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公开(公告)号:CN104900730A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201510213988.4
申请日:2015-04-29
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0352 , H01L31/0682
Abstract: 本发明涉及一种n型晶硅异质结(HIT)太阳能电池结构的优化方法,提出在p型发射层(p-a-Si:H)与透明导电膜(n-AZO)之间镶嵌金纳米颗粒(Au-NPs)来改善它们的界面电学传输特性,提高HIT电池的效率。兼顾光学与电学性能的高功函数Au-NPs不仅有助于解决p型发射层与n型AZO之间由功函数失配而导致的肖特基势垒阻挡载流子传输的问题,而且还可形成表面等离子激元,通过表面等离子激元共振效应增强光在电池内部的散射、吸收,从而进一步提高HIT电池的光电转换效率。本发明可应用于高效单结和双结晶硅HIT太阳能电池以及相互交错背接触式(IBC)异质结太阳能电池。