一种高速小波去噪系统及方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116361623A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310262638.1

    申请日:2023-03-17

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高速小波去噪系统及方法,属于硬件加速与信号处理领域。所述小波去噪系统包括:ADC模块、DMA模块、主存储器模块、协处理器模块、CPU和ROM;本发明通过设计SoC架构、优化小波变换的数据传输流程、减少CPU指令调度、定点数量化等方式,解决了小波变换硬件实现中高速小波变换存在的功耗过高的问题,达到了功耗降低的同时保证小波变换实时性,与以往硬件实现方式相比计算更简单,重复利用了FPGA的有限面积,即本发明在不增加电路面积的同时,提升了运算速度,降低了系统功耗。

    基于RISC-V和存内计算的AI推理方法及系统

    公开(公告)号:CN116361229A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310262629.2

    申请日:2023-03-17

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了基于RISC‑V和存内计算的AI推理方法及系统,属于人工智能技术领域。本发明设计存算一体结构式协处理器,存内计算将运算单元和存储单元相融合,可以避免卷积神经网络运算过程中大量且频繁的数据搬运,而带来的巨大功耗。同时可以大幅提升算力,适用于多类AI的应用场景;本发明采用RISC‑V指令集架构的CPU,扩展五条RISC‑V指令,与基于模拟方法的存算一体结构式协处理器协作,设计量化单元,通过调用对应的RISC‑V指令,使得深度学习算法的执行过程将根据其特性,分别在数字域、量化域和模拟域中进行计算,极大地降低系统功耗,实现高性能的AI推理,并且使得用户可以针对具体应用场景进行二次开发。

    一种压力传感器及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116735041A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310459845.6

    申请日:2023-04-26

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种压力传感器及其制备方法,属于半导体技术与制造领域。本发明的压力传感器,由下往上依次包括:硅衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN层,AlGaN层上有栅极、源极和漏极;硅衬底包括:基底,基底上从左往右依次设置第一支撑体、第二支撑体和第三支撑体;第二支撑体和第三支撑体的上表面与缓冲层下表面贴合,第二支撑体和第三支撑体之间形成空腔;第一支撑体的高度小于第二支撑体,与缓冲层之间有间隙。本发明通过受压时漏极内部电流传感通道的电阻发生增加,从而导致电流下降,进而实现压力传感,仿真结果证明,本发明的压力传感器不仅具备较高的灵敏度,且同时获得了更大的量程。

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