公开(公告)号：CN105161401A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510495993.9

申请日：2015-08-13

Applicant: 江南大学

Inventor： 肖少庆 ,  张学成 ,  肖鹏 ,  顾晓峰 ,  丁荣

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02568 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明涉及一种使用氮气(N2)和六氟化硫(SF6)气体在低密度等离子体放电环境下对层状二维材料二硫化钼(MoS2)刻蚀的方法，使得层状MoS2被均匀、有效地逐层刻蚀，最终达到单层或者少层。本发明利用由N2和SF6在低密度等离子体环境下产生的三氟化氮(NF3)对最外层MoS2进行纯化学刻蚀，最终生成的反应副产物以气体的形式被带走，留下干净均匀的底层MoS2。这种利用纯化学反应刻蚀对层状MoS2进行减薄的方法，大大减少了离子束对MoS2表面的轰击效应以及相应的表面损伤，使得刻蚀效果比较均匀，表面粗糙度基本保持与原材料相近。同时，该方法重复性好，可控性强，能根据时间和等离子体功率来确定所需刻蚀的层数以及刻蚀速率，适合大规模生产大面积的薄层或者单层MoS2，有利于推动和发展新型半导体产业。

公开(公告)号：CN104694906B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201510067829.8

申请日：2015-02-09

Applicant: 江南大学

Inventor： 肖少庆 ,  张学成 ,  顾晓峰 ,  丁荣

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种薄膜沉积方法，特别是非平行板式电容耦合等离子体化学气相沉积方法，包括平面矩形螺旋状电感天线、低频电源发生器、阻抗匹配网络、柱状真空室、石英玻璃和衬底支架。本发明通过控制射频输入功率以及调谐匹配电容，实现了在真空室内的电容耦合稳定放电：等离子体密度较低，并且线圈两端的电位差建立的与衬底表面平行的径向静电场起主导作用，使得正离子的运动被约束在与衬底表面平行的方向。所以本发明从两方面即降低等离子体密度和约束正离子运动方向着手，可显著抑制化学气相沉积过程中正离子对薄膜表面的轰击，降低表面损伤。此系统可用于制备高效晶硅太阳能电池中必需的各种钝化层，如非晶硅和非晶氮化硅等。

公开(公告)号：CN104900730A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510213988.4

申请日：2015-04-29

Applicant: 江南大学

Inventor： 肖少庆 ,  姚尧 ,  顾晓峰 ,  张秀梅 ,  丁荣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/068

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0682

Abstract: 本发明涉及一种n型晶硅异质结(HIT)太阳能电池结构的优化方法，提出在p型发射层(p-a-Si:H)与透明导电膜(n-AZO)之间镶嵌金纳米颗粒(Au-NPs)来改善它们的界面电学传输特性，提高HIT电池的效率。兼顾光学与电学性能的高功函数Au-NPs不仅有助于解决p型发射层与n型AZO之间由功函数失配而导致的肖特基势垒阻挡载流子传输的问题，而且还可形成表面等离子激元，通过表面等离子激元共振效应增强光在电池内部的散射、吸收，从而进一步提高HIT电池的光电转换效率。本发明可应用于高效单结和双结晶硅HIT太阳能电池以及相互交错背接触式(IBC)异质结太阳能电池。

公开(公告)号：CN104694906A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510067829.8

申请日：2015-02-09

Applicant: 江南大学

Inventor： 肖少庆 ,  张学成 ,  顾晓峰 ,  丁荣

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种薄膜沉积方法，特别是非平行板式电容耦合等离子体化学气相沉积方法，包括平面矩形螺旋状电感天线、低频电源发生器、阻抗匹配网络、柱状真空室、石英玻璃和衬底支架。本发明通过控制射频输入功率以及调谐匹配电容，实现了在真空室内的电容耦合稳定放电：等离子体密度较低，并且线圈两端的电位差建立的与衬底表面平行的径向静电场起主导作用，使得正离子的运动被约束在与衬底表面平行的方向。所以本发明从两方面即降低等离子体密度和约束正离子运动方向着手，可显著抑制化学气相沉积过程中正离子对薄膜表面的轰击，降低表面损伤。此系统可用于制备高效晶硅太阳能电池中必需的各种钝化层，如非晶硅和非晶氮化硅等。