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公开(公告)号:CN107270883B
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201610875869.X
申请日:2016-09-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/58
Abstract: 多轴MEMS陀螺仪(42)设置有微机械检测结构(10),其具有:基板(12);驱动块布置(14a‑14b);具有中心窗口(22)的从动块布置(20);感测块布置(20;35a‑35b、37a‑37b),其在存在关于第一水平轴(x)和第二水平轴(x)的角速度的情况下经历感测运动;感测电极布置(29a‑29b、30a‑30b),其相对于基板固定并且被设置在感测块布置下面;和锚定组件(24),其被设置在中心窗口(22)内以用于在锚定元件(27)处将从动块布置约束到基板。锚定组件包括刚性结构(25a‑25b),其悬挂在基板上方、在中心部分处通过弹性连接元件(26a‑26b)弹性地连接到从动块,并且在其端部处通过弹性解耦元件(28)弹性地连接到锚定元件。
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公开(公告)号:CN107404697A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201611227014.2
申请日:2016-12-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS声换能器,其设置有:半导体材料的衬底,具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面;形成在衬底内的第一腔,其从背表面延伸到前表面;膜,其布置在上表面处,悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底;以及梳齿状电极布置,其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极,其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地,梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。
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公开(公告)号:CN107271721A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710190187.X
申请日:2017-03-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 公开了高准确度且对温度和老化具有低灵敏度的MEMS加速度传感器。一种加速度传感器,具有:悬置区域(21),该悬置区域相对于支撑结构(24)可移动;以及感测组件(37),该感测组件耦合至该悬置区域并且被配置成用于检测该悬置区域相对于该支撑结构的移动。该悬置区域(21)具有在与各自的质心相关联的彼此不同的至少两个构型之间可变的几何形状。该悬置区域(21)由可旋转地锚定至该支撑结构(24)的第一区域(22)以及通过弹性连接元件(25)耦合至该第一区域(22)的第二区域(23)形成,该弹性连接元件被配置成用于允许该第二区域(23)相对于该第一区域(22)相对移动。驱动组件(40)耦合至该第二区域(23),以便控制该第二区域相对于该第一区域的相对移动。
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公开(公告)号:CN113697766A
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202110545660.8
申请日:2021-05-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括在衬底上形成第一厚度的第一结构层。第一沟槽通过所述第一结构层形成,并且通过第一开口隔开的掩模区域在所述第一结构层上被形成。第二厚度的第二结构层在所述第一开口处与所述第一结构层直接接触的所述第一结构层上被形成,并且第二结构层与所述第一结构层一起形成第三厚度的厚结构区域,第三厚度等于所述第一厚度和所述第二厚度的所述总和。多个第二沟槽通过所述第二结构层在所述掩模区域上方被形成,并且第三沟槽通过去除所述厚结构区域的选择性部分通过所述第一结构层和所述第二结构层形成。
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公开(公告)号:CN107179074B
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN201610877204.2
申请日:2016-09-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5656 , G01C19/5663
Abstract: 一种微机械检测结构(20),包括:半导体材料的衬底(2);驱动质量体布置(4a‑4c),耦合至驱动电极集合(7a‑7c)并且在驱动电极集合的电偏置之后在驱动移动中被驱动;第一锚固单元(5a‑5c,6a‑6c),耦合至驱动质量体布置以用于在第一锚固部(5a‑5c)处将驱动质量体布置弹性地耦合至衬底(2);被驱动质量体布置(10,30),通过耦合单元(22a‑22b)弹性地耦合至驱动质量体布置并且被设计为由驱动移动所驱动;以及第二锚固单元(14,34),耦合至被驱动质量体布置以用于在第二锚固部(17,37)处将被驱动质量体布置弹性地耦合至衬底(2)。在驱动移动之后,在第一和第二锚固部处施加于衬底(2)上的力和扭矩的合量基本上为零。
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公开(公告)号:CN110514190A
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201910816648.9
申请日:2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5684
Abstract: 一种微机电陀螺仪包括:衬底;固定到衬底的定子感测结构;第一质量块,其被弹性地耦合到衬底并可以相对于衬底在第一方向上移动;第二质量块,其被弹性地耦合到第一质量块并且可以相对于第一质量块在第二方向上移动;以及弹性约束到第二质量块和衬底并被电容耦合到定子感测结构的第三质量块,第三质量块可以相对于衬底在第二方向上以及相对于第二质量块在第一方向上移动。
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公开(公告)号:CN109987569A
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201910215984.8
申请日:2015-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B3/00 , G01C19/5733 , G01C19/5747
Abstract: 本发明涉及具有对由于诸如正交分量之类的扰动力所致的误差补偿的微机电设备。MEMS设备具有通过第一弹性元件弹性地承载悬挂质量块的支撑区域。调谐动态吸收器弹性耦合到悬挂质量块,并且被配置为使以动态吸收器的自然振荡频率作用于悬挂质量块上的正交力减幅。调谐动态吸收器由通过第二弹性元件耦合到悬挂质量块的阻尼质量块形成。在实施例中,悬挂质量块和阻尼质量块形成在例如半导体材料的同一结构层中,并且阻尼质量块被悬挂质量块围绕。
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公开(公告)号:CN110514190B
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN201910816648.9
申请日:2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5684
Abstract: 一种微机电陀螺仪包括:衬底;固定到衬底的定子感测结构;第一质量块,其被弹性地耦合到衬底并可以相对于衬底在第一方向上移动;第二质量块,其被弹性地耦合到第一质量块并且可以相对于第一质量块在第二方向上移动;以及弹性约束到第二质量块和衬底并被电容耦合到定子感测结构的第三质量块,第三质量块可以相对于衬底在第二方向上以及相对于第二质量块在第一方向上移动。
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公开(公告)号:CN108663037B
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN201710198481.5
申请日:2017-03-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/56
Abstract: 本公开涉及具有频率调节和对正交误差的静电消除的MEMS陀螺仪。具体为一种MEMS陀螺仪(60,100),其中,悬挂质量块(111‑114)相对于支撑结构(125,127)可移动。该可移动质量块受正交力矩引起的正交误差的影响;驱动结构(77)耦合至该悬挂质量块以便以驱动频率控制该可移动质量块在驱动方向上的移动。耦合至该可移动质量块的运动感测电极(130)检测该可移动质量块在感测方向上的移动,并且正交补偿电极(121‑124)耦合至该可移动质量块以便生成与该正交力矩相反的补偿力矩。该陀螺仪被配置成用于使用补偿电压来对这些正交补偿电极进行偏置,从而使得该可移动质量块的谐振频率与该驱动频率之差具有预设频率失配值。
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公开(公告)号:CN109444466B
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN201810996348.9
申请日:2018-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本申请涉及FM惯性传感器和用于操作FM惯性传感器的方法。传感器包括:第一和第二检验质量块;第一和第二电容器,被形成在第一和第二固定电极与第一检验质量块之间;第三和第四电容器,被形成在第三和第四固定电极与第二检验质量块之间;驱动组件,被配置为引起第一和第二检验质量块的反相振荡;偏置电路,被配置为偏置第一和第三电容器以在第一时间间隔中生成振荡频率的第一变化,以及偏置第二和第四电容器以在第二时间间隔中生成振荡频率的第二变化;感测组件,被配置为生成差分输出信号,该差分输出信号是在第一时间间隔期间的振荡频率的值与在第二时间间隔期间的振荡频率的值之间的差的函数。这种差分输出信号可与外部加速度的值和方向相关。
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