一种适用于TFT-LCD玻璃基板的超声雾化型抛光液

    公开(公告)号:CN104017501A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410258142.8

    申请日:2014-06-12

    Applicant: 江南大学

    Inventor: 李庆忠 莫益栋

    Abstract: 一种适用于TFT-LCD玻璃基板的超声雾化型抛光液,所用原料包括氧化铈、硅溶胶、去离子水、pH调节剂、表面活性剂;本适用于TFT-LCD玻璃基板的超声雾化型抛光液由下述生产步骤得到:首先将1~10份的氧化铈溶于25~30份的去离子水,搅拌加入16~50份的硅溶胶至溶液无絮状物,然后加入pH调节剂和去离子水来调节溶液pH为10~12,最后加入0.5~2份表面活性剂,充分溶解后超声分散10~30分钟,即得所述抛光液。本发明抛光液经雾化使用,操作简单,消耗量小,抛光效率高,抛光后玻璃表面平整性好,不损伤抛光机,无污染。

    一种适用于TFT-LCD玻璃基板的超声雾化型抛光液

    公开(公告)号:CN104017501B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201410258142.8

    申请日:2014-06-12

    Applicant: 江南大学

    Inventor: 李庆忠 莫益栋

    Abstract: 一种适用于TFT-LCD玻璃基板的超声雾化型抛光液,所用原料包括氧化铈、硅溶胶、去离子水、pH调节剂、表面活性剂;本适用于TFT-LCD玻璃基板的超声雾化型抛光液由下述生产步骤得到:首先将1~10份的氧化铈溶于25~30份的去离子水,搅拌加入16~50份的硅溶胶至溶液无絮状物,然后加入pH调节剂和去离子水来调节溶液pH为10~12,最后加入0.5~2份表面活性剂,充分溶解后超声分散10~30分钟,即得所述抛光液。本发明抛光液经雾化使用,操作简单,消耗量小,抛光效率高,抛光后玻璃表面平整性好,不损伤抛光机,无污染。

    适用于精细雾化CMP的一种碱性二氧化硅抛光液

    公开(公告)号:CN102174295B

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201110073546.6

    申请日:2011-03-25

    Applicant: 江南大学

    Inventor: 李庆忠 翟靖

    Abstract: 本发明公开了适用于精细雾化CMP的一种碱性二氧化硅抛光液,其特征在于包括二氧化硅、氧化剂、表面活性剂,所述氧化剂为过氧化氢溶液,所述表面活性剂为聚乙二醇,所述二氧化硅的质量百分比为28%-32%,所述氧化剂的质量百分比为1%-3%,所述表面活性剂的质量百分比为1.5%-3.5%,所述二氧化硅包括硅溶胶和白碳黑,所述二氧化硅抛光液的pH值为9.5-11.5。本发明通过实验研究和分析,得到了适合雾化抛光工艺的SiO2抛光液。

    一种超声波雾化型抛光机

    公开(公告)号:CN102672551A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210159833.3

    申请日:2012-05-22

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明涉及一种超声波雾化型抛光机,包括底座,所述底座中部成凹形结构,所述凹形结构上通过紧固件安装有抛光垫,所述抛光垫底部两端设置有抽气管,所述抛光垫上部安装有加工产品的导液加压装置,所述导液加压装置通过管路输入已雾化的抛光液;所述底座顶部密封安装有罩壳;本发明结构简单,制造与安装方便,抛光机采用负压工作状态原理,通过超声雾化器将抛光液雾化,通过管路将已雾化的抛光液输入到导液加压装置中,可以方便的实现产品表面抛光加工,本发明减少了抛光液的使用量,采用密封空间,提高了抛光液的利用率,降低生成成本。

    适用于精细雾化CMP的一种碱性二氧化硅抛光液

    公开(公告)号:CN102174295A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110073546.6

    申请日:2011-03-25

    Applicant: 江南大学

    Inventor: 李庆忠 翟靖

    Abstract: 本发明公开了适用于精细雾化CMP的一种碱性二氧化硅抛光液,其特征在于包括二氧化硅、氧化剂、表面活性剂,所述氧化剂为过氧化氢溶液,所述表面活性剂为聚乙二醇,所述二氧化硅的质量百分比为28%-32%,所述氧化剂的质量百分比为1%-3%,所述表面活性剂的质量百分比为1.5%-3.5%,所述二氧化硅包括硅溶胶和白碳黑,所述二氧化硅抛光液的pH值为9.5-11.5。本发明通过实验研究和分析,得到了适合雾化抛光工艺的SiO2抛光液。

    超声波雾化型碱性抛光液

    公开(公告)号:CN102382576A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110354686.0

    申请日:2011-11-10

    Applicant: 江南大学

    Inventor: 李庆忠 翟靖

    Abstract: 一种超声波雾化型碱性抛光液,其制备方法如下:(1)取质量份数为8~15份的白碳黑,加入8倍白碳黑质量的去离子水,充分搅拌后使之成为粥状,不产生沉淀;(2)加入pH值调节剂稀释液,边加入边搅拌,使其pH值达到9.5;(3)加入1~5份的表面活性剂,持续搅拌,使之充分溶解;(4)加入70~135份的硅溶胶,搅拌至溶液澄清无絮状物,加入pH值调节剂稀释液,不断搅拌,使溶液pH值为10;(5)加入5~10份的氧化剂,再次加入pH值调节剂稀释液,调整pH值达到10~12;(6)加入去离子水,使整个体系质量份数达到300份,即得本超声波雾化型碱性抛光液。本发明在进行硅片抛光时,耗损量不足10ml/min,具有良好的抛光效果。

    一种硅晶体线切割液
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102784977A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210267898.X

    申请日:2012-07-31

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 一种硅晶体线切割液,其组分及各组分的质量百分比如下:分散剂60~70wt%,有机碱8~12wt%,表面活性剂4~6wt%,消泡剂2~6wt%,螯合剂1~3wt%,去离子水3~25wt%;所述分散剂为聚乙二醇400,所述有机碱为二乙醇胺,所述消泡剂为二甲基硅油,所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠,所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠。本线切割液具有适当的pH值、粘度及较好的润滑渗透性,并对SiC磨粒具有高的悬浮率,经过试验,其对硅晶体具有较高的材料去除速率,可有效的降低硅片表面粗糙度及损伤,并且能够去除金属离子的污染。

    适用于精细雾化CMP的铜抛光液

    公开(公告)号:CN102199400A

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN201110073508.0

    申请日:2011-03-25

    Applicant: 江南大学

    Inventor: 李庆忠 张慧

    Abstract: 本发明公开了一种适用于精细雾化CMP的铜抛光液,其包括白碳黑、双氧水、苯并三氮唑、氨基乙酸,其中白碳黑的质量百分比为1%~3%,双氧水的质量百分比为2%~8%,苯并三氮唑的质量百分比为1%,氨基乙酸的质量百分比为0.7%,剩余组分为去离子水,所述铜抛光液的pH值为9.5-10.5。本发明通过实验研究,得到了适合雾化抛光工艺的铜抛光液组分。

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