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公开(公告)号：CN113976559B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202111182404.3
申请日：2021-10-11
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种单晶炉副室智能清洁装置及其控制方法，包括可伸缩支撑部件和储液装置，可伸缩支撑部件上部安装有清洗装置，储液装置通过第一管路与清洗装置连接，第一管路上连接有抽水泵，还包括车体、控制器和电源，车体内底部固定有电机，电机输出轴与转盘底部圆心相连，转盘底部与电机之间安装有加强筋，加强筋固定在电机轴与转盘底部之间；可伸缩支撑部件安装在转盘上，其顶部安装有第一距离传感器，其下部安装有接水装置，该接水装置直径大于副室内径，第一距离传感器、电机、抽水泵、电源均与控制器电连接。本发明智能化程度高，操作方便、简单，能够有效地避免清洗液滴落到地面，清洁更加彻底，且适用于多种直径的副室。
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公开(公告)号：CN114574976A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221498.9
申请日：2022-03-07
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种便于取料的碳化硅晶体生长炉，包括生长炉，生长炉外侧设有支撑座，支撑座的上表面安装有C型架，C型架内壁固定连接有电机二和U型板，U型板内壁的相对侧限位转动连接有限位轴，电机二的输出端贯穿U型板并与限位轴一端固定连接，生长炉的顶部贯通连接限位管，限位管的上表面贴合连接有保护管，保护管内设有限位盘，限位盘的上表面固定连接有钢缆，钢缆的远离限位盘的一端与限位轴固定连接，限位盘的下表面固定连接有固定块，固定块的下表面固定连接有晶棒，保护管的顶端贯通连接在C型架的底部，通过限位盘带动晶棒进入保护管，并在齿盘一和齿盘二的带动下脱离生长炉，达到方便将生长炉内结晶后的晶棒安全取出的效果。
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公开(公告)号：CN113976559A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111182404.3
申请日：2021-10-11
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种单晶炉副室智能清洁装置及其控制方法，包括可伸缩支撑部件和储液装置，可伸缩支撑部件上部安装有清洗装置，储液装置通过第一管路与清洗装置连接，第一管路上连接有抽水泵，还包括车体、控制器和电源，车体内底部固定有电机，电机输出轴与转盘底部圆心相连，转盘底部与电机之间安装有加强筋，加强筋固定在电机轴与转盘底部之间；可伸缩支撑部件安装在转盘上，其顶部安装有第一距离传感器，其下部安装有接水装置，该接水装置直径大于副室内径，第一距离传感器、电机、抽水泵、电源均与控制器电连接。本发明智能化程度高，操作方便、简单，能够有效地避免清洗液滴落到地面，清洁更加彻底，且适用于多种直径的副室。
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公开(公告)号：CN217149404U
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202220491534.9
申请日：2022-03-07
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种便于取料的碳化硅晶体生长炉，包括生长炉，生长炉外侧设有支撑座，支撑座的上表面安装有C型架，C型架内壁固定连接有电机二和U型板，U型板内壁的相对侧限位转动连接有限位轴，电机二的输出端贯穿U型板并与限位轴一端固定连接，生长炉的顶部贯通连接限位管，限位管的上表面贴合连接有保护管，保护管内设有限位盘，限位盘的上表面固定连接有钢缆，钢缆的远离限位盘的一端与限位轴固定连接，限位盘的下表面固定连接有固定块，固定块的下表面固定连接有晶棒，保护管的顶端贯通连接在C型架的底部，通过限位盘带动晶棒进入保护管，并在齿盘一和齿盘二的带动下脱离生长炉，达到方便将生长炉内结晶后的晶棒安全取出的效果。
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公开(公告)号：CN216473575U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122265657.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种单晶炉连续加料智能控制系统，包括第一称重器、计时器、控制器以及加料装置，控制器内部预先设定有重量值G和时间间隔T；第一称重器用于采集晶棒的重量信息，加料装置用于存储固体原料，并通过称重传输装置将附体原料添加到坩埚内，第一称重器、第二称重器、皮带传输装置的电机以及出料阀分别通过控制电路与控制器电连接。本实用新型通过对比晶棒固定时间段前后重量差，判断是否需要加料，若需要加料，则向坩埚内加料，加料重量等于上述重量差时，则停止加料，从而完成加料动作。本实用新型能够智能控制加料量，加料精确度高，能够满足晶棒生长对原料的要求，同时能够避免加料过程中在坩埚中产生飞溅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216445499U
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202122707559.6
申请日：2021-11-08
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC: C30B15/00
Abstract: 本实用新型涉及单晶炉技术领域，具体为单晶炉腔体排气装置，包括炉体和以及设置在炉体表面的排气管，所述排气管的表面设置有防护装置，所述防护装置包括固定环，所述固定环套在排气管的外部，并与排气管固定连接，所述固定环活动连接有盖子，所述固定环上连接有用于限制盖子翻转的限位部件。本实用新型通过设置防护装置，便于对炉体进行防护，可以有效的防止炉体排气处进入灰尘，降低炉体出现堵塞无法正常排气的情况，进而提高炉体整体的防护性。
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公开(公告)号：CN217143496U
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202122650526.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于硅片的抛光装置，包括：机台；施蜡模块和抛光盘，通过施蜡模块将蜡滴落在抛光盘的表面，使得抛光盘的表面形成蜡层，蜡层被划分成多个检测区域；多个图像采集模块，多个图像采集模块一一对应地采集多个检测区域的表面图像信息；图像分析模块，多个图像采集模块与图像分析模块之间电连接以将采集的多个检测区域的表面图像信息传输至图像分析模块，图像分析模块将多个检测区域的表面图像信息进行综合分析处理，若蜡层的多个检测区域的平整度均达标，将硅片贴附于蜡层进行抛光。根据本实用新型的用于硅片的抛光装置，适用于尺寸较大的蜡层的平整度检测，有利于提高硅片抛光的良品率。
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公开(公告)号：CN216663302U
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202122688506.4
申请日：2021-11-05
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种单晶炉炉体升降机构，包括炉体和升降装置，所述炉体的表面设置有升降装置，所述升降装置包括引导柱，所述引导柱在炉体的一侧设置，所述引导柱上安装有用于升降炉体的传动装置以及驱动传动装置转动的驱动装置。本实用新型，能够解决在升降设备的过程中，设备易出现晃动，易导致设备内部形成的晶体断裂，同时现有升降机构难以保证抬升的精确性的问题。
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公开(公告)号：CN216473572U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122267331.X
申请日：2021-09-18
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 一种基于液体原料的单晶炉连续加料控制装置，包括熔料装置和加料装置；加料装置包括壳体、储料装置、运料装置，储料装置悬挂在壳体内部，熔料装置内置在单晶炉内部，出料装置通过出料管与运料装置连接，运料装置通过进料管将原料运送至熔料装置内部，熔料装置通过导料管将内部的原料运送到第一坩埚内，熔料装置外侧环绕有加热部件；还包括抽真空装置和掺杂器，用于称量熔料装置内部原料的第一称重传感器，用于称量晶棒实时增重量的第二称重传感器，安装在单晶炉副室内顶部的第一测距仪，安装在运料装置上的振动装置，以及控制器。本实用新型能够智能控制加料量，加入的原料其温度与坩埚内原有的原料温度接近，不影响晶棒的生长环境。
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公开(公告)号：CN216473571U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122666770.8
申请日：2021-11-03
Applicant: 徐州美芯半导体材料科技有限公司 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
Abstract: 本实用新型涉及单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉用炉内清洁装置，包括炉体和清理装置，清理装置设置在炉体内，清理装置包括炉底，炉底与炉体转动连接，炉底的一侧固定连接有固定块，固定块的表面开设有环形孔，环形孔的内壁滑动连接有限位杆，固定块呈“L”形板状设置，固定块靠近限位杆的一侧固定连接有限位弹簧，限位弹簧远离固定块的一侧与限位杆固定连接。本实用新型，通过设置清理装置，有效对炉体内壁进行清理，提高了设备的稳定性，减少了设备的清理负担，避免杂质附着在炉体内壁中，降低物料受污染的概率，提高设备的易用性，降低使用者的经济损失。
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