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公开(公告)号：CN118057626A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211449930.6
申请日：2022-11-19
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01B1/16 , H01B1/22
Abstract: 本发明涉及一种银栅线电极的制备方法、太阳能电池及其制备方法。该银栅线电极的制备方法，包括以下步骤：将银浆丝网印刷于太阳能电池片的表面；以及将印刷有银浆的太阳能电池片进行烧结，形成银栅线电极，其中，烧结的步骤分为烘干阶段、烧结阶段和冷却阶段，在冷却阶段，先以大于50℃/s的降温速率使烧结阶段的温度降低至175℃‑185℃，然后降至室温。该银栅线电极的制备方法能够提高副栅线的高宽比，从而使太阳能电池具有优异的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115020513B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210624546.9
申请日：2022-06-02
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , C23C16/34 , C23C16/505 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种叉指背接触太阳能电池的制作方法及制得的叉指背接触太阳能电池，所述制作方法对硅基体进行双面抛光、一次开槽、正面制绒、双面硼扩、BSG修饰减薄、双面钝化、二次开窗与背面磷扩及丝网印刷制得所述叉指背接触太阳能电池；本发明通过开槽使得电池背面形成凹凸交替排列的结构，使分别在凹凸结构中形成的P、N区产生物理隔绝；同时，通过保留下来的减薄BSG层进行磷扩，可以有效促进磷的扩散并形成背面N区及重掺杂区，同时，保留的减薄BSG层可以起到钝化效果，无需增加额外工艺，所述制作方法相对简便，对设备要求不严苛，可以与领域内现有的大部分生产线相适应。
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公开(公告)号：CN117995916A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211342429.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种TOPCon太阳能电池及其制备方法和应用，所述TOPCon太阳能电池在隧穿氧化层与掺杂多晶硅层之间层叠设置有掺碳氧化硅层。该掺碳氧化硅层中，碳元素的引入不仅可以提高晶化率，防止金属浆料烧穿，而且碳元素存在于氧化硅晶体的间隙中，可以增大氧化硅晶体的致密度，有效阻挡掺杂元素的烧穿。所以，掺碳氧化硅层能够作为预防烧穿的屏障，在TOPCon太阳能电池的制备过程中防止掺杂元素和金属浆料烧穿，从而可以提升TOPCon太阳能电池的钝化效果，进而能够有效提升TOPCon太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN115020513A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210624546.9
申请日：2022-06-02
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , C23C16/34 , C23C16/505 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种叉指背接触太阳能电池的制作方法及制得的叉指背接触太阳能电池，所述制作方法对硅基体进行双面抛光、一次开槽、正面制绒、双面硼扩、BSG修饰减薄、双面钝化、二次开窗与背面磷扩及丝网印刷制得所述叉指背接触太阳能电池；本发明通过开槽使得电池背面形成凹凸交替排列的结构，使分别在凹凸结构中形成的P、N区产生物理隔绝；同时，通过保留下来的减薄BSG层进行磷扩，可以有效促进磷的扩散并形成背面N区及重掺杂区，同时，保留的减薄BSG层可以起到钝化效果，无需增加额外工艺，所述制作方法相对简便，对设备要求不严苛，可以与领域内现有的大部分生产线相适应。
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公开(公告)号：CN119451264A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310980080.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F77/70 , H10F77/122
Abstract: 本发明涉及一种硅片的制绒方法和制绒后的硅片，制绒方法包括：在硅片上形成金字塔绒面，然后进行圆化处理形成圆化绒面，然后在圆化绒面上形成凹坑，完成制绒；其中，圆化处理包括：依次置于第一混合溶液和第二混合溶液中进行第一次处理和第二次处理，第一次处理与第二次处理为一个循环，进行至少两次循环，第一混合溶液包括HNO3和HF，且HNO3的质量分数大于HF的质量分数，第二混合溶液包括HNO3和HF，且HNO3的质量分数小于HF的质量分数，第一次处理的时间大于第二次处理的时间，得到的凹坑的数量为10～100个/cm2，宽度为0.01～0.08μm，深度为5～50nm。本发明还提供晶硅电池及其制备方法，在晶硅电池的制备方法中，采用本发明的制绒方法能够有效提高晶硅电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN115295679A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211016703.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/02 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种PERC太阳能电池氧化层及其优化方法，所述优化方法包括依次进行的进舟、恒压、检漏、恒温、氧化、充氮和出舟；所述恒压包括依次进行的第一恒压、第二恒压和第三恒压；所述氧化包括依次进行的第一氧化和第二氧化；所述氧化伴随着氮气和氧气的通入，且氮氧流量比为1:(2‑4)；所述恒压至充氮的过程中炉内温度从炉口至炉尾逐渐降低。本发明提供的优化方法改善了电池的抗LID效果和转换效率，同时提升了产能和处理效率。
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公开(公告)号：CN119525200A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411672401.1
申请日：2024-11-21
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，公开了一种烘干装置及碱抛工艺设备及碱抛工艺优化方法，烘干装置包括：底板，以及环绕于底板周侧的侧壁板；第一热风单元，设置于烘干槽内并位于底板，第一热风单元沿第二方向延伸，并适于朝向底板表面吹风；第二热风单元，设置于烘干槽内并安装于花篮架，第二热风单元沿第一方向延伸，并适于朝向花篮的花篮端板吹风；第三热风单元，设置于烘干槽内并安装于花篮架，第二热风单元沿第二方向延伸，并适于朝向花篮的花篮底杆吹风。本发明提供的烘干装置，增加多个方向吹气，提高烘干效果，可解决花篮底部端板、花篮底杆、槽体底部等顽固部位无法烘干问题。
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公开(公告)号：CN118737906A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410887744.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本申请公开了一种制绒工艺的控制方法、控制装置和制绒方法，该控制方法包括：获得与多个绒面结构对应的多个工艺参数和多个结构参数；获取多个终端结构的多个性能参数，其中，多个终端结构为多个绒面结构通过后端工艺制备得到的结构，任意两个终端结构具有种类相同的至少一个性能参数；根据多个终端结构的多个性能参数和预设性能参数集合，确定与目标绒面结构对应的目标工艺参数集合，其中，目标终端结构的至少一个目标性能参数大于预设性能参数集合中与至少一个目标性能参数对应的至少一个性能参数；控制制绒设备根据目标工艺参数集合进行制绒工艺得到目标绒面结构。通过该控制方法可以解决现有技术中绒面结构难以与后道工艺匹配的问题。
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公开(公告)号：CN117673191A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211038124.X
申请日：2022-08-25
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明涉及一种硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法。该硼扩散方法包括以下步骤：将制绒清洗后的硅片置于扩散设备中；在预设压力和预设温度下，向扩散设备中通源进行沉积，其中，通源包括通入硼源、氧气、水蒸气以及第一保护性气体，硼源、氧气以及水蒸气的体积比为1.8∶7.2∶1‑2.3∶8.2∶1以及升温，采用第二保护性气体对沉积后的硅片进行吹扫。该硼扩散方法能够使B均匀分布于硅片表面，从而使制得的硼扩后硅片具有优异的方阻均匀性，能够更好的应用于制备太阳能电池。
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公开(公告)号：CN115472713A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211056805.9
申请日：2022-08-31
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散制结的方法，所述方法包括以下步骤：(1)制绒后的硅片在扩散装置中通入O2进行表面氧化；随后在扩散装置中通入携带硼源的小N2与O2反应，同时通入大N2将硼源和O2运输到硅片表面，在硅片表面进行BSG预沉积，完成后调整O2、小N2和大N2的流量，继续在硅片表面进行BSG沉积和推进，完成后，对扩散装置中的硅片进行吹扫；(2)将吹扫完成后的硅片转移至链式氧化装置中，在保护气氛下进行快速热处理，去除背面BSG层后完成硼扩散；所述方法在管式扩散中快速完成BSG沉积和短时间预推进，又借助快速热处理装置完成推结，保证了硅片均匀性的同时又大大节约了硼扩散制结时间，提高了生产效率。
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