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公开(公告)号：CN114148987A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111315844.1
申请日：2021-11-08
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 公开了一种微机电系统装置的制造方法、微机电系统装置和电子设备。微机电系统装置包括薄膜型的微机电系统器件层，以及该制造方法包括：在微机电系统衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成微机电系统器件层；经由临时键合层将载体层临时键合在微机电系统器件层上，其中，载体层是透明的并且是刚性的；通过对牺牲层进行处理以释放微机电系统器件层；通过曝光从所释放的微机电系统器件层上对载体层进行解键合；以及去除临时键合层。
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公开(公告)号：CN119461227A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411424546.X
申请日：2024-10-12
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种MEMS差压传感器及其制备方法。该一种MEMS差压传感器，包括基底、振膜部、背极部和支撑部，其中基底内设有背洞结构，振膜部设于基底的一侧，振膜部封闭背洞结构，背极部设于振膜部背离基底的一侧并与振膜部相连，振膜部通过支撑部与基底相连，并且支撑部内设有泄气通道，泄气通道分别连通背洞结构与基底的外部。根据本实施方式的MEMS差压传感器，支撑部内设置泄气通道而不是在振膜上开设泄气孔，避免了外界污染物通过泄气孔直接进入gap区域，防止MEMS差压传感器因为gap区域内的外界污染物而导致失效。同时，由于泄气通道连通背洞结构和基底的外部，所以能够维持良好的泄气性能。
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公开(公告)号：CN114371431B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202111671062.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种磁场传感器、制作工艺及其磁场检测方法，所述磁场检测方法包括以下步骤：制作样本磁场传感器，其中所述样本磁场传感器中的磁感应器件为霍尔棒结构；标定所述样本磁场传感器的霍尔电阻与各分量磁场强度的标准变化曲线；将磁性单元与所述样本磁场传感器集成得到标准磁场传感器；检测所述标准磁场传感器的实测霍尔电阻，根据所述实测霍尔电阻查询所述标准变化曲线，确定所述磁性单元的各实测分量磁场强度。本申请解决了现有技术对微型磁性单元进行高精度三维磁场探测效果差的技术问题，大大提高了对芯片内的微型磁性单元进行三维磁场探测的准确性和精确度。
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公开(公告)号：CN114148987B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202111315844.1
申请日：2021-11-08
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 公开了一种微机电系统装置的制造方法、微机电系统装置和电子设备。微机电系统装置包括薄膜型的微机电系统器件层，以及该制造方法包括：在微机电系统衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成微机电系统器件层；经由临时键合层将载体层临时键合在微机电系统器件层上，其中，载体层是透明的并且是刚性的；通过对牺牲层进行处理以释放微机电系统器件层；通过曝光从所释放的微机电系统器件层上对载体层进行解键合；以及去除临时键合层。
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公开(公告)号：CN119898727A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411977690.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种MEMS芯片及其制备方法和气体传感器，其中，所述制备方法，包括：在衬底的第一侧依次形成第一极板层、间隙层和第二极板层，所述间隙层具有牺牲部，所述牺牲部位于所述第一极板层与所述第二极板层之间；在所述第二极板层上形成通气孔，所述通气孔的第一端与外部连通，所述通气孔的第二端延伸至所述牺牲部；从所述通气孔刻蚀去除所述牺牲部，以在所述第一极板层与所述第二极板层之间形成气体检测空腔，得到MEMS芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114148986B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202111315809.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 公开了一种微机电系统传感器、其制造方法及电子设备。该制造方法包括：在器件衬底上的牺牲层上形成微机电系统传感器的器件层，其中，所述器件层包括位于牺牲层上的机械层和位于机械层上的感测层，以及所述机械层中与器件衬底中要形成的背洞对应的部分是封闭的；在所述器件衬底及牺牲层中形成背洞；以及在机械层中形成与背洞连通的连通沟槽。
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公开(公告)号：CN113613152B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110875314.6
申请日：2021-07-30
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 这里公开了一种微机电系统麦克风、麦克风单体及电子设备。该微机电系统麦克风包括：设置在磁体支撑件上的可移动部件，其中，在可移动部件上设置有磁体；以及第一磁阻支撑件，其中，第一磁阻被设置在第一磁阻支撑件上，在第一磁阻和磁体构成的工作平面上，以从磁体的S极到N极的方向为该工作平面的法线方向，沿第一磁阻的电流方向，磁体位于第一磁阻的左侧，沿所述工作平面，第一磁阻的宽度是CD1，所述磁体和第一磁阻之间的最小间距是CD2，以及CD1和CD2的关系如下：CD2≤3×CD1。
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公开(公告)号：CN114371431A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111671062.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种磁场传感器、制作工艺及其磁场检测方法，所述磁场检测方法包括以下步骤：制作样本磁场传感器，其中所述样本磁场传感器中的磁感应器件为霍尔棒结构；标定所述样本磁场传感器的霍尔电阻与各分量磁场强度的标准变化曲线；将磁性单元与所述样本磁场传感器集成得到标准磁场传感器；检测所述标准磁场传感器的实测霍尔电阻，根据所述实测霍尔电阻查询所述标准变化曲线，确定所述磁性单元的各实测分量磁场强度。本申请解决了现有技术对微型磁性单元进行高精度三维磁场探测效果差的技术问题，大大提高了对芯片内的微型磁性单元进行三维磁场探测的准确性和精确度。
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公开(公告)号：CN117401641A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311281092.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种微机电结构及电子设备，该微机电结构包括衬底、振膜和背极板，背极板包括第一导电区域和第二导电区域，所述第一导电区域与所述悬空部位置相对并位于所述支撑结构的内侧，所述振膜与所述第二导电区域之间电连接，且所述第一导电区域和所述第二导电区域之间绝缘连接，使得第一导电区域和第二导电区域能够各自独立工作，从而能够利用第一导电区域和第二导电区域这两个不同区域实现微机电结构的声学性能的调整。
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公开(公告)号：CN116828374A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310438631.0
申请日：2023-04-21
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种MEMS芯片及其制造方法、MEMS声学传感器和电子设备；其中，所述MEMS芯片包括叠置的衬底、氧化物层、振膜及背极板；所述衬底具有背腔；所述振膜包括有效区域及固定区域，所述有效区域与所述固定区域之间通过环形狭缝隔开，所述固定区域与所述衬底连接；所述有效区域包括悬置在所述背腔上方的振动主体部及边缘部；所述边缘部和/或所述固定区域上设有刻蚀通道；所述刻蚀通道用于将刻蚀液引入所述氧化物层，以在该氧化物层上刻蚀去除目标区域，所述目标区域包括介于所述边缘部与所述衬底之间的。本申请实施例能缩减氧化物层的释放时间，从而减少振膜长时间在刻蚀液里浸泡带来的机械损伤及减小振膜形变量。
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