-
公开(公告)号：CN114497325A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210043578.X
申请日：2022-01-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入量子点的全彩Micro‑LED显示芯片及其制备方法。本发明在n型半导体层制备特殊的纳米孔图形阵列，分别在红光Micro‑LED芯片和绿光Micro‑LED芯片的纳米孔图形阵列中注入红色和绿色量子点，提高量子点的色转换效率和芯片的光提取效率。本发明在Micro‑LED芯片表面制备了一种复合介质层。采用ALD技术沉积一层薄的第一介质层，采用PECVD技术沉积一层厚的第二介质层，并且第一介质层和第二介质层的折射率不同，在降低芯片制备成本的同时，有效降低了芯片的非辐射复合几率和漏电流，提高了芯片的光提取效率。
-
公开(公告)号：CN112785117A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011508929.7
申请日：2020-12-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司台州供电公司 , 台州宏达电力建设有限公司 , 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种输电线路全线雷电绕击跳闸风险多维分析方法，首先对需进行雷电绕击跳闸风险分析的输电线路雷暴日、杆塔尺寸、地形比例、海拔、绝缘配置数据进行收集，依次计算击距、暴露距离、修正海拔因素的线路耐压水平、单基塔的雷电绕击风险。基于计算模型研究不同杆塔呼高、雷电日、地形等情况下的雷电绕击特性，能够识别全线薄弱环节；选取代表组合条件计算典型杆塔雷电绕击跳闸风险，基于同区域全线地形比例及杆塔使用情况，提取权重系数计算全线雷电绕击跳闸风险，能够快速通过典型组合的加权平均对全线雷电绕击跳闸风险进行分析，为线路的防雷提供有效建议，具有较好的准确性性和客观性。
-
公开(公告)号：CN113257974B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110482524.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有超纳米晶金刚石导电层的发光二极管芯片及制备方法；所述发光二极管芯片包括：衬底；外延层，设置在所述衬底的表面，由下至上依次包括成核层、无掺杂半导体层、n型半导体层、多量子阱有源层和p型半导体层；多个氧化物图形，间隔设置在所述p型半导体层远离所述多量子阱有源层的表面；导电层，设置在所述多个氧化物图形远离所述多量子阱有源层的表面，并覆盖多个所述氧化物图形及多个所述氧化物图形之间的所述p型半导体层，且由氮掺杂超纳米晶金刚石制成；n电极，设置在所述导电层的表面；p电极，设置在所述n型半导体层的表面。本申请提供的发光二极管芯片电光转换效率和内量子效率高。
-
公开(公告)号：CN113257974A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110482524.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有超纳米晶金刚石导电层的发光二极管芯片及制备方法；所述发光二极管芯片包括：衬底；外延层，设置在所述衬底的表面，由下至上依次包括成核层、无掺杂半导体层、n型半导体层、多量子阱有源层和p型半导体层；多个氧化物图形，间隔设置在所述p型半导体层远离所述多量子阱有源层的表面；导电层，设置在所述多个氧化物图形远离所述多量子阱有源层的表面，并覆盖多个所述氧化物图形及多个所述氧化物图形之间的所述p型半导体层，且由氮掺杂超纳米晶金刚石制成；n电极，设置在所述导电层的表面；p电极，设置在所述n型半导体层的表面。本申请提供的发光二极管芯片电光转换效率和内量子效率高。
-
公开(公告)号：CN112018223B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010883941.X
申请日：2020-08-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种粘合层转印的薄膜倒装结构Micro‑LED芯片及其制备方法，能够有效提高芯片的光提取效率。制备方法包括：在衬底上生长外延层；沉积电流阻挡层；刻蚀形形成锥台状的第一锥台状外延层和第二锥台外延层；形成p电极和n电极；沉积多对交替堆叠的DBR反射层；在外延层表面蒸镀Ti/Au种子层，在种子层上电镀一层厚的Ni支撑层；蚀隔离沟槽，制作出具有倒装结构的芯片阵列；在n‑GaN层的N极性面上刻蚀出微米六棱锥粗化结构；进一步刻蚀出纳米柱粗化结构；在图形化临时基板上涂覆粘合层，与n电极表面选择性粘合；去除Ni支撑层，将p电极和n电极分别与目标基板焊接；去除粘合层，得到转印完成的芯片。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349821A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011136251.4
申请日：2020-10-22
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种利用层错减少位错和应力的方法、LED外延片及应用，适用于半导体技术领域。本发明利用所述方法生长的LED外延片结构包括蓝宝石衬底以及由下至上依次生长的层错诱导层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层。本发明利用层错诱导层在外延生长的未掺杂GaN材料中形成基面层错，可以弥补GaN与蓝宝石的晶格常数失配，从而降低GaN外延薄膜的位错密度和残余应力，尤其适用于在未掺杂GaN层上构建高铟组分InGaN/GaN多量子阱结构。同时本发明具有简单易行、重复性好等优点，具有极大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN112018223A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010883941.X
申请日：2020-08-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种粘合层转印的薄膜倒装结构Micro-LED芯片及其制备方法，能够有效提高芯片的光提取效率。制备方法包括：在衬底上生长外延层；沉积电流阻挡层；刻蚀形形成锥台状的第一锥台状外延层和第二锥台外延层；形成p电极和n电极；沉积多对交替堆叠的DBR反射层；在外延层表面蒸镀Ti/Au种子层，在种子层上电镀一层厚的Ni支撑层；蚀隔离沟槽，制作出具有倒装结构的芯片阵列；在n-GaN层的N极性面上刻蚀出微米六棱锥粗化结构；进一步刻蚀出纳米柱粗化结构；在图形化临时基板上涂覆粘合层，与n电极表面选择性粘合；去除Ni支撑层，将p电极和n电极分别与目标基板焊接；去除粘合层，得到转印完成的芯片。
-
公开(公告)号：CN111054918B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911368500.X
申请日：2019-12-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种精确制备适用于生物传感器间距可控的超细金属微米柱阵列的方法。其制备：1)清洗带纳米孔阵列的基底，吹干；2)基底表面旋涂光刻胶，烘干；3)使用激光直写设备设计微米柱阵列的图案，按照设计曝光相应区域，并用显影液去除微米柱阵列对应区域光刻胶；4)在基底底部施加负压，将金属纳米浆料填充至去除光刻胶后的微米柱阵列区域，最后进行研磨；5)透光片压在基地顶部，然后激光穿过透光片进行扫描，烧结固化金属浆料；6)去除剩余光刻胶，即得超细金属微米柱阵列。本方法可以任意设计超细金属微米柱的外部形貌和阵列排布，所得超细金属微米柱形状规则无缺陷，尺寸精度高，用于生物传感器中有利于信号增强和信号传递。
-
公开(公告)号：CN111054918A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911368500.X
申请日：2019-12-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种精确制备适用于生物传感器间距可控的超细金属微米柱阵列的方法。其制备：1)清洗带纳米孔阵列的基底，吹干；2)基底表面旋涂光刻胶，烘干；3)使用激光直写设备设计微米柱阵列的图案，按照设计曝光相应区域，并用显影液去除微米柱阵列对应区域光刻胶；4)在基底底部施加负压，将金属纳米浆料填充至去除光刻胶后的微米柱阵列区域，最后进行研磨；5)透光片压在基地顶部，然后激光穿过透光片进行扫描，烧结固化金属浆料；6)去除剩余光刻胶，即得超细金属微米柱阵列。本方法可以任意设计超细金属微米柱的外部形貌和阵列排布，所得超细金属微米柱形状规则无缺陷，尺寸精度高，用于生物传感器中有利于信号增强和信号传递。
-
公开(公告)号：CN112785117B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011508929.7
申请日：2020-12-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司台州供电公司 , 台州宏达电力建设有限公司 , 武汉大学
IPC: G06Q10/0635 , G06Q50/06 , G06F17/15 , G06F17/18
Abstract: 本发明公开了一种输电线路全线雷电绕击跳闸风险多维分析方法，首先对需进行雷电绕击跳闸风险分析的输电线路雷暴日、杆塔尺寸、地形比例、海拔、绝缘配置数据进行收集，依次计算击距、暴露距离、修正海拔因素的线路耐压水平、单基塔的雷电绕击风险。基于计算模型研究不同杆塔呼高、雷电日、地形等情况下的雷电绕击特性，能够识别全线薄弱环节；选取代表组合条件计算典型杆塔雷电绕击跳闸风险，基于同区域全线地形比例及杆塔使用情况，提取权重系数计算全线雷电绕击跳闸风险，能够快速通过典型组合的加权平均对全线雷电绕击跳闸风险进行分析，为线路的防雷提供有效建议，具有较好的准确性性和客观性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.033 seconds)
