公开(公告)号：CN103346842B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310228915.3

申请日：2013-06-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  闭斌双 ,  于宗光 ,  黄伟 ,  吴笑峰 ,  首照宇 ,  陈明 ,  陈辉 ,  李思敏 ,  姜兴 ,  陈名松

IPC: H04B10/54 ,  H04B10/564

Abstract: 本发明公开一种控制双平行MZM调制器输出光强的反馈控制系统和方法，其光纤耦合器的输入端连接双平行MZM调制器的输出端，光接收组件的输入端与光纤耦合器的次输出端相连，光接收组件的输出端与A/D转换器的输入端相连；A/D转换器的2个输出端分别连接数字比较器和存储器的输入端，存储器的输出端与数字比较器的另一个输入端相连，数字比较器的输出端与微处理器的输入端相连，微处理器的输出端经D/A转换器连接双平行MZM调制器的电源端。本发明能对双平行MZM调制器的输出光功率进行实时监控，并通过控制系统反馈信号控制调制器，使得输出功率恒定，系统性能最优。

公开(公告)号：CN104091827B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410283229.0

申请日：2014-06-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  周佳辉 ,  闭斌双 ,  林子曾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/26

Abstract: 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al2O3填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本发明具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。

公开(公告)号：CN104091827A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410283229.0

申请日：2014-06-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  周佳辉 ,  闭斌双 ,  林子曾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522

Abstract: 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件及制备方法，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al2O3填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本发明具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。

公开(公告)号：CN103346842A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310228915.3

申请日：2013-06-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  闭斌双 ,  于宗光 ,  黄伟 ,  吴笑峰 ,  首照宇 ,  陈明 ,  陈辉 ,  李思敏 ,  姜兴 ,  陈名松

IPC: H04B10/54 ,  H04B10/564

Abstract: 本发明公开一种控制双平行MZM调制器输出光强的反馈控制系统和方法，其光纤耦合器的输入端连接双平行MZM调制器的输出端，光接收组件的输入端与光纤耦合器的次输出端相连，光接收组件的输出端与A/D转换器的输入端相连；A/D转换器的2个输出端分别连接数字比较器和存储器的输入端，存储器的输出端与数字比较器的另一个输入端相连，数字比较器的输出端与微处理器的输入端相连，微处理器的输出端经D/A转换器连接双平行MZM调制器的电源端。本发明能对双平行MZM调制器的输出光功率进行实时监控，并通过控制系统反馈信号控制调制器，使得输出功率恒定，系统性能最优。

公开(公告)号：CN203911930U

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201420024256.1

申请日：2014-01-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  闭斌双

IPC: H04B10/54 ,  H04B10/564

Abstract: 本实用新型公开一种控制双平行MZ调制器输出光强的反馈控制系统，其光纤耦合器的输入端连接双平行MZ调制器的输出端，光接收组件的输入端与光纤耦合器的次输出端相连，光接收组件的输出端与模数转换器的输入端相连；模数转换器的2个输出端分别连接数字比较器和存储器的输入端，存储器的输出端与数字比较器的另一个输入端相连，数字比较器的输出端与比例积分微分模块的输入端相连，比例积分微分模块的输出端经数模转换器连接双平行MZ调制器的直流偏置端。本实用新型能对双平行MZ调制器的输出光功率进行实时监控，并通过控制系统反馈信号控制调制器，使得输出功率恒定，系统性能最优。

公开(公告)号：CN203910812U

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201420336813.3

申请日：2014-06-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  周佳辉 ,  闭斌双 ,  林子曾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/26

Abstract: 本实用新型公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al2O3填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本实用新型具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。