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公开(公告)号：CN119069570A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310639839.9
申请日：2023-06-01
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/054 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种制备光致氢化黑电池的方法及光致氢化黑电池，所述方法包括以下步骤：(1)在硅片的至少一面沉积氮化硅膜层，得到成品晶硅电池；(2)对成品晶硅电池进行光致氢化处理，得到所述光致氢化黑电池。本发明通过对成品晶硅电池进行光致氢化处理，利用氮化硅膜层中Si‑H键和N‑H键的键能断裂的差异，从而控制了部分Si‑H键的断裂，同时抑制了N‑H键的断裂，提高了氮化硅膜层中Si+的含量，从而改变了氮化硅膜层的折射率，最终获得了外形美观且光吸收强的光致氢化黑电池。此外，光致氢化黑电池与常规电池相比，反射率显著下降，尤其是300nm至500nm的波长区间，反射率下降了近5％，有效提高了电池的光吸收强度。
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公开(公告)号：CN117673191A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211038124.X
申请日：2022-08-25
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明涉及一种硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法。该硼扩散方法包括以下步骤：将制绒清洗后的硅片置于扩散设备中；在预设压力和预设温度下，向扩散设备中通源进行沉积，其中，通源包括通入硼源、氧气、水蒸气以及第一保护性气体，硼源、氧气以及水蒸气的体积比为1.8∶7.2∶1‑2.3∶8.2∶1以及升温，采用第二保护性气体对沉积后的硅片进行吹扫。该硼扩散方法能够使B均匀分布于硅片表面，从而使制得的硼扩后硅片具有优异的方阻均匀性，能够更好的应用于制备太阳能电池。
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公开(公告)号：CN115148853B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210781764.3
申请日：2022-07-04
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种管式单面氧化铝镀膜方法、PERC电池及光伏组件，所述管式单面氧化铝镀膜方法包括如下步骤：(1)对PERC硅片进行加热升温并进行抽真空处理；(2)对步骤(1)处理后的PERC硅片进行预供气处理，再恒压通气处理；(3)对步骤(2)处理后PERC硅片进行PECVD法单面氧化铝镀膜；(4)通入氮气清洗步骤(3)处理后PERC硅片，完成所述管式单面氧化铝镀膜；步骤(2)所述预供气处理的气体包括氮气和铝源，所述恒压通气处理的气体包括笑气、氮气和铝源。本发明适用于管式单面氧化铝制备PERC电池，改善了管式单面氧化铝的黑点黑块污染，减少了太阳能电池的EL不良，提升了电池片生产的良品率。
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公开(公告)号：CN115084317B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210738700.5
申请日：2022-06-24
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶硅太阳能电池及其氧化退火方法，所述氧化退火方法包括依次进行的进舟、抽真空、恒温、低压氧化、回压、常压氧化、吹扫和出舟；其中，所述低压氧化的压力为100‑500mbar；所述常压氧化的压力为0.8‑1.2bar。本发明提供的氧化退火方法在解决了电池片制造过程中出现外观白点问题的同时，有效提高了氧化层的厚度和致密性，从而改善了钝化效果和抗PID能力。
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公开(公告)号：CN115064613B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210905464.1
申请日：2022-07-29
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L21/223
Abstract: 本发明提供了一种PERC电池EL烧结云雾片的改善方法，所述改善方法包括以下步骤：(1)对PERC电池的硅片进行扩散，将硅片送入扩散设备，对所述扩散设备依次进行吹扫、抽真空、恒压和检漏；(2)扩散设备内通入小N2、大N2和O2，对所述硅片依次进行氧化、一次扩散、二次扩散、一次推进、二次推进、三次推进、一次退火、三次扩散、二次退火、四次扩散、三次退火和破空，最后将硅片取出；(3)对步骤(2)取出的硅片进行丝网印刷，所述丝网印刷包括五峰值烧结，得到EL烧结云雾现象改善的PERC电池片；所述改善方法进行低温下多次扩散，将单峰值烧结改为五峰值烧结，提升了PN结均匀性和烧结稳定性，有效减少EL云雾现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112768554B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202011608346.1
申请日：2020-12-30
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法、晶硅太阳能电池及制备方法。所述方法包括：在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行碱抛光，所述碱抛光包括依次进行的一次碱抛光和二次碱抛光，所述一次碱抛光和二次碱抛光采用的碱液中，碱的质量分数独立地为20％～30％，所述一次碱抛光的温度为65℃～80℃，所述二次碱抛光的温度比所述一次碱抛光的温度低10℃～15℃。本发明的方法通过在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行二次碱抛光处理形成“镜面”结构，不仅可以实现背面对光的高反射率，还增加了全接触钝化材料及氮化硅膜的均匀性及致密性。
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公开(公告)号：CN116121877A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310129194.4
申请日：2023-02-17
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种扩散炉管及采用其提升硅片方阻均匀性的方法，所述扩散炉管包括炉体(1)和进气管(2)，所述炉体包括进气口(3)和出气口(4)，所述进气管(2)通过所述进气口(3)延伸至所述炉体(1)内部，所述进气管(2)位于所述炉体(1)的底部；所述炉体内部的进气管(2)上设置有至少两个出气孔(5)。本发明在进气管上设置有至少两个出气孔，提高了进气的均匀性，且扩散炉管在运行时，石英舟顶部的磷源量明显提升，解决了石英舟顶部电池片磷源量偏低的问题，避免了烧结污染，同时有效提升了硅片方阻的均匀性。在此基础上，采用阶梯式通磷源气体的方式进行磷源沉积扩散，得到了均匀性较好的高方阻电池片，其转换效率也得到了改善。
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公开(公告)号：CN115472713A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211056805.9
申请日：2022-08-31
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散制结的方法，所述方法包括以下步骤：(1)制绒后的硅片在扩散装置中通入O2进行表面氧化；随后在扩散装置中通入携带硼源的小N2与O2反应，同时通入大N2将硼源和O2运输到硅片表面，在硅片表面进行BSG预沉积，完成后调整O2、小N2和大N2的流量，继续在硅片表面进行BSG沉积和推进，完成后，对扩散装置中的硅片进行吹扫；(2)将吹扫完成后的硅片转移至链式氧化装置中，在保护气氛下进行快速热处理，去除背面BSG层后完成硼扩散；所述方法在管式扩散中快速完成BSG沉积和短时间预推进，又借助快速热处理装置完成推结，保证了硅片均匀性的同时又大大节约了硼扩散制结时间，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN114823933A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210754770.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池结构及其制作方法。该太阳能电池结构包括：半导体衬底，半导体衬底的背面形成有第一掺杂区和第二掺杂区；第一重掺杂区，形成于半导体衬底中，且第一重掺杂区接触设置于第一掺杂区远离背面的一侧，第一重掺杂区与第一掺杂区均为P型掺杂，并大于第一掺杂区的掺杂浓度；第二重掺杂区，形成于半导体衬底中，且第二重掺杂区接触设置于第二掺杂区远离背面的一侧，第二重掺杂区与第二掺杂区均为N型掺杂，并大于第二掺杂区的掺杂浓度；具有固定负电荷的第一钝化层，形成于第一掺杂区远离第一重掺杂区的一侧；具有固定正电荷的第二钝化层，形成于第二掺杂区远离第二重掺杂区的一侧。上述太阳能电池结构具有较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN112490326B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011360328.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供了一种PERC单晶电池用硅片的退火方法及PERC单晶电池用硅片与应用，所述退火方法包括以下步骤：(1)第一绝对压力下送入硅片，并通入氮气吹扫；(2)抽真空至第二绝对压力，并通入氮气吹扫；(3)保持第三绝对压力，并通入氮气吹扫；(4)保持第四绝对压力，停止通入氮气，进行检漏；(5)保持第五绝对压力，通入氧气氧化，同时通入氮气吹扫；(6)第六绝对压力下取出硅片，并通入氮气吹扫；其中，步骤(1)至步骤(6)均在660‑700℃的恒温下进行。所述退火方法改善了PERC单晶电池用硅片的亲水性，同时有效去除了硅片表面的残留杂质，减少了外观小白点的产生。
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