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公开(公告)号：CN103077891B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310021186.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 , 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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公开(公告)号：CN103346842A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310228915.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/54 , H04B10/564
Abstract: 本发明公开一种控制双平行MZM调制器输出光强的反馈控制系统和方法，其光纤耦合器的输入端连接双平行MZM调制器的输出端，光接收组件的输入端与光纤耦合器的次输出端相连，光接收组件的输出端与A/D转换器的输入端相连；A/D转换器的2个输出端分别连接数字比较器和存储器的输入端，存储器的输出端与数字比较器的另一个输入端相连，数字比较器的输出端与微处理器的输入端相连，微处理器的输出端经D/A转换器连接双平行MZM调制器的电源端。本发明能对双平行MZM调制器的输出光功率进行实时监控，并通过控制系统反馈信号控制调制器，使得输出功率恒定，系统性能最优。
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公开(公告)号：CN103077891A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310021186.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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公开(公告)号：CN103346842B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310228915.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/54 , H04B10/564
Abstract: 本发明公开一种控制双平行MZM调制器输出光强的反馈控制系统和方法，其光纤耦合器的输入端连接双平行MZM调制器的输出端，光接收组件的输入端与光纤耦合器的次输出端相连，光接收组件的输出端与A/D转换器的输入端相连；A/D转换器的2个输出端分别连接数字比较器和存储器的输入端，存储器的输出端与数字比较器的另一个输入端相连，数字比较器的输出端与微处理器的输入端相连，微处理器的输出端经D/A转换器连接双平行MZM调制器的电源端。本发明能对双平行MZM调制器的输出光功率进行实时监控，并通过控制系统反馈信号控制调制器，使得输出功率恒定，系统性能最优。
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公开(公告)号：CN104617019B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510058652.5
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条，将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验，利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度，利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度，达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间，实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点，改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104637941A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510057805.4
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造T型栅，两种不同的腐蚀液腐蚀形成栅凹槽，蒸Pt/Ti/Pt/Au金属化系统于栅凹槽形成肖特基接触，退火处理形成埋Pt技术，生长氮化硅钝化层，完成器件的制备。该发明工艺简单，器件可靠性强，便于重复。利用本发明制备出80nm栅长的器件获得了优异的直流性能和交流性能，最大输出饱和电流达到920mA/mm，非本征跨导达到1100mS/mm。器件的特征频率达到246GHz，最大振荡频率为301GHz。
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公开(公告)号：CN104637941B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510057805.4
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造T型栅，两种不同的腐蚀液腐蚀形成栅凹槽，蒸Pt/Ti/Pt/Au金属化系统于栅凹槽形成肖特基接触，退火处理形成埋Pt技术，生长氮化硅钝化层，完成器件的制备。该发明工艺简单，器件可靠性强，便于重复。利用本发明制备出80nm栅长的器件获得了优异的直流性能和交流性能，最大输出饱和电流达到920mA/mm，非本征跨导达到1100mS/mm。器件的特征频率达到246GHz，最大振荡频率为301GHz。
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公开(公告)号：CN104617019A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510058652.5
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L22/12 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条，将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验，利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度，利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度，达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间，实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点，改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。
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公开(公告)号：CN203118954U
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201320030306.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本实用新型相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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公开(公告)号：CN204348720U
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201520079927.9
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/04
Abstract: 本实用新型公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器，该微波振荡器的有源固体器件由砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管构成；所述砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管自下而上依次由衬底层、渐变缓冲层、缓存层、第一沟道层、第二沟道层、隔离层、势垒层、刻蚀停止层、第一帽层和第二帽层构成；漏极和源极分设在第二帽层的上方；第一帽层、第二帽层和刻蚀停止层内开设有栅槽，T形的栅极嵌入该栅槽内，栅极的栅脚与势垒层接触。本实用新型工艺简单，器件可靠性强，便于重复。
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