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公开(公告)号:CN108857114A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201811047534.4
申请日:2018-09-09
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B23K28/02
CPC classification number: B23K28/02
Abstract: 本发明公开了一种预制坡口情况下熔化焊辅热搅拌摩擦焊接方法。首先在待焊工件(1)上预制不同形状的坡口(6),然后利用熔化焊完成待焊工件(1)的焊接,熔化的液态金属填满坡口(6)预热焊缝,焊接过程中,搅拌摩擦焊接紧随熔化焊之后,搅拌头(3)位于熔化焊焊枪(5)之后0~300mm,焊接过程中搅拌摩擦焊的焊接速度与熔化焊的焊接速度保持一致,从而使搅拌头(3)与熔化焊焊枪(5)距离保持不变。熔化焊能均匀、有效预热待焊工件,而随后的搅拌摩擦焊接起到提高接头性能的作用,本发明将两种焊接方式的结合能极大的扬长避短,并且焊接操作简便、灵活。
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公开(公告)号:CN119221013A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202411518708.6
申请日:2024-10-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/046 , C25B11/031 , C25B1/23
Abstract: 本发明提供了一种使失活的金属催化电极活性再生的方法,属于电极再生技术领域。本发明对失活的金属催化电极进行电化学氧化还原处理,得到活性再生的金属催化电极;电化学氧化还原处理包括循环伏安还原法或脉冲氧化还原后再电解还原法。本发明通过采用循环伏安还原法或脉冲氧化还原后再电解还原法对失活的金属催化电极活性再生,能够有效延长金属催化电极在长时间反应中的使用寿命。
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公开(公告)号:CN118086999A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410191464.9
申请日:2024-02-21
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种采用电化学氧化还原调控电极表面晶粒细化的方法,涉及纳米多孔金属材料制备技术领域,方法包括:S1,对金属箔进行预处理,得到金属电极片;S2,对金属电极片采用多电位阶跃法进行电化学氧化,得到金属氧化物电极;S3,采用电流‑时间法对所述金属氧化物电极进行电化学CO2还原,得到氧化衍生具有纳米多孔特征的金属电极,其中,通过调控所述电化学CO2还原的时间的长短得到表面颗粒大小和晶粒尺寸不同的氧化衍生金属电极。本发明制备的OD‑Ag电极的自支撑性好,能够避免相同材料由于不同基底所造成不同催化效果的影响;而且在CO2还原方面具有很好的催化性能,能够通过改变电化学CO2还原时间来调节电极表面颗粒大小和晶粒的尺寸。
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公开(公告)号:CN114182120A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111520226.0
申请日:2021-12-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种变形铝铁合金及其制备方法,属于铝铁合金制备技术领域。本发明提供的变形铝铁合金的制备方法,采用半连续铸造工艺制备铝铁合金铸锭,无需加入其他的合金元素,即可使铝铁合金获得显著细化的合金显微组织,结合热挤压成型工艺,大幅度提高了变形铝铁合金的力学性能,为铝铁合金的工业应用打下了基础;采用半连续铸造工艺制备合金,生产效率高,适于大规模低成本生产。实施例的结果显示,本发明提供的制备方法制备的变形铝铁合金的抗拉强度可超过170MPa,屈服强度可超过140MPa,伸长率可达到26.0%。
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公开(公告)号:CN110394542A
公开(公告)日:2019-11-01
申请号:CN201910746356.2
申请日:2019-08-13
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B23K20/12
Abstract: 本发明公开了一种局部恒温预热搅拌摩擦焊接方法。在待焊工件的焊缝的上表面放置上表面加热片,同时在焊缝的下表面放置下表面加热片,然后对待焊工件进行夹持固定。通过上表面加热片与下表面加热片将焊缝局部均匀预热至预定温度后利用搅拌摩擦焊接技术完成待焊工件的焊接。下表面加热片在焊接过程中位置固定,上表面加热片与搅拌头保持距离并随搅拌头向前移动,两者速度保持一致,保证上表面加热片与搅拌头距离保持不变。焊接过程中通过调节上表面加热片与下表面加热片的预热温度、位置、范围来调控焊接过程中焊接接头的温度场分布,进而调节焊接接头的变形速率分布。本发明方法可调控接头材料变形温度与变形速率分布,焊接操作简便、灵活。
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公开(公告)号:CN118373675A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410420431.7
申请日:2024-04-09
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/19 , C04B35/622 , H01Q1/38
Abstract: 本发明公开了一种超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用,属于陶瓷材料技术领域。本发明的超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料的化学通式为:LiBxAl1‑xSiO4;其中,0.02≤x≤0.1,x代表摩尔量。本发明的超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料具有低的介电常数和高的品质因数以及可观的谐振频率温度系数,有潜力广泛应用于制造高速信号传输的介质天线、微波基板、介质谐振器等微波器件。
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