公开(公告)号：CN103077891A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310021186.4

申请日：2013-01-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  黄伟 ,  吴笑峰 ,  李思敏 ,  首照宇 ,  于宗光 ,  李琦 ,  胡仕刚 ,  邓洪高

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。

公开(公告)号：CN103077891B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310021186.4

申请日：2013-01-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  黄伟 ,  吴笑峰 ,  李思敏 ,  首照宇 ,  于宗光 ,  李琦 ,  胡仕刚 ,  邓洪高

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。

公开(公告)号：CN203118954U

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201320030306.2

申请日：2013-01-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  黄伟 ,  吴笑峰 ,  李思敏 ,  首照宇 ,  于宗光 ,  李琦 ,  胡仕刚 ,  邓洪高

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本实用新型相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。