公开(公告)号：CN118373675A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410420431.7

申请日：2024-04-09

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 李纯纯 ,  熊思宇 ,  朱国斌 ,  陈德钦 ,  朱肖伟 ,  崔洪波

IPC: C04B35/19 ,  C04B35/622 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明公开了一种超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明的超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料的化学通式为：LiBxAl1‑xSiO4；其中，0.02≤x≤0.1，x代表摩尔量。本发明的超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料具有低的介电常数和高的品质因数以及可观的谐振频率温度系数，有潜力广泛应用于制造高速信号传输的介质天线、微波基板、介质谐振器等微波器件。

公开(公告)号：CN116803947A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310815696.2

申请日：2023-07-04

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 李纯纯 ,  朱国斌 ,  陈德钦 ,  尹长志 ,  朱肖伟 ,  熊思宇 ,  王政锋

IPC: C04B35/46 ,  H01P1/20 ,  H01P7/00 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出了一种低介电常数钛酸盐微波介电陶瓷及其制备方法与应用，属于介电陶瓷材料技术领域。本发明的低介电常数钛酸盐微波介电陶瓷的化学组成为Re2TiO5，其中Re为Nd、Sm、Eu或Gd。本发明通过设计原料预烧工艺分别精准合成Nd2TiO5、Sm2TiO5、Eu2TiO5和Gd2TiO5单相粉末，压制成型前采用添加粘结剂的方式造粒，有利于成型，最后优化烧结制度，促进陶瓷晶粒生长，获得一种具有优异微波介电性能的陶瓷材料，其介电常数达到13.4‑15.7，品质因数Q×f值达到8696‑12698GHz，可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造，在工业上有着极大的应用价值。

公开(公告)号：CN117776682A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310344144.8

申请日：2023-04-03

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 李纯纯 ,  熊思宇 ,  陈德钦 ,  曹雪凤 ,  朱肖伟 ,  朱国斌 ,  刘来君

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种轻质硼酸盐微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用，属于陶瓷材料领域，包括如下步骤：(1)按照Li2BAlO4的化学计量比称量原料LiBO2、Al2O3和Li2CO3，混合后经球磨、干燥、预烧，得到粉末。(2)将所述粉末球磨后干燥，然后经压制成型、真空处理、冷等静压、烧结，得到所述轻质硼酸盐微波介质陶瓷材料。同时公开了上述制备方法制备得到的轻质硼酸盐微波介质陶瓷材料及其在介质基板、谐振器和滤波器中的应用。本发明可以降低陶瓷的烧结温度，提高烧结特性。本发明制备的Li2BAlO4陶瓷具有低的介电常数和高的品质因数，有潜力广泛应用于轻质微波介质基板、滤波器、天线等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN119019166A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411113857.4

申请日：2024-08-14

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 李纯纯 ,  朱肖伟 ,  朱国斌 ,  熊思宇 ,  刘来君

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种A、B位组分超顺电相钙钛矿型陶瓷材料及其制备方法与应用，所述A、B位组分超顺电相钙钛矿型陶瓷材料的化学式为(Ba1/3Sr1/3Ca1/3)(SnxTi1‑x)O3，式中0.1≤x≤0.3，本发明的A、B位组分超顺电相钙钛矿型陶瓷材料可以制备弛豫铁电材料，具有良好的储能性能，符合当前无铅化的要求，对环境友好，工艺流程简单和性能稳定，有利于大规模生产。

公开(公告)号：CN117049875A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311044680.2

申请日：2023-08-17

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 李纯纯 ,  朱肖伟 ,  陈德钦 ,  朱国斌 ,  熊思宇 ,  肖洪祥 ,  刘来君

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/48 ,  C04B35/462 ,  C04B35/457 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明属于高熵钙钛矿氧化物材料电介质储能技术领域，涉及一种A、B位共同高熵的钙钛矿型高熵陶瓷材料及其制备方法与应用。该高熵氧化物材料的化学式为ABO3，本发明采用固相反应法制备出具有单一相结构、AB位置换元素分布均匀、相稳定的高熵氧化物陶瓷。通过使用五种金属元素占据ABO3的A位，两种金属元素占据ABO3的B位，改变钙钛矿中A、B位阳离子组成，调控其物理化学性能，得到了一种具高储能密度，高功率密度和高储能效率的钙钛矿结构ABO3基弛豫铁电陶瓷材料。该储能陶瓷材料符合当前环保无铅化，工艺流程简单、制备方法操作方便、实用性强和便于推广，储能性能较原有材料存在大幅提升。