损失。
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公开(公告)号：CN216192868U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122451267.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种带进料粉碎机构的单晶炉，炉盖上安装有进料粉碎机构；进料粉碎机构包括粉碎室、搅拌主轴、防尘板和导流管，粉碎室呈卧式圆筒状，粉碎室一侧上方水平设有进料口，进料口通过倾斜设置的滑槽与粉碎室连通，进料口与滑槽连接处的上端转动连接防尘板，粉碎室的中心处水平设有搅拌主轴，搅拌主轴的一端与粉碎室外的电机输出端连接，搅拌主轴上圆周均匀设有多个长搅拌叶，搅拌主轴在相邻两个长搅拌叶之间固定有短搅拌叶，粉碎室内的上半筒壁均匀固定有多个粉碎块，粉碎室靠近炉盖的一侧下部开设出料口，粉碎室的出料口通过倾斜向下设置的导流管延伸至炉体内坩埚的上方；炉体在坩埚的正下方固定有接液槽。
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公开(公告)号：CN217143496U
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202122650526.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于硅片的抛光装置，包括：机台；施蜡模块和抛光盘，通过施蜡模块将蜡滴落在抛光盘的表面，使得抛光盘的表面形成蜡层，蜡层被划分成多个检测区域；多个图像采集模块，多个图像采集模块一一对应地采集多个检测区域的表面图像信息；图像分析模块，多个图像采集模块与图像分析模块之间电连接以将采集的多个检测区域的表面图像信息传输至图像分析模块，图像分析模块将多个检测区域的表面图像信息进行综合分析处理，若蜡层的多个检测区域的平整度均达标，将硅片贴附于蜡层进行抛光。根据本实用新型的用于硅片的抛光装置，适用于尺寸较大的蜡层的平整度检测，有利于提高硅片抛光的良品率。
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公开(公告)号：CN216192867U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122446699.2
申请日：2021-10-12
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种单晶炉冷却循环系统，包括沿单晶炉内壁设置的第一夹层，还包括控制装置、气体冷却装置、抽气泵、一级换热器和二级换热器，抽气泵进口连接进气管，抽气泵出口通过第一管路接气体冷却装置进口，气体冷却装置出口通过第一管路接第一夹层进气口，第一夹层出气口通过第一管路接一级换热器进口，一级换热器出口连接出气管，出气管通过第二管路接抽气泵进气口、通过第三管路接二级换热器进气口，二级换热器出口接抽气泵进口；一级换热器的出气管连接温度传感器，第二管路和第三管路均连接电磁阀；温度传感器、红外测温仪、第一电磁阀、第二电磁阀分别与控制装置电连接。本实用新型结构简单，占用空间少，冷却效果好，且便于安装和使用。
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公开(公告)号：CN115418712A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211046545.7
申请日：2022-08-30
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体生长设备及控制方法，碳化硅晶体生长设备包括：坩埚本体，坩埚本体限定出顶部敞开的原料腔；坩埚盖，坩埚盖设于坩埚本体的顶部，坩埚盖限定出用于粘贴籽晶的盛放腔；连接机构，连接机构设于坩埚本体和坩埚盖之间，连接机构具有连通原料腔和盛放腔的导流通道；导流机构，导流机构设于导流通道内，导流机构包括多个导流叶片，多个导流叶片在连接机构的周向上间隔开排布，每个导流叶片的转动中心线沿连接机构的径向方向延伸，多个所述导流叶片在第一位置和第二位置之间可同步转动。根据本发明的碳化硅晶体生长设备，有利于减少晶体凸出率，有利于减少晶体相变以及螺旋位错等缺陷的产生，可提高晶体的生长质量。
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