Patent search ap:("歌尔微电子股份有限公司") AND inv:"史新彬" Page 1

1.

发明公开
MEMS芯片及其制备方法和气体传感器审中-实审

公开(公告)号：CN119898727A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411977690.6

申请日：2024-12-30

Applicant: 歌尔微电子股份有限公司

Inventor： 张贺存 , 邹泉波 , 史新彬 , 宋青林

IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , G01N27/22

Abstract: 本申请提供了一种MEMS芯片及其制备方法和气体传感器，其中，所述制备方法，包括：在衬底的第一侧依次形成第一极板层、间隙层和第二极板层，所述间隙层具有牺牲部，所述牺牲部位于所述第一极板层与所述第二极板层之间；在所述第二极板层上形成通气孔，所述通气孔的第一端与外部连通，所述通气孔的第二端延伸至所述牺牲部；从所述通气孔刻蚀去除所述牺牲部，以在所述第一极板层与所述第二极板层之间形成气体检测空腔，得到MEMS芯片。

Patent Agency Ranking