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公开(公告)号：CN105862131A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610390376.7
申请日：2016-06-03
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于二维晶体制备领域。一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，首先将硅片进行超声波清洗，然后将清洗后的硅片放入基片台上，基片台位于腔体内，对腔体抽真空；第二步，向腔体通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，使气体吸收微波能量产生等离子体；第三步，打开脉冲电源，调节腔体中钼电极和基片台之间的电压，使钼电极和基片台之间产生弧光放电，调节脉冲的时间控制弧光的产生时间；第四步，待反应结束后，关闭脉冲电源，待腔体内腔室冷却后，取出样品，得到碳化钼晶体。该方法解决了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)中钼引入较难的问题，并且能够较好的控制钼的摄入量，获得较纯的碳化钼晶体。
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公开(公告)号：CN105862131B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610390376.7
申请日：2016-06-03
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于二维晶体制备领域。一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，首先将硅片进行超声波清洗，然后将清洗后的硅片放入基片台上，基片台位于腔体内，对腔体抽真空；第二步，向腔体通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，使气体吸收微波能量产生等离子体；第三步，打开脉冲电源，调节腔体中钼电极和基片台之间的电压，使钼电极和基片台之间产生弧光放电，调节脉冲的时间控制弧光的产生时间；第四步，待反应结束后，关闭脉冲电源，待腔体内腔室冷却后，取出样品，得到碳化钼晶体。该方法解决了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)中钼引入较难的问题，并且能够较好的控制钼的摄入量，获得较纯的碳化钼晶体。
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公开(公告)号：CN106083128A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610628552.6
申请日：2016-08-03
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: C04B37/023 , C04B2237/363 , C04B2237/40 , C04B2237/84 , E21B10/46
Abstract: 本发明涉及金刚石应用钻头领域。一种MPCVD金刚石片制备钻头齿的方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，调节好MPCVD装置沉积工艺参数，沉积一段时间后得到MPCVD金刚石片；第二步，测量硬质合金的焊接端圆柱体直径和高度；第三步，将沉积所得的MPCVD金刚石片的直径和厚度加工到要求尺寸；第四步，在MPCVD金刚石片的正中心位置切开圆孔；第五步，MPCVD金刚石片的圆孔内壁面和硬质合金的焊接端圆柱体上分别涂上焊料，然后将MPCVD金刚石片通过其圆孔套在硬质合金的焊接端圆柱体上，施加压力使MPCVD金刚石片、焊料和硬质合金充分接触，得到试样；第六步，对填充好焊料的试样进行焊接过程，最终得到MPCVD金刚石片钻头齿。该方法显著提高了钻头的使用寿命以及稳定性。
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