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公开(公告)号：CN116544324A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310440063.8
申请日：2023-04-21
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了基于非对称阶梯形量子阱有源区的倒装Micro‑LED芯片及制造方法。有源区设有量子阱结构，量子阱结构包括中间一层高铟组分的铟镓氮量子阱层，两侧为不同厚度的低铟组分的铟镓氮量子阱层。该量子阱结构用于将电子和空穴波函数限制在有源区的中心，提高载流子波函数的重叠度，提高空穴注入效率，降低电子泄露；量子阱结构可降低面内极化电场的影响，提高有源区中辐射复合的几率，减小发射波长随电流的移动。此外能提高载流子波函数重叠积分，提高空穴注入降低电子泄露，提高发光效率、出光颜色的纯度和稳定性。还设置DBR，针对多个中心波长，拓展高反射带宽，可将有源区的光子反射到出光面，提高光提取效率和外量子效率。
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公开(公告)号：CN119918123A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411693394.3
申请日：2024-11-25
Applicant: 武汉大学
IPC: G06F30/13 , G06F30/23 , G06T17/10 , G06F111/10 , G06F111/04 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种深基坑侧移计算方法、装置、电子设备、介质及程序产品。该方法包括：基于每个基坑工程构件的BIM族模型建立完整的基坑BIM模型；基于基坑BIM模型确定每个开挖步骤下的计算模型，并基于每个开挖步骤下的计算模型，得到对应开挖步骤下的节点荷载矩阵和对应开挖步骤下的刚度矩阵；基于每个开挖步骤下的节点荷载矩阵和每个开挖步骤下的刚度矩阵，得到每个开挖步骤下的支护结构的变形增量，依次叠加每个开挖步骤下的支护结构的变形增量，得到每个开挖步骤下的基坑支护变形。由此，解决了现有技术采用的全模型有限元分析方式计算成本高昂且效率低下的问题，大幅提升基坑侧移变形预测工作的便捷性与准确性。
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公开(公告)号：CN118610330A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410754460.7
申请日：2024-06-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请涉及一种红光倒装Micro‑LED芯片及其制备方法，红光倒装Micro‑LED芯片包括：基底，所述基底上生长有外延结构；所述外延结构包括n型层、铟组分渐变量子阱有源区和p型层，所述n型层位于所述铟组分渐变量子阱有源区靠近所述基底的一侧，且所述p型层位于所述铟组分渐变量子阱有源区远离所述基底的一侧。本申请通过在芯片的外延结构中采用铟组分渐变量子阱有源区，利用铟组分渐变量子阱有源区中铟组分的渐变增加抵消极化电场导致的势能线性降低，从而抑制俄歇复合过程、缓解大电流下的效率衰减，提高出光颜色的纯度和稳定性，解决了相关技术中红光Micro‑LED芯片有源区中极化电场随波长而增加，导致Micro‑LED芯片发光效率较低和发光波长漂移的技术问题。
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公开(公告)号：CN114497325A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210043578.X
申请日：2022-01-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入量子点的全彩Micro‑LED显示芯片及其制备方法。本发明在n型半导体层制备特殊的纳米孔图形阵列，分别在红光Micro‑LED芯片和绿光Micro‑LED芯片的纳米孔图形阵列中注入红色和绿色量子点，提高量子点的色转换效率和芯片的光提取效率。本发明在Micro‑LED芯片表面制备了一种复合介质层。采用ALD技术沉积一层薄的第一介质层，采用PECVD技术沉积一层厚的第二介质层，并且第一介质层和第二介质层的折射率不同，在降低芯片制备成本的同时，有效降低了芯片的非辐射复合几率和漏电流，提高了芯片的光提取效率。
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