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公开(公告)号:CN102918874A
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201180026170.1
申请日:2011-05-10
Applicant: 欧姆龙株式会社 , 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R3/00 , H04R19/016
Abstract: 本发明的音响传感器(11)在半导体基板的上表面形成有振动膜(22)及固定膜(23),根据振动膜(22)中的振动电极(22a)和固定膜(23)中的固定电极(23a)间的静电电容的变化,来检测声波。为了使声波从外部到达振动膜(22),在固定膜(23)上形成有多个音孔部(32),固定电极(23a)是以缘部(40)的边界不和音孔部(32)相交的方式形成的。
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公开(公告)号:CN102918874B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201180026170.1
申请日:2011-05-10
Applicant: 欧姆龙株式会社 , 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R3/00 , H04R19/016
Abstract: 本发明的音响传感器(11)在半导体基板的上表面形成有振动膜(22)及固定膜(23),根据振动膜(22)中的振动电极(22a)和固定膜(23)中的固定电极(23a)间的静电电容的变化,来检测声波。为了使声波从外部到达振动膜(22),在固定膜(23)上形成有多个音孔部(32),固定电极(23a)是以缘部(40)的边界不和音孔部(32)相交的方式形成的。
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公开(公告)号:CN102907118A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201180025800.3
申请日:2011-04-20
Applicant: 欧姆龙株式会社 , 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2410/03
Abstract: 在本发明的音响传感器(1)中,在硅基板(11)的上表面,隔着气隙(22)而配置有导电性的振动膜(14)和上固定电极板(5),并且在硅基板(11)的表面上添加有杂质。
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公开(公告)号:CN107404697B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201611227014.2
申请日:2016-12-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS声换能器,其设置有:半导体材料的衬底,具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面;形成在衬底内的第一腔,其从背表面延伸到前表面;膜,其布置在上表面处,悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底;以及梳齿状电极布置,其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极,其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地,梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。
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公开(公告)号:CN107555394B
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201611249770.5
申请日:2016-12-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及具有可倾斜结构的微机电器件和可倾斜结构的位置检测。公开了微机电器件(50),其中,平台(52)形成在顶部衬底中并且被配置为通过旋转角度(θ)旋转。平台具有狭缝(70)并且面对腔(53)。集成的多个光电检测器(70)形成在底部衬底中以检测通过狭缝的光,并生成与通过狭缝的光相关的信号。狭缝的面积随着平台的旋转角度而改变并引起衍射,其或多或少根据角度而被标记。相对于狭缝布置在不同位置的两个光电检测器的信号之间的差值产生该角度。
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公开(公告)号:CN108017036A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201710459683.0
申请日:2017-06-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H04R17/02 , B81B3/0037 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L41/042 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H01L41/312 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003
Abstract: 一种压电型MEMS传感器、具体地麦克风(50),形成于采用半导体材料的容纳柔顺部分(54)的膜(52)中,该柔顺部分从该膜的第一表面(52a)延伸至第二表面(52b)。该柔顺部分(54)具有低于该膜(52)的其余部分的杨氏模量。具有半导体材料的敏感区域(57)在该柔顺部分(54)上方在该第一表面(52a)上延伸,并且在其端部在所述柔顺部分(54)的相反侧上固定至所述膜(52)上。所述膜的安排在所述柔顺部分(54)与所述第二表面(52b)之间的第三区域(55)形成铰链元件。
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公开(公告)号:CN107664836A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710173576.1
申请日:2017-03-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G02B26/08
Abstract: 公开了利用压电致动的振荡结构、系统以及制造方法。该振荡结构(30)包括:第一扭转弹性元件(56)和第二扭转弹性元件(58),该第一扭转弹性元件和该第二扭转弹性元件被限制到固定的支撑体(40)的对应部分并且限定旋转轴(O);移动元件(55,57,60),该移动元件被设置在该第一与第二扭转弹性元件(56,58)之间并连接到该第一和第二扭转弹性元件,由于该第一和第二可变形元件的扭转,该移动元件可围绕该旋转轴(O)旋转;以及第一控制区域(66),该第一控制区域耦合到该移动元件(55,57,60)并且容纳第一压电致动器(70),该第一压电致动器被配置成用于在使用中引起该第一控制区域(66)的局部变形,该局部变形生成该第一和第二扭转弹性元件(56,58)的扭转。
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公开(公告)号:CN106517079B
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201610191890.8
申请日:2016-03-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS器件具有:支撑基部,具有与外部环境接触的底表面;传感器管芯,为半导体材料并且集成微机械检测结构;传感器框,布置在传感器管芯周围并且机械地耦合到支撑基部的顶表面;以及帽,布置在传感器管芯上方并且机械地耦合到传感器框的顶表面,帽的顶表面与外部环境接触。传感器管芯从传感器框被机械地去耦合。
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公开(公告)号:CN107555394A
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201611249770.5
申请日:2016-12-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及具有可倾斜结构的微机电器件和可倾斜结构的位置检测。公开了微机电器件(50),其中,平台(52)形成在顶部衬底中并且被配置为通过旋转角度(θ)旋转。平台具有狭缝(70)并且面对腔(53)。集成的多个光电检测器(70)形成在底部衬底中以检测通过狭缝的光,并生成与通过狭缝的光相关的信号。狭缝的面积随着平台的旋转角度而改变并引起衍射,其或多或少根据角度而被标记。相对于狭缝布置在不同位置的两个光电检测器的信号之间的差值产生该角度。
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公开(公告)号:CN104140071B
公开(公告)日:2017-06-30
申请号:CN201410181932.0
申请日:2014-04-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: H04R19/005 , H01L29/84 , H04R1/04 , H04R19/04
Abstract: 一种MEMS传感器器件的组件,设想:第一裸片,集成微机械检测结构,并具有外部主面;第二裸片,其集成电子电路,该电子电路被可操作地耦合到微机械检测结构,被电气和机械地耦合到第一裸片并且具有相应的外部主面。第一裸片的外部主面与第二裸片的外部主面两者均被设置为与组件外部的环境直接接触,而不引入封装材料。
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