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公开(公告)号：CN106012003B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610398798.9
申请日：2016-06-07
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及单晶金刚石材料的制造方法。一种CVD单晶金刚石的二维扩大方法，其特征在于包括如下步骤：a.选将单晶金刚石籽晶置于中心开有孔的衬底托之内，使得单晶金刚石籽晶暴露；衬底托由金属钼做成；b. 将带有单晶金刚石籽晶的衬底托放入沉积室；对沉积室抽真空；c. 通过微波等离子体化学气相沉积法产生等离子体：向沉积室通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，沉积室内部气体吸收微波能量激发产生等离子体；从使得单晶金刚石能够在顶部表面和四个侧面同时生长，实现单晶金刚石的二维扩大；d.剥离，即可获得大尺寸的单晶金刚石。该方法涉及的是利用微波等离子体化学气相沉积法在单晶金刚石衬底上二维生长单晶金刚石，从而扩大单晶金刚石的尺寸。
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公开(公告)号：CN106012003A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610398798.9
申请日：2016-06-07
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及单晶金刚石材料的制造方法。一种CVD单晶金刚石的二维扩大方法，其特征在于包括如下步骤：a.选将单晶金刚石籽晶置于中心开有孔的衬底托之内，使得单晶金刚石籽晶暴露；衬底托由金属钼做成；b.将带有单晶金刚石籽晶的衬底托放入沉积室；对沉积室抽真空；c.通过微波等离子体化学气相沉积法产生等离子体：向沉积室通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，沉积室内部气体吸收微波能量激发产生等离子体；从使得单晶金刚石能够在顶部表面和四个侧面同时生长，实现单晶金刚石的二维扩大；d.剥离，即可获得大尺寸的单晶金刚石。该方法涉及的是利用微波等离子体化学气相沉积法在单晶金刚石衬底上二维生长单晶金刚石，从而扩大单晶金刚石的尺寸。
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公开(公告)号：CN105862131A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610390376.7
申请日：2016-06-03
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于二维晶体制备领域。一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，首先将硅片进行超声波清洗，然后将清洗后的硅片放入基片台上，基片台位于腔体内，对腔体抽真空；第二步，向腔体通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，使气体吸收微波能量产生等离子体；第三步，打开脉冲电源，调节腔体中钼电极和基片台之间的电压，使钼电极和基片台之间产生弧光放电，调节脉冲的时间控制弧光的产生时间；第四步，待反应结束后，关闭脉冲电源，待腔体内腔室冷却后，取出样品，得到碳化钼晶体。该方法解决了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)中钼引入较难的问题，并且能够较好的控制钼的摄入量，获得较纯的碳化钼晶体。
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公开(公告)号：CN105862131B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610390376.7
申请日：2016-06-03
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于二维晶体制备领域。一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，首先将硅片进行超声波清洗，然后将清洗后的硅片放入基片台上，基片台位于腔体内，对腔体抽真空；第二步，向腔体通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，使气体吸收微波能量产生等离子体；第三步，打开脉冲电源，调节腔体中钼电极和基片台之间的电压，使钼电极和基片台之间产生弧光放电，调节脉冲的时间控制弧光的产生时间；第四步，待反应结束后，关闭脉冲电源，待腔体内腔室冷却后，取出样品，得到碳化钼晶体。该方法解决了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)中钼引入较难的问题，并且能够较好的控制钼的摄入量，获得较纯的碳化钼晶体。
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