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公开(公告)号：CN114759536B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210499939.1
申请日：2022-05-09
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路以及方法，包括：强电流泄放SCR路径包括PNP晶体管和NPN晶体管、第一正偏二极管、第二正偏二极管、第三正偏二极管、第四正偏二极管、第二隧穿管以及各个器件之间的连接关系。本发明通过四个二极管辅助触发SCR，以实现静电浪涌防护电路快速开启、导通后强电压钳位的功能，本发明在面对静电浪涌应力时，根据不同位置和不同方向都可以进行泄放；其次，本发明针对I/O到VSS端口的超低压工作特性，设计了嵌套二极管开启路径，以促进静电浪涌防护电路快速响应，并且提高电路单元的复用性，能减少版图面积，提高静电浪涌防护效能，实现过压过流防护，电路触发电压灵活可控。
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公开(公告)号：CN114843262B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210499551.1
申请日：2022-05-09
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种面向低功耗电源管理芯片的静电浪涌防护电路，包括依次堆叠设置的P衬底、第一深N阱和第二深N阱，所述第一深N阱和第二深N阱间隔设置；所述第一深N阱上依次间隔设置有第一P阱和第二P阱；所述第二深N阱上设置有第三P阱；所述第一P阱、第二P阱和第三P阱上均设置有多个注入区，所述第一P阱和第二P阱之间设置有多个注入区，所述第三P阱的两侧也设置有多个注入区；所述注入区包括N+注入区和P+注入区。其占用面积小，寄生效应少，通过设置P阱并在P阱内设置注入区，能够调节所述防护电路的开启电压，实现电源管理芯片不同电源域的静电浪涌防护需求，同时，利用结构堆叠设计法，本防护电路能够形成多叉指互联版图。
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公开(公告)号：CN114759536A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210499939.1
申请日：2022-05-09
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路以及方法，包括：强电流泄放SCR路径包括PNP晶体管和NPN晶体管、第一正偏二极管、第二正偏二极管、第三正偏二极管、第四正偏二极管、第二隧穿管以及各个器件之间的连接关系。本发明通过四个二极管辅助触发SCR，以实现静电浪涌防护电路快速开启、导通后强电压钳位的功能，本发明在面对静电浪涌应力时，根据不同位置和不同方向都可以进行泄放；其次，本发明针对I/O到VSS端口的超低压工作特性，设计了嵌套二极管开启路径，以促进静电浪涌防护电路快速响应，并且提高电路单元的复用性，能减少版图面积，提高静电浪涌防护效能，实现过压过流防护，电路触发电压灵活可控。
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公开(公告)号：CN114843262A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210499551.1
申请日：2022-05-09
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种面向低功耗电源管理芯片的静电浪涌防护电路，包括依次堆叠设置的P衬底、第一深N阱和第二深N阱，所述第一深N阱和第二深N阱间隔设置；所述第一深N阱上依次间隔设置有第一P阱和第二P阱；所述第二深N阱上设置有第三P阱；所述第一P阱、第二P阱和第三P阱上均设置有多个注入区，所述第一P阱和第二P阱之间设置有多个注入区，所述第三P阱的两侧也设置有多个注入区；所述注入区包括N+注入区和P+注入区。其占用面积小，寄生效应少，通过设置P阱并在P阱内设置注入区，能够调节所述防护电路的开启电压，实现电源管理芯片不同电源域的静电浪涌防护需求，同时，利用结构堆叠设计法，本防护电路能够形成多叉指互联版图。
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