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公开(公告)号：CN105252099B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510824068.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 武汉工程大学
IPC: B23K3/04 , B23K1/19 , B23K103/18
Abstract: 本发明涉及金属与金刚石焊接领域。一种利用微波等离子体焊接金刚石真空窗口的方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，将金属法兰和金刚石窗口清洗；第二步，金属法兰和金刚石窗口分别涂上焊料，然后将涂有焊料的面接触叠放，得到试样；第三步，试样放入焊接腔中的基片台上，然后对焊接腔进行抽真空，调节基片台的位置使试样表面低于屏蔽圆筒的上端面；第四步，使气体吸收微波能量产生等离子体；第五步，调节基片台的高度使样品快速接触微波等离子体；第六步，焊接完成后，得到试件；真空冷却，去真空并取出焊接完成的试件，整个焊接工作完成。该方法显著提高焊接质量与稳定性，提高金属与金刚石的焊接效率。
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公开(公告)号：CN106012003B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610398798.9
申请日：2016-06-07
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及单晶金刚石材料的制造方法。一种CVD单晶金刚石的二维扩大方法，其特征在于包括如下步骤：a.选将单晶金刚石籽晶置于中心开有孔的衬底托之内，使得单晶金刚石籽晶暴露；衬底托由金属钼做成；b. 将带有单晶金刚石籽晶的衬底托放入沉积室；对沉积室抽真空；c. 通过微波等离子体化学气相沉积法产生等离子体：向沉积室通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，沉积室内部气体吸收微波能量激发产生等离子体；从使得单晶金刚石能够在顶部表面和四个侧面同时生长，实现单晶金刚石的二维扩大；d.剥离，即可获得大尺寸的单晶金刚石。该方法涉及的是利用微波等离子体化学气相沉积法在单晶金刚石衬底上二维生长单晶金刚石，从而扩大单晶金刚石的尺寸。
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公开(公告)号：CN106012003A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610398798.9
申请日：2016-06-07
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及单晶金刚石材料的制造方法。一种CVD单晶金刚石的二维扩大方法，其特征在于包括如下步骤：a.选将单晶金刚石籽晶置于中心开有孔的衬底托之内，使得单晶金刚石籽晶暴露；衬底托由金属钼做成；b.将带有单晶金刚石籽晶的衬底托放入沉积室；对沉积室抽真空；c.通过微波等离子体化学气相沉积法产生等离子体：向沉积室通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，沉积室内部气体吸收微波能量激发产生等离子体；从使得单晶金刚石能够在顶部表面和四个侧面同时生长，实现单晶金刚石的二维扩大；d.剥离，即可获得大尺寸的单晶金刚石。该方法涉及的是利用微波等离子体化学气相沉积法在单晶金刚石衬底上二维生长单晶金刚石，从而扩大单晶金刚石的尺寸。
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公开(公告)号：CN105252099A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510824068.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 武汉工程大学
IPC: B23K3/04 , B23K1/19 , B23K103/18
CPC classification number: B23K3/04 , B23K1/19 , B23K2103/18
Abstract: 本发明涉及金属与金刚石焊接领域。一种利用微波等离子体焊接金刚石真空窗口的方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，将金属法兰和金刚石窗口清洗；第二步，金属法兰和金刚石窗口分别涂上焊料，然后将涂有焊料的面接触叠放，得到试样；第三步，试样放入焊接腔中的基片台上，然后对焊接腔进行抽真空，调节基片台的位置使试样表面低于屏蔽圆筒的上端面；第四步，使气体吸收微波能量产生等离子体；第五步，调节基片台的高度使样品快速接触微波等离子体；第六步，焊接完成后，得到试件；真空冷却，去真空并取出焊接完成的试件，整个焊接工作完成。该方法显著提高焊接质量与稳定性，提高金属与金刚石的焊接效率。
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