公开(公告)号：CN119255479A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411262848.1

申请日：2024-09-10

Applicant: 东南大学 ,  江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 史泰龙 ,  张中 ,  张国栋 ,  童东宇

IPC: H05K1/11 ,  H05K1/03 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  H05K3/42

Abstract: 本发明公开一种多层RDL互连结构及其制造方法，属于印刷电路技术领域。多层RDL互连结构包括：至少一层RDL，每一层RDL表面附着的光感介电材料层制备有多个用于连接RDL的微孔，各层RDL通过金属化后的微孔互连。该结构舍弃了常规多层RDL互连结构中的铜垫结构，用于互连的微孔直接制作于金属布线上，缩小互连结构尺寸，具有实用价值。

公开(公告)号：CN119092513A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411588853.1

申请日：2024-11-08

Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 张国栋 ,  潘明东 ,  张中 ,  刘怡 ,  龙欣江 ,  谢雨龙 ,  龚臻

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明提供了一种多芯片堆叠的封装结构及其制备方法，该封装结构包括载体框架、上叠芯片组、下叠芯片组、塑封层和重布线层，载体框架包括至少一个导电柱和芯片贴装区，上叠芯片组和下叠芯片组纵向堆叠在芯片贴装区，芯片I/O接口设置在两侧边缘，塑封层包覆载体框架、上叠芯片组和下叠芯片组；在塑封层的顶面和底面分别设置至少一层重布线层，通过导电柱实现重布线层、上叠芯片组和下叠芯片组的电气连接。本发明还公开了上述封装结构的制备方法。本发明采用的3D Fanout多芯片封装结构，可以实现多个芯片的立体堆叠，从而大大提高了封装密度，相比现有的二维封装方式，可以节省更多的空间，实现更高密度的封装。

公开(公告)号：CN114050111B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202111358610.5

申请日：2021-11-16

Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 陈文军 ,  潘明东 ,  张中 ,  梅万元

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种扇出型封装方法及扇出型封装结构，采用圆片级封装工艺制备塑封晶圆，贴膜后切割成无数颗独立封装体；将封装体与被动元件焊接在预先准备的基板上；在基板空余位置涂上密封胶，在封装体背面涂敷散热胶，通过按压的方式将金属散热板安装在基板上；翻转安装完散热板的基板，在基板背面通过植球、回流工艺得到金属球。本发明充分利用扇出型封装工艺的特点，解决了被动元件结构与高温工艺不兼容以及芯片散热的问题，封装结构更稳定；并通过三维堆叠的方式有效利用了垂直方向的空间；实现功能芯片间的三维扇出型互联，用更小尺寸形成高密度互联，集成度更高且更有利于实现。

公开(公告)号：CN118553698B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411018538.5

申请日：2024-07-29

Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 赵玥 ,  谢雨龙 ,  张中 ,  张国栋 ,  潘明东 ,  龙欣江

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/552 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种具有散热和电磁屏蔽功能的封装结构及封装方法，该封装方法是在重构晶圆的上表面形成第一散热金属层，第一散热金属层完全覆盖芯片背面和侧面；制备与第一散热金属层连接的无电性连接功能的散热区；后在顶层再布线金属层图形开口处形成第二散热金属层；切割后形成四边无引脚的单颗芯片封装结构，该封装结构具有散热和电磁屏蔽功能。本发明通过多层散热金属层辅助封装结构进行散热，提高了封装结构在工作过程中的散热效果；另外，在塑封层与芯片背面及侧面接触面之间增加一层散热金属层还能在芯片之间起到抗电磁干扰的作用。

公开(公告)号：CN119581405A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411262843.9

申请日：2024-09-10

Applicant: 东南大学 ,  江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 史泰龙 ,  张中 ,  张国栋 ,  杨稳定

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明公开一种玻璃面板级嵌入式封装的空腔填充工艺，属于半导体器件领域。该工艺包括以下步骤：通过光刻工艺制作玻璃空腔掩膜图案；使用氢氟酸溶液湿法刻蚀制作玻璃空腔；将芯片贴合膜黏合在芯片底部；将芯片拾取并放置在玻璃空腔中；电介质层压和固化。通过该工艺填充空腔后，电介质层的表面平整度好，无需进一步的飞切或表面平整化工艺即可继续在电介质层上制作细间距RDL层，具有实用价值。

公开(公告)号：CN119361434A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411262845.8

申请日：2024-09-10

Applicant: 东南大学 ,  江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 史泰龙 ,  张中 ,  张国栋 ,  葛玉龙

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明公开一种减少芯片偏移的玻璃面板级嵌入式封装工艺，属于半导体器件技术领域。该工艺包括以下制作过程：在玻璃基板上形成玻璃空腔；使用粘合剂将带有空腔的玻璃基板与另一玻璃基板进行粘合；利用芯片粘合膜在空腔中放置芯片；对放置芯片后的整块封装基板两侧进行RDL层压与固化。该工艺解决了玻璃面板级嵌入式芯片封装中芯片位置会发生较大偏移的问题，具有实用价值。

公开(公告)号：CN119361534A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411262849.6

申请日：2024-09-10

Applicant: 东南大学 ,  江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 史泰龙 ,  张中 ,  张国栋 ,  谷玉坤

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种玻璃面板级嵌入式先进封装中铜柱型I/O与玻璃嵌入式封装体之间的互连工艺，属于半导体器件领域。该互连方法包括以下制作过程：制备玻璃嵌入式封装体；将RDL聚合物电介质层压在玻璃嵌入式封装体表面并固化；对RDL聚合物电介质层进行表面平整化处理，暴露芯片上的铜柱；使用标准半加成法工艺制作RDL层。该工艺在芯片有源面形成芯片到玻璃面板级嵌入式封装体的铜铜互连，与常见芯片至封装体的互连工艺相比，具有更短的互连路径和更低的互连损耗，具有实用价值。

公开(公告)号：CN118841387A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202411323535.2

申请日：2024-09-23

Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 龚臻 ,  张中 ,  谢雨龙 ,  赵玥 ,  张国栋 ,  潘明东

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明提供了一种液冷结构及具有液冷结构的芯片封装结构，液冷结构包括硅载板和分流器，硅载板内设有横向微通道和/或纵向微通道；横向微通道两端分别设有连通的第一分流器和第二分流器，第一分流器连通第一冷却液入口，第二分流器连通第一冷却液出口；纵向微通道两端分别连通的第三分流器和第四分流器，第三分流器连通第二冷却液入口，第四分流器连通第二冷却液出口。具有前述液冷结构的芯片封装结构，包括自上而下设置的HBM芯片、SOC芯片、硅载板、分流器和基板，分流器连通硅载板内部的横向微通道和/或纵向微通道，形成冷却通道。本发明采用了液冷微通道和分流器设计，有效地提高散热效率。

公开(公告)号：CN118553698A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202411018538.5

申请日：2024-07-29

Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司

Inventor： 赵玥 ,  谢雨龙 ,  张中 ,  张国栋 ,  潘明东 ,  龙欣江

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/552 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种具有散热和电磁屏蔽功能的封装结构及封装方法，该封装方法是在重构晶圆的上表面形成第一散热金属层，第一散热金属层完全覆盖芯片背面和侧面；制备与第一散热金属层连接的无电性连接功能的散热区；后在顶层再布线金属层图形开口处形成第二散热金属层；切割后形成四边无引脚的单颗芯片封装结构，该封装结构具有散热和电磁屏蔽功能。本发明通过多层散热金属层辅助封装结构进行散热，提高了封装结构在工作过程中的散热效果；另外，在塑封层与芯片背面及侧面接触面之间增加一层散热金属层还能在芯片之间起到抗电磁干扰的作用。