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公开(公告)号：CN117702058A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311425086.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种SIP封装产品的溅镀方法，包括以下步骤：在基板上确定需要贴装或设置电子元件的安装部，安装部的外轮廓包括溅镀区域和非溅镀区域，电子元件的一端设于非溅镀区域；沿安装部的外周沿切割溅镀区域，以露出安装部的一部分外周面；对基板进行溅镀，以在溅镀区域的外周面形成溅镀层；沿安装部的外周沿继续切割基板，以使安装部脱离基板，其中，电子元件的一端外露于非溅镀区域。根据本发明实施例的溅镀方法，不仅可以有效提高选择性溅镀的效率，而且可以确保非溅镀区域的电子元件不会被金属原子覆盖，可以有效避免需要漏在产品表面的电子元件因短路或被屏蔽等问题而失效，从而有效保证产品性能。
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公开(公告)号：CN117238893A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311107448.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体封装的形成金属层的方法，半导体具有需要形成金属层的第一区域；所述方法包括：S1，将包括金属颗粒、二氧化硅粉末和环氧树脂粉末的复合颗粒覆盖所述第一区域；S2，通过超声波焊头将所述复合颗粒焊接在所述第一区域形成金属层。本申请提供的技术方案，能够使得半导体与金属层之间形成更牢固的连接关系，避免金属层在半导体上发生脱落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119673783A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411639977.8
申请日：2024-11-15
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/50 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本申请公开了一种芯片的封装方法、封装结构和电子设备。所述封装方法包括：对所述第一表面设置底填胶，并使固化后的胶体能够覆盖各所述锡球；去除固化后的部分胶体，使各所述锡球的至少部分区域露出；将所述芯片通过各所述锡球贴装于基板上，并对贴装好的产品塑封。本申请提供的芯片的封装方法能够避免塑封后产生孔洞的风险，提高了产品的良率。
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公开(公告)号：CN117089813A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311113928.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体的溅镀工装及溅镀工装组，所述溅镀工装包括：两个沿Y方向轴线对称设置的第一调节机构，所述第一调节机构包括多个沿Y方向并排设置的第一调节组件，所述第一调节组件能够在X方向移动；两个沿X方向轴线对称设置的第二调节机构，所述第二调节机构设于所述第一调节机构的下方，所述第二调节机构包括多个沿X方向并排设置的第二调节组件，所述第二调节组件能够在Y方向移动；所述第一调节组件能够在X方向移动，所述第二调节组件能够在Y方向移动，UI调节所述第一调节组件和所述第二调节组件所形成的空腔形状。本申请提供的技术方案，具有兼容性较高、节省成本及结构简单的特点。
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公开(公告)号：CN115719715A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211486553.3
申请日：2022-11-24
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种封装件的制作方法和封装件。其中，封装件的制作方法，包括：在基板的一侧安装开设有贯通孔的预植球工装，并使贯通孔朝向基板；将第一锡球植入至贯通孔内，并对第一锡球进行回流以形成锡柱；将预植球工装从锡柱上脱离；对基板设有锡柱的一侧进行塑封以形成塑封体，并使得锡柱的高度不低于塑封体的高度；将第二锡球植入至锡柱背离基板的一侧。本发明技术方案通过先安装具有贯通孔的预植球工装，第一锡球植入至贯通孔内并进行回流以形成锡柱，则锡柱相对于同等高度的锡球能占据基板更小的区域，进而可增大基板上的锡柱的密度。通过将锡柱的高度不低于塑封体的高度，则锡柱能够直接显露出来，从而保证第二锡球能够精准地植入在锡柱上。
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公开(公告)号：CN116798963A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310749192.5
申请日：2023-06-21
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种封装芯片及其加工方法，涉及半导体技术领域，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：提供待封装芯片模块；对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％‑75％；在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片。本申请解决了现有技术封装芯片上的金属层易脱落的技术问题。
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公开(公告)号：CN220992932U
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202322680280.2
申请日：2023-10-07
Applicant: 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种工件切割装置，包括切割平台、切割件和磁力件，切割平台上形成有开口，待切割工件放置于切割平台上时遮挡于开口；切割件可升降地安装在开口的上方；磁力件位于切割平台的下方并与开口对应设置，并用于将切割待切割工件时产生的碎屑向下吸引，使碎屑落入开口。在本实用新型的技术方案中，通过在待切割工件的切割位置处下方开口，使得切割产生的金属碎屑落入开口，同时通过在切割平台的下方设置磁力件，磁力件将飞溅的金属碎屑向下吸引，使得金属碎屑在磁力的作用下落入开口，减少飞溅至工件表面的金属碎屑的数量，避免金属碎屑沉积在工件表面器件的缝隙中或击坏表面器件，从而提高了切割后芯片的良品率。
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